激光照射对InSe结构及光电性质的作用研究

InSe具有高载流子迁移率,在光电探测和场效应器件应用上具有非常好的前景。但InSe易于氧化,特别是在一定光和热激发下会氧化成In_(2)O_(3)。在InSe的研究中,拉曼光谱、荧光光谱等手段均需采用激光进行激发,目前激光照射测试过程对测试结果的影响并不清楚。通过采用拉曼光谱、原子力显微镜和开尔文探针显微镜,详细研究了激光照射过程对InSe拉曼光谱测试、表面形貌和表面电势的影响。结果表明:在激光功率为0.20 mW、曝光时间10 s的条件下,激光照射对材料基本没有影响;随着激光照射功率增强,激光诱导表面氧化而产生结构形变,拉曼光谱峰强下降,表面电势升高;随着高激光功率照射时间增长,表面的氧化程度迅速增加,但拉曼强度呈现先下降后增长再下降的变化,其原因来自于氧化层形态的变化。光谱测试对InSe材料产生不可忽略的影响,在材料分析中需要给予重视。