准二维范德瓦耳斯磁性半导体CrSiTe3的THz光谱

准二维范德瓦耳斯磁性材料CrSiTe3同时具有本征磁性与半导体能带结构,在光电子学和纳米自旋电子学领域中具有广泛的应用,近年来吸引了广大科研工作者的兴趣.利用超快太赫兹光谱技术,本文对准二维范德瓦耳斯铁磁半导体CrSiTe3进行了系统的研究,包括太赫兹时域光谱,光抽运-太赫兹探测光谱及太赫兹发射光谱.实验结果表明,样品的太赫兹电导率随温度的变化表现得十分稳定,且样品ab面对太赫兹波的响应呈现为各向同性;800 nm光抽运后的光生载流子表现为一种双指数形式的弛豫变化,复光电导率可以用Drude-Smith模型很好地拟合,光载流子的弛豫过程由电子-空穴对的复合所主导;飞秒脉冲入射到样品表面后可以产生太赫兹辐射,且具有0—2 THz的带宽.本文给出了CrSiTe3在光学及太赫兹波段的光谱,为其在电子及光电子器件方面的设计和优化提供了借鉴与参考.

基于VO_2相变实现太赫兹波段宽带抗反射

提出利用VO_2薄膜匹配空气-介质界面,基于温度诱导VO_2的绝缘体-金属相变,实现太赫兹波段的宽带抗反射,并对温度依赖的宽带抗反射进行系统讨论.这一研究结果具有普适性,既适用于光学器件界面间的抗反射研究,也可用于微波波段的抗反射设计.