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基于CMOS工艺的改进型电流注入混频器
被引量:
1
1
作者
程知群
李进
+3 位作者
傅开红
周云芳
徐胜军
张胜
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期811-814,共4页
设计了一种改进型电流注入混频器。通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极引入电感形成谐振电路,消除了开关管源极寄生电容的影响,降低了混频器电路的闪烁噪声,增大了混频器电路的增益。混频器电路的设计采用SMIC 0.35μm CMOS工艺...
设计了一种改进型电流注入混频器。通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极引入电感形成谐振电路,消除了开关管源极寄生电容的影响,降低了混频器电路的闪烁噪声,增大了混频器电路的增益。混频器电路的设计采用SMIC 0.35μm CMOS工艺库,本振功率为-3 dBm。仿真结果表明,与改进前的混频器电路相比,当本振功率为-3 dBm时,改进型电流注入混频器电路的增益提高了1.76 dB,IIP3提高2.1 dBm,噪声系数降低了0.5 dB。
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关键词
吉尔伯特混频器
电流注入
闪烁噪声
增益
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职称材料
应用于UHF RFID阅读器中低相位噪声LC VCO设计
被引量:
1
2
作者
程知群
周云芳
+2 位作者
傅开红
李进
周霄鹏
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2010年第6期149-152,共4页
设计了一种应用于860~960MHz UHF RFID阅读器低相位噪声的CMOS LC压控振荡器.电路经过一个SCL结构的1/2分频器输出四相正交信号.电路设计采用SMIC0.18μm CMOS工艺库和Cadence SpectreRF仿真器.仿真结果表明:VCO在分频前,实现了调频范...
设计了一种应用于860~960MHz UHF RFID阅读器低相位噪声的CMOS LC压控振荡器.电路经过一个SCL结构的1/2分频器输出四相正交信号.电路设计采用SMIC0.18μm CMOS工艺库和Cadence SpectreRF仿真器.仿真结果表明:VCO在分频前,实现了调频范围为1620~2020MHz;在振荡频率为1.8GHz时,相位噪声为-127.5dBc/Hz@1MHz;VCO经过2分频电路后,实现了调频范围为810~1010MHz;在频率900MHz,其相位噪声-133.5dBc/Hz@1MHz.
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关键词
RFID阅读器
LC振荡器
低相位噪声
正交输出
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职称材料
一种高增益低噪声CMOS混频器设计
3
作者
程知群
李进
+2 位作者
傅开红
朱雪芳
高俊君
《电子器件》
CAS
2009年第4期737-741,共5页
设计了一种基于跨导互补结构的电流注入混频器,通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极增加PMOS管形成电流注入电路减小本振端的偏置电流,改善电路的闪烁噪声和增大电路的增益。采用SMIC0.18μm标准CMOS工艺设计,在本振(LO)信号的频...
设计了一种基于跨导互补结构的电流注入混频器,通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极增加PMOS管形成电流注入电路减小本振端的偏置电流,改善电路的闪烁噪声和增大电路的增益。采用SMIC0.18μm标准CMOS工艺设计,在本振(LO)信号的频率为1.571GHz,射频(RF)信号频率为1.575GHz时,混频器的增益为17.5dB,噪声系数(NF)为8.35dB,三阶交调截止点输入功率(IIP3)为-4.6dBm。混频器工作电压1.8V,直流电流为8.8mA,版图总面积为0.63mm×0.78mm。
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关键词
高增益
低噪声
混频器
电流注入
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职称材料
增益可调宽带CMOS低噪声放大器设计
4
作者
程知群
傅开红
+1 位作者
李进
周云芳
《电子器件》
CAS
2010年第2期178-181,共4页
设计了一种应用于超宽带系统中的可变增益宽带低噪声放大器。电路中采用了二阶巴特沃斯滤波器作为输入和输出匹配电路;采用了两级共源共栅结构实现电路的放大,并通过控制第二级的电流,实现了在宽频带范围内增益连续可调;采用了多栅管(M...
设计了一种应用于超宽带系统中的可变增益宽带低噪声放大器。电路中采用了二阶巴特沃斯滤波器作为输入和输出匹配电路;采用了两级共源共栅结构实现电路的放大,并通过控制第二级的电流,实现了在宽频带范围内增益连续可调;采用了多栅管(MGTR),提高了电路的线性度;设计基于SMIC 0.18μm CMOS工艺。仿真结果显示,在频带3~5 GHz的范围内最高增益17 dB,增益波动小于1.8 dB,输入和输出端口反射系数分别小于-10 dB和-14 dB,噪声系数nf小于3.5 dB,当控制电压Vctrl=1.4 V时,IIP3约为2 dBm,电路功耗为16 mW。
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关键词
低噪声放大器(LNA)
增益可调
宽带
CMOS
多栅管
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职称材料
基于CMOS工艺宽带LC压控振荡器研究
5
作者
程知群
傅开红
+1 位作者
李进
周云芳
《电子器件》
CAS
2009年第4期742-745,共4页
设计了一种应用于无线通信系统的宽带电感电容(LC)压控振荡器(VCO),电路采用开关电容阵列获得了宽频率覆盖范围;利用开关可变电容阵列减小了调谐增益变化;并通过采用高品质因数的差分电感和噪声滤波技术获得了低相位噪声。电路设计采用S...
设计了一种应用于无线通信系统的宽带电感电容(LC)压控振荡器(VCO),电路采用开关电容阵列获得了宽频率覆盖范围;利用开关可变电容阵列减小了调谐增益变化;并通过采用高品质因数的差分电感和噪声滤波技术获得了低相位噪声。电路设计采用SMIC0.18μmCMOS工艺。仿真结果表明:在工作电压为1.8V时,直流功耗为9mW,压控振荡器的频率范围870~1500MHz(53%),调谐增益在67MHz/V至72MHz/V之间。相位噪声优于-100dBc/Hz@100kHz。
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关键词
CMOS
宽带压控振荡器
开关电容阵列
调谐增益
相位噪声
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职称材料
题名
基于CMOS工艺的改进型电流注入混频器
被引量:
1
1
作者
程知群
李进
傅开红
周云芳
徐胜军
张胜
机构
杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期811-814,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60776052)
文摘
设计了一种改进型电流注入混频器。通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极引入电感形成谐振电路,消除了开关管源极寄生电容的影响,降低了混频器电路的闪烁噪声,增大了混频器电路的增益。混频器电路的设计采用SMIC 0.35μm CMOS工艺库,本振功率为-3 dBm。仿真结果表明,与改进前的混频器电路相比,当本振功率为-3 dBm时,改进型电流注入混频器电路的增益提高了1.76 dB,IIP3提高2.1 dBm,噪声系数降低了0.5 dB。
关键词
吉尔伯特混频器
电流注入
闪烁噪声
增益
Keywords
Gilbert mixer
Current-inpouring
Flicker noise
Gain
分类号
TN773 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
应用于UHF RFID阅读器中低相位噪声LC VCO设计
被引量:
1
2
作者
程知群
周云芳
傅开红
李进
周霄鹏
机构
杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2010年第6期149-152,共4页
基金
国家自然科学基金项目(60776052)
文摘
设计了一种应用于860~960MHz UHF RFID阅读器低相位噪声的CMOS LC压控振荡器.电路经过一个SCL结构的1/2分频器输出四相正交信号.电路设计采用SMIC0.18μm CMOS工艺库和Cadence SpectreRF仿真器.仿真结果表明:VCO在分频前,实现了调频范围为1620~2020MHz;在振荡频率为1.8GHz时,相位噪声为-127.5dBc/Hz@1MHz;VCO经过2分频电路后,实现了调频范围为810~1010MHz;在频率900MHz,其相位噪声-133.5dBc/Hz@1MHz.
关键词
RFID阅读器
LC振荡器
低相位噪声
正交输出
Keywords
RFID reader
LC VCO
low phase noise
quadrature output
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种高增益低噪声CMOS混频器设计
3
作者
程知群
李进
傅开红
朱雪芳
高俊君
机构
杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室
出处
《电子器件》
CAS
2009年第4期737-741,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60776052)
文摘
设计了一种基于跨导互补结构的电流注入混频器,通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极增加PMOS管形成电流注入电路减小本振端的偏置电流,改善电路的闪烁噪声和增大电路的增益。采用SMIC0.18μm标准CMOS工艺设计,在本振(LO)信号的频率为1.571GHz,射频(RF)信号频率为1.575GHz时,混频器的增益为17.5dB,噪声系数(NF)为8.35dB,三阶交调截止点输入功率(IIP3)为-4.6dBm。混频器工作电压1.8V,直流电流为8.8mA,版图总面积为0.63mm×0.78mm。
关键词
高增益
低噪声
混频器
电流注入
Keywords
high gain
low noise
mixer
current bleeding
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
增益可调宽带CMOS低噪声放大器设计
4
作者
程知群
傅开红
李进
周云芳
机构
杭州电子科技大学
出处
《电子器件》
CAS
2010年第2期178-181,共4页
基金
国家自然科学基金资助(60776052)
文摘
设计了一种应用于超宽带系统中的可变增益宽带低噪声放大器。电路中采用了二阶巴特沃斯滤波器作为输入和输出匹配电路;采用了两级共源共栅结构实现电路的放大,并通过控制第二级的电流,实现了在宽频带范围内增益连续可调;采用了多栅管(MGTR),提高了电路的线性度;设计基于SMIC 0.18μm CMOS工艺。仿真结果显示,在频带3~5 GHz的范围内最高增益17 dB,增益波动小于1.8 dB,输入和输出端口反射系数分别小于-10 dB和-14 dB,噪声系数nf小于3.5 dB,当控制电压Vctrl=1.4 V时,IIP3约为2 dBm,电路功耗为16 mW。
关键词
低噪声放大器(LNA)
增益可调
宽带
CMOS
多栅管
Keywords
LNA(Low Noise Amplifier)
variable gain
wideband
CMOS
multi-gated transistors
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
基于CMOS工艺宽带LC压控振荡器研究
5
作者
程知群
傅开红
李进
周云芳
机构
杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室
出处
《电子器件》
CAS
2009年第4期742-745,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60776052)
文摘
设计了一种应用于无线通信系统的宽带电感电容(LC)压控振荡器(VCO),电路采用开关电容阵列获得了宽频率覆盖范围;利用开关可变电容阵列减小了调谐增益变化;并通过采用高品质因数的差分电感和噪声滤波技术获得了低相位噪声。电路设计采用SMIC0.18μmCMOS工艺。仿真结果表明:在工作电压为1.8V时,直流功耗为9mW,压控振荡器的频率范围870~1500MHz(53%),调谐增益在67MHz/V至72MHz/V之间。相位噪声优于-100dBc/Hz@100kHz。
关键词
CMOS
宽带压控振荡器
开关电容阵列
调谐增益
相位噪声
Keywords
CMOS
wideband VCO
switch capacitors arrays
tuning gain
phase noise
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于CMOS工艺的改进型电流注入混频器
程知群
李进
傅开红
周云芳
徐胜军
张胜
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
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职称材料
2
应用于UHF RFID阅读器中低相位噪声LC VCO设计
程知群
周云芳
傅开红
李进
周霄鹏
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2010
1
下载PDF
职称材料
3
一种高增益低噪声CMOS混频器设计
程知群
李进
傅开红
朱雪芳
高俊君
《电子器件》
CAS
2009
0
下载PDF
职称材料
4
增益可调宽带CMOS低噪声放大器设计
程知群
傅开红
李进
周云芳
《电子器件》
CAS
2010
0
下载PDF
职称材料
5
基于CMOS工艺宽带LC压控振荡器研究
程知群
傅开红
李进
周云芳
《电子器件》
CAS
2009
0
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职称材料
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