硅n^＋p结中金的两个深能级及相对浓度分布的测量

本文用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）方法对ｐ型单晶硅中ｎ＋ｐ结掺金形成的两个深能级进行了实验研究，并对ＤＬＴＳ方法中传统计算深中心浓度分布的公式进行了改进，给出了深能级及相对浓度分布更为准确的测量结果。

正向小注入脉冲下多子陷阱响应和两种载流子俘获率之比

正向小注入下分析了P^+-n结的多子陷阱响应。指出了其中的少子注入俘获效应。当p-n结反向偏压足够小,以致其响虚区中尾区的作用不容忽视时,多子陷阱的少子注入俘获效应就在其DLTS中明显地表现出来。这种效应可用于在小注入条件下,测量多子陷阱两种载流子俘获率之比C_D/C_x。

硅n^+-p结中金深受主能级DLTS中的反常现象

在研究硅n^+-p结中金深受主能级E_A的DLTS信号强度(峰高)与多子脉冲的关系中发现,当脉冲宽度宽于1μs时,峰高反而随着脉冲宽度增加而单调下降。给出了典型的实验结果,并指出这是由于E_A同时具有多子及少子两种响应区的结果。

江苏省三种归化植物新记录

通过野外植物调查,结合文献分析,报道了江苏省3种归化植物新记录。在南京市将军山风景区,发现原产于北美洲的北美黄亚麻[Linum medium(Planchon)Britton]种群;在南京市六合区,发现原产于南美洲的柳叶马鞭草(Verbena bonariensis Linnaeus)种群;在南京市老山,发现原产于南美洲的狭叶马鞭草(V.brasiliensis Vellozo)种群。实地拍摄了三种归化植物的形态及生境照片,补充描述了北美黄亚麻的形态特征,并分析穗状花序形态特征可作为柳叶马鞭草与狭叶马鞭草的种间鉴别特征。

稀土元素Ce热引入Si单晶中及Ce在Si中的扩散系数

利用真空淀积和真空热处理(1050℃,20h)向Si单晶中引入了稀土元素Ce,热处理过程中Ce首先与Si形成合金,然后向Si中扩散,于是在Si中形成Ce的扩散层。用二次离子质谱(SIMS)技术测定了Ce的纵向相对浓度分布,并据此分析了Ce在Si中的扩散系数。并在77—450K范围内测量了扩散层的平均电导率。