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VDMOS器件高温热载流子效应的研究
1
作者
储晓磊
高珊
李尚君
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第1期39-44,共6页
用二维器件仿真软件Silvaco-Atlas模拟了VDMOS器件工作时产热分布,观察到高温区集中分布在沟道末端及积累层区域。仿真了自加热效应情形下的输出特性曲线,图像显示曲线在达到饱和点后随漏电压增大有下降趋势。结合理论揭示了自加热效应...
用二维器件仿真软件Silvaco-Atlas模拟了VDMOS器件工作时产热分布,观察到高温区集中分布在沟道末端及积累层区域。仿真了自加热效应情形下的输出特性曲线,图像显示曲线在达到饱和点后随漏电压增大有下降趋势。结合理论揭示了自加热效应造成器件电学参数退化机理。通过建立衬底电流模型,分析了衬底电流受偏置电压和温度影响的变化过程。结果表明:在偏置电压固定时,衬底电流随温度升高呈先下降后升高的变化过程;在高温和高偏置电压下衬底电流有指数上升趋势,而且正比于阈值电压、饱和漏电流以及传输特性等电学特性的退化。
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关键词
垂直双扩散金属氧化物半导体
自加热效应
衬底电流
热载流子效应
下载PDF
职称材料
双栅MOSFET沟道侧壁绝缘柱(DP)表面势解析模型
被引量:
1
2
作者
李尚君
高珊
储晓磊
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第5期424-428,共5页
采用抛物线近似方法求解二维泊松方程,建立了漏端沟道侧壁绝缘柱表面电势解析模型。在该解析模型下,求解了不同漏压下的表面势,并与Atlas仿真结果做对比。比较了在相同条件下,DPDG MOSFET与DG MOSFET的沟道侧壁电势与电场分布。在不同...
采用抛物线近似方法求解二维泊松方程,建立了漏端沟道侧壁绝缘柱表面电势解析模型。在该解析模型下,求解了不同漏压下的表面势,并与Atlas仿真结果做对比。比较了在相同条件下,DPDG MOSFET与DG MOSFET的沟道侧壁电势与电场分布。在不同沟道长度下,分析了DPDG MOSFET器件的阈值电压(Vth),亚阈值斜率(SS)以及漏感应势垒降低效应(DIBL),并与DG MOSFET作对比。结果表明,添加绝缘柱DP后,不仅减小了源漏端电荷分享,而且增强了栅对电荷控制,从而改善了器件的DIBL效应,并有效提高了器件的可靠性。
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关键词
双栅内嵌绝缘柱金属氧化物半导体场效应晶体管
沟道侧壁绝缘柱
表面势
电荷分享
漏感应势垒降低效应
短
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职称材料
题名
VDMOS器件高温热载流子效应的研究
1
作者
储晓磊
高珊
李尚君
机构
安徽大学电子信息工程学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第1期39-44,共6页
基金
国家核高基重大专项资助项目(2010ZX0103 0-001-001-004)
文摘
用二维器件仿真软件Silvaco-Atlas模拟了VDMOS器件工作时产热分布,观察到高温区集中分布在沟道末端及积累层区域。仿真了自加热效应情形下的输出特性曲线,图像显示曲线在达到饱和点后随漏电压增大有下降趋势。结合理论揭示了自加热效应造成器件电学参数退化机理。通过建立衬底电流模型,分析了衬底电流受偏置电压和温度影响的变化过程。结果表明:在偏置电压固定时,衬底电流随温度升高呈先下降后升高的变化过程;在高温和高偏置电压下衬底电流有指数上升趋势,而且正比于阈值电压、饱和漏电流以及传输特性等电学特性的退化。
关键词
垂直双扩散金属氧化物半导体
自加热效应
衬底电流
热载流子效应
Keywords
vertical double-diffused MOS(VDMOS)
self-heating effect
substrate current
hot carrier effect
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
双栅MOSFET沟道侧壁绝缘柱(DP)表面势解析模型
被引量:
1
2
作者
李尚君
高珊
储晓磊
机构
安徽大学电子信息工程学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第5期424-428,共5页
基金
国家核高基重大专项资助项目(2010ZX0103 0-001-001-004)
文摘
采用抛物线近似方法求解二维泊松方程,建立了漏端沟道侧壁绝缘柱表面电势解析模型。在该解析模型下,求解了不同漏压下的表面势,并与Atlas仿真结果做对比。比较了在相同条件下,DPDG MOSFET与DG MOSFET的沟道侧壁电势与电场分布。在不同沟道长度下,分析了DPDG MOSFET器件的阈值电压(Vth),亚阈值斜率(SS)以及漏感应势垒降低效应(DIBL),并与DG MOSFET作对比。结果表明,添加绝缘柱DP后,不仅减小了源漏端电荷分享,而且增强了栅对电荷控制,从而改善了器件的DIBL效应,并有效提高了器件的可靠性。
关键词
双栅内嵌绝缘柱金属氧化物半导体场效应晶体管
沟道侧壁绝缘柱
表面势
电荷分享
漏感应势垒降低效应
短
Keywords
double gate MOSFET incorporating dielectric pocket(DPDG MOSFET)
the chan-nel wall incorporating dielectric pocket(DP)
surface potential
charge sharing
drain induced bar-rier lowering(DIBL)
short channel effect
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
VDMOS器件高温热载流子效应的研究
储晓磊
高珊
李尚君
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
下载PDF
职称材料
2
双栅MOSFET沟道侧壁绝缘柱(DP)表面势解析模型
李尚君
高珊
储晓磊
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
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职称材料
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