无铅压电陶瓷BNKT-BiGaO_3的研究

采用传统陶瓷制备方法制备了一种新型无铅压电陶瓷(1-x)Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO3-xBiGaO3(BNKT-BGx),研究了Bi基铁电体BiGaO3对BNKT陶瓷微观结构和压电介电性能的影响。结果表明,在所研究的组成范围内,陶瓷材料均能形成纯钙钛矿固溶体,陶瓷晶粒尺寸随x的增加而增加。压电性能随x的增加先增加后减少,在x=0.01时压电常数及机电耦合系数达到最大值(d33=165 pC/N,kp=0.34)。介电温谱显示该陶瓷具有2个介电反常峰,介电常数在低温反常峰附近具有明显的频率依赖性。

Bi_(0.5)(Na_(0.82-x)K_(0.18)Li_x)_(0.5)TiO_3无铅压电陶瓷的微结构与电性能

采用传统陶瓷制备工艺制备了Bi0．5（Na0．82-xK0.18Lix）0.5TiO3（x=0.01-0.07）无铅压电陶瓷。研究了该体系陶瓷的微结构以及应力对平面机电耦合系数‰和压电常数盔，的影响。结果表明，Bi0．5（Na0．82-xK0.18Lix）0.5TiO3无铅压电陶瓷具有单一钙钛矿结构，Li^＋有抑制晶粒长大的作用。当x=0．03时，压电陶瓷样品表现出优良的压电性能：压电常数幽和平面机电耦合系数岛分别为154pC／N和0．296。同时发现，退火可消除内应力，有利于提高d33，但会使拓减小；极化会引起介电常数岛减小，电畴转向过程中产生的应力对如影响较为明显。

等离子体化学气相沉积法制备致密性超浸润纳米硅氟薄膜

以含氟丙烯酸酯功能单体和硅烷为原料、无水乙醇为溶剂、氩气为工艺气体,经等离子体化学气相沉积在表面绝缘阻抗(SIR)测试板和无尘布上制得硅氟薄膜。探讨了硅烷种类和用量、含氟单体用量对镀硅氟薄膜试件性能的影响。结果表明,采用γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(KH 570)、γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH 550)和乙烯基三甲氧基硅烷(A171)的镀硅氟薄膜SIR测试板的静态水接触角分别为136.0°、135.6°和135.7°,摩擦200次后分别下降了7.5°、10.2°和11.9°,通电时间分别为30 min、5 min和3 min,表面粗糙程度逐渐降低;随着KH 570用量由0.2份增加到5份,镀硅氟薄膜SIR测试板的通电时间从8 min逐渐延长至33 min;随着含氟单体用量从78份升至93份,镀硅氟薄膜无尘布的静态水接触角从126°升至154°。硅烷选择KH 570较佳,KH 570的较佳用量为2份,含氟丙烯酸酯功能单体的较佳用量为90份,此时镀硅氟薄膜SIR测试板的静态水接触角为136.0°,通电时间为30 min。