稀土Nd,Ce掺杂硅基薄膜光致发光特性

测量了Nd ,Ce稀土离子注入Si基晶片 ,在不同离子注入剂量、不同退火条件下的室温光致发光 (PL)谱 ,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰 ,且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大 ,随退火条件的不同而改变。运用原子力显微镜 (AFM )对样品的表面形貌进行了观察 ,结果显示 ,样品表面颗粒大小、粗糙度将影响其发光效率。表面颗粒大小均匀 ,均方根粗糙度小的样品发光效率较高。通过对样品的卢瑟福背散射 (RBS)能谱测量 ,对样品的表面结构进行了探讨 ,并讨论了表面结构与光致发光特性之间的联系。对样品的发光机理作了初步探讨。

稀土掺杂硅基薄膜的高效发光特性

测量了在不同离子注入剂量,不同退火条件下的Nd注入S i基晶片室温光致发光谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大,随退火条件的不同而改变。在实验室条件下,对掺杂硅片和单晶硅片进行电化学腐蚀制成多孔硅样片,同时用适当配比的HNO3对以单晶硅为基底的多孔硅进行处理,测试了腐蚀后各类样品的光致发光(PL)谱。发现掺稀土Nd的多孔硅和用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高。

阴极还原和酸处理对多孔硅稳定性和发光特性的改善

采用两种简单的多孔硅后处理方法,即阴极还原和酸处理来提高多孔硅的发光特性。结果表明,对多孔硅进行阴极还原处理,能明显改善多孔硅的稳定性;对多孔硅进行酸处理,能有效提高多孔硅的发光强度。结合阴极还原和酸处理两实验技术的特点,对所制备的多孔硅先进行阴极还原处理,再进行酸处理,结果表明该方法能较好地提高多孔硅的发光效率和发光稳定性。

Nd_2O_3-SnO_2 薄膜气敏元件的研制

研究了Ｎｄ２Ｏ３－ＳｎＯ２复合薄膜气敏元件的制作工艺和敏感性能测量结果表明，这种元件对乙炔气体敏感，且具有选择性好。

基于频谱分析的电机噪声源的识别

电机噪声源的识别及控制已成为目前电机行业的一项重要研究。介绍了电机噪声源的分类,并对现阶段常用的噪声源识别方法的优缺点进行了分析和比较。重点分析了利用频谱分析法识别噪声源的基本理论和具体实现。实验表明,频谱分析法可以有效地识别电机噪声源。

多孔硅的后处理及其发光特性

采用一种新颖而简便的方法,改善多孔硅的发光特性。该方法包括酸处理和阴极还原两步。实验证明通过对多孔硅进行酸处理,能有效提高多孔硅的发光强度;通过对多孔硅进行阴极还原处理,能明显改善多孔硅的发光稳定性,而且发光强度也得到了提高。综合酸处理和阴极还原两技术的特点,对所制备的多孔硅立即先进行酸处理,然后再对其进行阴极还原处理,结果表明该方法能较好地提高多孔硅的发光效率和发光稳定性。而且还对其发光机制进行了探讨。

低束流Nd^(3+)注入硅基薄膜结构及光致发光的研究

采用金属蒸气真空弧离子源（MEVVA）制备了掺Nd3+硅基薄膜材料。用扫描电镜和X射线衍射观测了表面形貌及物相结构随注入条件、退火温度的变化,样品经1000°C退火处理形成NdSi相钕硅化合物。测试了样品的光致荧光谱,在254nm（～5.0eV）光激发下获得了紫蓝光区（410～430nm）和红光区（746nm）荧光发射,随着退火温度的升高,荧光强度增大。746nm红光光谱显示了Nd3+特征光发射跃迁（4F7/2,4S3/2→4I9/2）,讨论了注入层结构与荧光发射的相关性。

基于S3C2410网络视频监控系统的设计与实现

本文介绍了一种基于S3C2410的嵌入式网络视频监控系统的设计方案。系统中以嵌入式Linux为操作系统,采取MPEG-4专用压缩编码芯片MPG440对采集到的数字视频信号进行压缩编码,生成MPEG-4视频码流,视频码流通过S3C2410主控制器外接的网络控制芯片传输到PC机,再通过内嵌的MPEG-4解压插件的IE浏览器来播放视频数据以及控制摄像机的监控状态。

酸处理多孔硅高效发光性能

在实验室条件下对P型单晶硅片进行阳极电化学腐蚀制成多孔硅(PorousSilicon)样片,同时用适当配比的HNO3对多孔硅进行处理。通过荧光分光光度计测试并比较了HNO3作用前后样片的光致发光(PL)谱,结果发现用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高。另外,本文还对多孔硅以及HNO3处理的多孔硅的发光稳定性作了对比研究和探讨。

阴极还原处理对多孔硅发光性能的影响

对经过阴极还原处理后的多孔硅样片进行了光致发光测试和稳定性测试。实验结果表明这种处理能明显改善多孔硅的发光稳定性,使其表面结构更加稳定。利用原子力显微镜对不同还原时间的多孔硅微结构及形貌进行了比较,在一定范围内随着还原时间的增长多孔硅表面粗糙度增大,PL谱增强。

Ln_(1-x)Sr_xCoO_(3-y)纳米晶厚膜型气敏传感器的研究

:研究了纳米晶Ln1-xSrxCoO3-y(Ln=La,Gd,x=0.5)的气敏特性,结果表明:纳米晶La05Sr05CoO3-y厚膜型气敏元件对乙醇具有较高的灵敏度和选择性,并具有加热功率和工作温度低等特点。

计算机解析语言在求解线性电路中的应用

论述了线性电路的一种求解方法———运算法，介绍了计算机解析语言的特点和功能，并运用计算机解析语言ＲＥＤＵＣＥ对线性电路的求解，为电路分析和电路仿真提供了一种新的手段。

HNO_3处理多孔硅高效发光的研究

在实验室条件下对P型单晶硅片进行阳极电化学腐蚀制成多孔硅(PorousSilicon)样片,同时用适当配比的HNO3对多孔硅进行处理。比较了HNO3作用前后样片的光致发光(PL)谱,结果发现用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高。用XPS和SEM对样片测试的结果表明:酸处理后样片表面形成Si—O结构,其表面平均孔径增大,而且分布更均匀。

掺Nd硅基氧化薄膜光致发光特性研究

通过对SiO2:Nd的PL谱分析,并与SiO2:La、SiO2:Ce、Si+→SiO2、C+→SiO2等的PL谱进行比较,总结出薄膜光致发光的一些特性.

RLC无源网络的故障诊断方法

提出了一种对RLC线性无源网络单、双重故障的诊断方法.论述了当可测端对各元件的转移阻抗已知时,根据两次或三次独立测试结果,可实现故障的定位和定值.

基于规则的可变增益电力系统稳定器

介绍了一台基于规则的可变增益电力系统稳定器（ＰＳＳ），这台稳定器通过传输机的反复实时控制实验，已在实验室完成。这台稳定器由传统的ＰＳＳ演变而来，不同的是它具有可变增益，它能在线自动调节，以满足各电力系统对阻尼的要求。通过检测各系统中的振荡状态，这台稳定器增益可根据二条控制规则实时调整。这台设备的目的是要获得这样一台稳定器，它在各电力系统工作条件的变化中是坚固耐用的，并能更有效地抑制在系统中检测到的振荡。同时，它又能减小对各电力系统暂态性能的不利影响。本文中实验室所提供的实验结果显示了这台基于规则的可变增益电力系统稳定器的有效性。

稀土掺杂薄膜型气敏元件

介绍稀土掺杂薄膜型气敏元件的制作工艺和敏感性能，测试结果表明，掺Ｅｕ２Ｏ３的元件对丙酮敏感性高，而掺Ｎｄ２Ｏ３的元件对乙炔气敏感性高，文中对这类元件的气敏机理作了简单的讨论。

Eu_2O_3—SnO_2薄膜气敏元件的研制

本文研究了 Eu_2O_3—SnO_2复合薄膜气敏元件的制作工艺和敏感性能。测量结果表明,这种元件对丙酮敏感,且具有选择性好,响应时间和恢复时间短等优点。

La、O^+双注入硅基薄膜室温可见光致发光研究

测量了用离子注入方法将La、O+双注入硅基样品在室温下的光致发光 (PL)谱 ,实验结果表明它们均具有蓝、紫发光峰 ,且发光稳定。在一定范围内发光效率随退火温度和注入顺序的不同而变化。用原子力显微镜观察了不同条件下制备的样品的表面形貌 ,并对样品的发光机理作了初步探讨。

稀土La、Nd掺杂硅基薄膜光致发光特性

测量了La、Nd稀土离子注入Si基晶片 ,在不同退火条件下的室温光致发光(PL)谱 ,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰 ,且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大、随退火条件的不同而改变。并对样品的发光机理作了初步探讨。