n-Ga_(2)O_(3)/p-GaAs异质结日盲紫外探测器制备

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在p-GaAs(100)衬底上外延了Ga_(2)O_(3)薄膜并制备了n-Ga_(2)O_(3)/p-GaAs异质结日盲紫外探测器。通过X射线衍射仪、原子力显微镜、场发射扫描电子显微镜等方法对Ga_(2)O_(3)薄膜表面形貌、晶体质量进行了测试与分析。结果表明,Ga_(2)O_(3)薄膜呈单一晶向,薄膜表面平整且为Volmer-Weber模式外延。测试表明,n-Ga_(2)O_(3)/p-GaAs异质结探测器具有明显的整流特性。器件在5 V反向偏压和紫外光(254 nm)照射下实现了超过3.0×10^(4)的光暗电流比、7.0 A/W的响应度、3412%的外量子效率、4.6×10^(13)Jones的探测率。我们利用TCAD软件对器件结构进行仿真,得到了器件内的电场分布和能带结构,并分析了器件的工作原理。该异质结探测器性能较好,制造工艺简单,为Ga_(2)O_(3)超灵敏日盲紫外探测器的研制提供了新途径。

p-Si/n-Ga_(2)O_(3)异质结制备与特性研究

本实验采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺,在p(111)型Si衬底上制备了p-Si/n-Ga_(2)O_(3)结构的PN结。通过X射线衍射仪、原子力显微镜等对样品进行了晶体结构、表面形貌、表面粗糙度等的表征分析;通过磁控溅射与蒸镀方法在样品上生长Ti/Au电极并进行I-V特性曲线、开启电压、开关电流比、反向饱和电流、理想因子、零偏压下的势垒高度等结特性测试,研究了掺杂浓度与薄膜厚度对PN结特性的影响,并对其原因进行了分析;通过二步生长法和缓冲层温度优化实验,减少了Si衬底与β-Ga_(2)O_(3)之间的晶格失配与热失配带来的影响,对薄膜与器件特性进行了优化。最终获得了表面粗糙度最低可达到4.21 nm的高质量n型β-Ga_(2)O_(3)薄膜,以及具有较低理想因子(42.1)的PN结。

基于项目环境的知识管理应用

知识管理作为一种管理理念，是需要长期坚持并且努力形成文化的活动。从这个意义上讲，知识管理不是项目管理，因此也就不能按照项目管理的组织和运作方式来进行。但这并不是说项目管理的思想和方法不能运用在知识管理中。随着项目管理的意义被更多的人所认可，项目管理中的一些思想也已经慢慢演变为普遍适用的管理理念，这些思想也同样适用于知识管理。

中国企业实施跨国并购的对策

兼并、收购、重组是企业做大做强的必由之路。不论是新当选还是“连续坐庄”的企业,不论是石油、钢铁、银行等传统行业还是制药、电讯、计算机等新兴行业,兼并收购和重组浪潮从未平息，而且日渐激烈。我国在“走出去”的过程中应该更充分利用国外的资本和证券市场，增强自身竞争力。

现浇砼空心楼盖施工技术应用

现浇混凝土空心楼板以其独特的优越性,在建筑工程中得到了迅速的推广应用。为了保证其施工质量,针对长安二中教学楼工程的特点,根据现浇混凝土空心楼板的设计原理,对工程的模板支设、钢筋骨架安装、空心管敷设、混凝土浇捣过程以及成品保护均进行了论述。并在施工中进行严格控制,确保了工程质量。

油基压裂液在春光油田低温水敏油井的应用

针对春光油田沙湾组水敏性较强、低温低压不利于压裂液破胶及返排和储层孔喉细小易水锁等问题,开展了油基压裂液的实验研究与应用工作,优选了适合该区块的油基压裂液配方及配制方法,解决了低温储层条件下（30～40℃）油基压裂液在可控时间内的彻底破胶难题.该油基压裂液体系在排2-401井进行了实际应用,取得了理想的增产效果.

GaAs衬底上β-Ga_(2)O_(3)纳米点阵薄膜的MOCVD制备

将热氧化与MOCVD工艺相结合,总结了一种在本征GaAs衬底上进行β-Ga_(2)O_(3)纳米点阵薄膜制备的工艺,该工艺不涉及金属催化剂与复杂刻蚀,工艺更为简单。使用扫描电子显微镜对所制备薄膜的形貌特征进行了表征与分析,发现所制备的纳米点阵薄膜呈现五方的柱状结构。对所制备样品进行了X射线衍射、拉曼振动、光致发光谱的测试,结果表明薄膜的晶体质量随着MOCVD生长温度与Ⅵ/Ⅲ比的提高而得到优化。使用有限元法(FEM)仿真验证了β-Ga_(2)O_(3)纳米点阵薄膜制备的高陷光特点。