杏仁辐射杀虫卫生标准研究

报道杏仁的辐射杀虫卫生标准研究结果。采用^(60)Coγ射线辐照杏仁样品,平均吸收剂量1.0kGy可有效地杀灭危害干果类的主要仓虫——印度谷螟。室温贮藏220 d后,1.0 kGy组样品好果率比对照组提高20％左右;对辐照前后杏仁样品的理化、营养学指标测定结果表明,对照组、1.0 kGy组和1.5kGy组的结果均无显著差异,提示在所选用剂量下,辐射工艺对上述指标无明显影响。

NF-86、NF-87与FWT-60三种辐射变色染料尼龙薄膜剂量计性能的比较研究

NF-86和NF-87两种剂量计均是以尼龙为基质材料,分别以六羟乙基付品红氰化物和付品红氰化物为辐射变色染料的薄膜剂量计。本文给出这两种剂量计与国外同类产品——美国远西公司的FWT-60辐射变色尼龙薄膜剂量计主要剂量学性能比较研究的结果。结果表明NF-86、NF-87剂量计的性能已接近和达到美国FWT-60剂量计的水平,能够为国内辐射加工中γ剂量测量(10~3—10~5Gy)提供一种简便快速而又可靠的监测手段。

浅杂质注入LEC半绝缘GaAsγ射线辐照缺陷

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和恒温电容瞬态等技术研究了浅杂质注入ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ的γ射线辐照缺陷。在Ｂｅ－Ｓｉ共注的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐照引入一电子陷阶Ｅ＿２，并且大大增强了原有的Ｅ＿（０１）（０．２９８）和Ｅ＿（０２）（０．３４１）等缺陷，同时明显地瓦解了原有的少子陷阱Ｈ＿（０３）。在单纯注Ｓｉ的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐阳引进了Ｅ＇＿（０１）（０．２１６），Ｅ＇＿（０２）（０．３４１），Ｅ＇＿２，Ｅ＇＿４和Ｅ＇＿５（０．６０８）等缺陷。其中Ｅ＿（０１）和Ｅ＇＿（０１）是新发现的和γ辐照有关的ＧａＡｓ缺陷。和低阻衬底同质外延ＧａＡｓ相比，Ｂｅ－Ｓｉ共注ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ具有较低的γ射线辐照缺陷引入率，与此相反，单纯注Ｓｉ的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ具有较高的γ射线辐照缺陷的引入率。

电子辐照掺锂硅中深能级

用深能级瞬态谱法,从与锂有关的缺陷的产生和锂对电照缺陷的退火的影响两个侧面,研究了不同合氧量硅中锂和电照缺陷的相互作用。指出了氧能抑制锂和电照缺陷的相互作用,只有当锂浓度不是远小于氧浓度时,锂才能有作用。E(0.17),E(0.21),E(0.38),E(0.50),H(0.42)和H(0.47)等与锂有关的缺陷分别在不同的条件下被观测到。对比了硅中氢和锂在与电照缺陷相互作用方面的相似与不同之处。

用14MeV中子轰击铌伴生γ射线研究

利用脉冲化的T(d,n)~4He中子源、伴随粒子方法、Ge(Li)探测器和飞行时间技术测量了14.9MeV中子和铌反应在30°—140°之间七个角度上的分立γ线谱;由高分辨γ谱分析程序识别了79条谱线;初步确定了62条谱线所由产生的反应类型和跃迁能级,其中有40条谱线是在由中子诱发的核反应中首次发现的.定出了每条谱线在七个角度上的微分产生截面,结果表明该反应中的伴生γ发射基本上是各向同性的.