首钢日电前工序工艺技术和未来发展

本文综述了亚微米、深亚微米集成电路工艺的主要特点、关键工艺及其实现方法,涉及高低压混载CMOS、DMOS、E^2PROM工艺。

SGNEC前工序工艺技术和未来发展

本文综述了亚微米、深亚微米集成电路工艺的主要特点、关键工艺及其实现方法，涉及高低压混载CMOS、DMOS、E^2PROM工艺。