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Cr和Mo掺杂对单层WSe_2能带结构影响的第一性原理研究
1
作者
李伟
冀圆圆
+1 位作者
戴宪起
王天兴
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第10期10058-10061,共4页
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,研究了Cr和Mo掺杂对单层WSe2能带结构的影响。计算结果表明,Mo对单层WSe2的能带结构没有影响,而Cr则影响很大。随着掺杂浓度的增加,带隙宽度逐渐减小,能带由原来的直接带隙变为了间接...
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,研究了Cr和Mo掺杂对单层WSe2能带结构的影响。计算结果表明,Mo对单层WSe2的能带结构没有影响,而Cr则影响很大。随着掺杂浓度的增加,带隙宽度逐渐减小,能带由原来的直接带隙变为了间接带隙。Cr掺杂后所产生的应力是导致能带结构发生变化的直接原因。
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关键词
掺杂
第一性原理
WSe2
Cr
Mo
能带结构
下载PDF
职称材料
题名
Cr和Mo掺杂对单层WSe_2能带结构影响的第一性原理研究
1
作者
李伟
冀圆圆
戴宪起
王天兴
机构
河南师范大学物理与电子工程学院
河南城建学院数理学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第10期10058-10061,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(11047026)
文摘
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,研究了Cr和Mo掺杂对单层WSe2能带结构的影响。计算结果表明,Mo对单层WSe2的能带结构没有影响,而Cr则影响很大。随着掺杂浓度的增加,带隙宽度逐渐减小,能带由原来的直接带隙变为了间接带隙。Cr掺杂后所产生的应力是导致能带结构发生变化的直接原因。
关键词
掺杂
第一性原理
WSe2
Cr
Mo
能带结构
Keywords
doping
abinitio
WSe2
Cr
Mo
band structure
分类号
O471.5 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Cr和Mo掺杂对单层WSe_2能带结构影响的第一性原理研究
李伟
冀圆圆
戴宪起
王天兴
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
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职称材料
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