用于RFID的EEPROM技术及IP设计

设计了一个1 kb EEPROM IP电路,包括1.2μm EEPROM工艺和EEPROM IP电路的设计。通过对电路结构的改进和对电路的优化设计,达到了低压低功耗的要求,并可以在较大的电压范围内工作。采用与CMOS工艺兼容的1.2μm EEPROM工艺进行流片,降低了生产成本,适用于RF ID系统。