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真有效值的测量及应用 被引量:4
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作者 冯乔春 《云南电力技术》 2008年第3期14-15,共2页
平均响应测量有效值的方法会因被测波形不同而存在很大误差,甚至得出错误的结果。对真有效值测量的原理和应用意义做了一个探讨。
关键词 真有效值 有效值 RMS 平均响应
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Cs_2NaYF_6:Ho^(3+)的电子光谱与能级结构分析
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作者 周贤菊 任重丹 +1 位作者 罗斌 冯乔春 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期2049-2052,共4页
综合运用稀土光谱理论、量子力学、晶体场理论对高对称稀土离子Cs2NaYF6:Ho3+的电子光谱与能级结构展开了深入的研究。4600~24000cm-1范围内不同温度下的电子吸收光谱清楚的记录了从基态到不同激发态5FJ(J=7,6,5,4),5FS(S=5,4,3),5GP(P... 综合运用稀土光谱理论、量子力学、晶体场理论对高对称稀土离子Cs2NaYF6:Ho3+的电子光谱与能级结构展开了深入的研究。4600~24000cm-1范围内不同温度下的电子吸收光谱清楚的记录了从基态到不同激发态5FJ(J=7,6,5,4),5FS(S=5,4,3),5GP(P=6,5)及3K8的跃迁。这些跃迁表现为零声子线(ZPL)及丰富的振动结构。由光谱解析结果得到50个Ho3+的能级数据,还运用标准f-shell程序进行能级拟合及晶场分析,得到Cs2NaYF6:Ho3+能级的计算值及相应的哈密顿量参数。同时,对同类冰晶石晶格中不同配体(Cs2NaYF6:Ho3+,Cs2NaYCl6:Ho3+)的能级及拟合参数进行了对比。 展开更多
关键词 Cs2NaYF6:Ho3+ 电子光谱 能级结构 晶场分析
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浅谈信息机房的日常管理和维护 被引量:1
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作者 冯乔春 陈放艺 《机电信息》 2019年第21期67-68,共2页
信息机房是一个企业在信息技术方面的名片,日新月异的信息技术决定了一个企业数字化的管理能否走在时代前沿,但是如果日常运维不规范,将严重影响信息机房运维效率。鉴于此,根据信息机房运维管理经验以及日常维护中发现的不足,对信息机... 信息机房是一个企业在信息技术方面的名片,日新月异的信息技术决定了一个企业数字化的管理能否走在时代前沿,但是如果日常运维不规范,将严重影响信息机房运维效率。鉴于此,根据信息机房运维管理经验以及日常维护中发现的不足,对信息机房在日常管理维护中存在的问题展开深入探讨,希望能对信息机房高效、稳定运行有所助益,为企业信息化工作的推进添砖加瓦。 展开更多
关键词 信息机房 KVM系统 管理 维护
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LiY_(1-x)Eu_x(MoO_4)_2 as a promising red-emitting phosphor of WLEDs synthesized by sol-gel process 被引量:3
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作者 周贤菊 周桐辉 +1 位作者 李英茂 冯乔春 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第4期315-319,共5页
A series of LiY1-xEux(MoO4)2 red-emitting phosphors were synthesized by sol-gel technique. The phase impurity and spectroscopic properties were characterized by X-ray diffraction (XRD) and photo-luminescence (PL... A series of LiY1-xEux(MoO4)2 red-emitting phosphors were synthesized by sol-gel technique. The phase impurity and spectroscopic properties were characterized by X-ray diffraction (XRD) and photo-luminescence (PL) spectra respectively. The effect of Eu3+ doping concentration, annealing temperature and the molar ratio of citric acid to the total metal cations (C:M) on the optical properties of the red phosphors were studied and optimized. It was found that all the samples could be excited efficiently by blue light (465 nm), which was well coincident with the emission of GaN based LED chips. The luminescent intensity reached maximum when annealing temperature was 750 ℃ and Eu3+ doping concentration was 5% with C:M=3:1. 展开更多
关键词 LiY1-xEux(MoO4)2 red phosphor white LEDs sol-gel technique rare earths
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