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AlGaInP/GaAs HBT发射结空间电荷区复合电流的研究 被引量：5
1
作者 顾伟东 夏冠群 +2 位作者 冯先根 吴强 P.A.HoustonA 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第10期748-754,共7页
本文采用深能级瞬态谱（DLTS）方法直接对Al0.3Ga0.22In0.48P／GaAs异质结双极型晶体管（HBT）的发射结（N－P+结）进行了测试，得到了N型AlGaInP发射区中的深能级的位置、俘获截面以及缺陷浓度．利用这些数据通过单一能级复合的Shockle... 本文采用深能级瞬态谱（DLTS）方法直接对Al0.3Ga0.22In0.48P／GaAs异质结双极型晶体管（HBT）的发射结（N－P+结）进行了测试，得到了N型AlGaInP发射区中的深能级的位置、俘获截面以及缺陷浓度．利用这些数据通过单一能级复合的Shockley－Read-Hall公式，计算了发射结空间电荷区（SCR）中的复合电流，探讨了深能级中心对HBT器件特性的影响．本文的理论分析方法可为研制高性能HBT器件所需的材料质量提高提供参考依据． 展开更多
关键词 HBT 异质结 测试 发射结 双极型晶体管
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