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GaAs材料中EPR“As_(Ga)”缺陷的本性
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作者 汪光裕 冯平义 +1 位作者 邹元爔 曾繁安 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期68-72,共5页
本文根据EPR基本理论和量子化学的一些计算结果,并对照中子辐照GaAs样品中EPR“As_(Ga)”谱线形状随退火温度变化的实验结果,认为为了揭示EPR“As_(Ga)”缺陷本性必须考虑包括As_(Ga)周围多层配位原子在内的基体磁性核对于未成对电子的... 本文根据EPR基本理论和量子化学的一些计算结果,并对照中子辐照GaAs样品中EPR“As_(Ga)”谱线形状随退火温度变化的实验结果,认为为了揭示EPR“As_(Ga)”缺陷本性必须考虑包括As_(Ga)周围多层配位原子在内的基体磁性核对于未成对电子的超精细(hf)相互作用。更进一步,本文还讨论了空位对EPR“As_(Ga)”谱线宽度和一级hf常数等影响,从而首次明确指出GaAs中EPR“As_(Ga)”可鉴别为As_(Ga)及其有关空位络合物。 展开更多
关键词 GAAS ASGA EPR 缺陷
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相对论效应和重原子簇的化学、光谱性质 被引量:5
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作者 冯平义 王岩 廖沐真 《化学通报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期25-32,共8页
介绍了作者运用多组态自洽场/组态相互作用及相对论组态相互作用的相对论从头计算方法研究重原子簇的化学、光谱性质的结果,阐明了相对论效应对重原子簇化学、光谱性质的重要影响。
关键词 相对论效应 重原子簇 原子簇
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Electronic States of Some Semiconductor Clusters
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作者 谭航 冯平义 廖沐真 《Tsinghua Science and Technology》 SCIE EI CAS 1999年第2期86-89,共4页
Potential surfaces and equilibrium geometries of InAs 2, In 2As, InAs 2 + and In 2As + were studied using the complete active space multi configuration self consistent field (CASMCSCF) technique. Two electronic stat... Potential surfaces and equilibrium geometries of InAs 2, In 2As, InAs 2 + and In 2As + were studied using the complete active space multi configuration self consistent field (CASMCSCF) technique. Two electronic states, namely 2B 2 and 2B 1, were found to prevail as the ground states for the InAs 2 and In 2As trimers, respectively. The corresponding adiabatic ionization energies were computed and the leading configurations of the ground states were analyzed according to the wavefunctions. 展开更多
关键词 electronic state equilibrium geometry semiconductor cluster complete active space multi configuration self consistent field (CASMCSCF)
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