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提高DC-DC变换器效率用高单元密度屏蔽栅功率MOSFET |
Ritu Sodhi
Ashok Challa
Jon Gladilh
Steven Sapp
Chris Rexer
冯幼明
王传敏
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《电力电子》
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2010 |
0 |
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高能效应用的第一块工业化1200V JFET模块 |
Daniel Domes
Christoph Messelke
Peter Kanschat
冯幼明
王传敏
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《电力电子》
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2011 |
0 |
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3
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650V IGBT4:可承受10μs短路时间的大电流模块用最优器件 |
A.Hartl
M.Bassler
M.Knecht
P.Kanschat
冯幼明
王传敏
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《电力电子》
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2010 |
0 |
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