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锗钨酸盐的电化学性能及GeW11Co/P-oPD/GC电极对过氧化氢的电催化还原 被引量:1
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作者 朱莉莉 屈建莹 +1 位作者 王珏 冯昊玥 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期410-415,共6页
研究了杂多酸-钴取代三聚Keggin结构锗钨酸盐([Co(H2O)3(α-GeW11CoO38)3]10-)的电化学性能.实验表明,在玻碳(GC)电极上,锗钨酸盐循环伏安曲线呈现2对可逆的氧化还原峰,峰电位差分别为31 mV和35 mV,各对应于2电子4质子和2电子3质子电极... 研究了杂多酸-钴取代三聚Keggin结构锗钨酸盐([Co(H2O)3(α-GeW11CoO38)3]10-)的电化学性能.实验表明,在玻碳(GC)电极上,锗钨酸盐循环伏安曲线呈现2对可逆的氧化还原峰,峰电位差分别为31 mV和35 mV,各对应于2电子4质子和2电子3质子电极反应,其过程受表面吸附控制.经过电聚合将GeW11Co修饰于聚邻苯二胺(P-oPD/GC)电极表面,制得GeW11Co/P-oPD/GC电极.该电极对过氧化氢(H2O2)的还原有良好的电催化作用,且制作简便,性能稳定,响应快速. 展开更多
关键词 杂多酸 聚邻苯二胺 化学修饰电极 电催化还原 过氧化氢
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