用于材料改性的宽束离子源现状及其发展

本文叙述了对材料表面改性的宽束离子源的要求，重点介绍了考夫曼型气体离子源及电子束蒸发强流金属离子源，也介绍了ＲＦ、ＥＣＲ离子源及ＭＥＶＶＡ源。

光学薄膜制备用的多离子束电子束系统

本文介绍一种新型的光学薄膜制备用多离子束电子束系统。该系统既可采用聚焦离子束溅射沉积，也可采用传统的电子束蒸发沉积薄膜，并辅助以低能离子轰击，离子可以是惰性元素也可以是反应气体离子。系统的特征是：任何与真空相容的材料均可用作靶材，制备薄膜。系统采用一台１０ｃｍ直径宽束离子源作为辅助沉积；二台特殊设计的聚焦离子源用于溅射沉积。为了能对绝缘样品或在沉积绝缘薄膜时对离子束进行有效而无污染的中和，系统还配置了一台新型的宽束电子源。文中对装置的特点，各个离子源、电子源的性能及特性进行了较详细的描述。利用该系统已制备了如ＴｉＯｘ、ＺｒＯｘ和多层ＺｒＯ２／ＳｉＯ２等特殊的光学薄膜。

薄膜制备用电子束蒸发强流气固两用离子源

介绍了一种新型的电子束蒸发（EBE）强流气、固两用离子源，其基本原理是将电子束蒸发技术引人离子源放电室内，使材料的蒸发和游离在同一放电室内完成。该源不仅能引出包括各种难熔材料在内的强流金属和非金属离子束，而且能同时引出气态和固态元素的混合离子束。迄今为止，已引出包括C，W，Ta，Mo，Cr，Ti，B，Cu，Ni，Al，Ar，N以及C和N，Ti等的混合离子束。用于薄膜制备的引出束径为3．6cm，其最大引出束流可达到90mA。利用此源引出的离子束流可在膜基间形成具有良好共混的过渡层，其沉积速率Mo约为2．5nm／s，C可达到8nm／s。

高质量光学薄膜制备用新型无栅霍尔离子束辅助镀膜系统

介绍一种无栅霍尔离子束辅助镀膜系统。并对该系统的特点、性能和应用结果作了叙述。

辅助镀膜用K系列强流宽束考夫曼离子源

文章介绍了新型K系列多会切场强流宽束离子源（MCLB-8，16，18）。由于采用新型多会切磁场和优化的引出系统，该系列源在薄膜辅助沉积的能量（200-1000eV）范围内，具有良好的低能特性和束流分布均匀性，可使用反应气体或惰性气体工作。因此该系列源可用于各种高性能薄膜制备的大面积辅助沉积，也可用于制备大面积类金钢石膜（DLC）。文中介绍了该系列源的结构及性能。

16厘米低能强流宽束离子源

介绍了一个新型16厘米束径多会切磁场低能强流宽束离子源(MCLB-16)。由于采用新型多会切磁场和优化的低能引出系统,所以该源在薄膜辅助沉积的能量(200eV～800eV)范围内,具有较好的低能特性。源的最大引出束流可达650mA。可用反应气体或惰性气体工作。源在使用氧气时,可连续工作数十小时。该源可用于各种高性能薄膜制备的辅助沉积,也可用于制备大面积类金钢石膜(DLC)。叙述了该源的结构及性能。