碳化硅衬底精密加工技术

介绍了一种包含多线切割、研磨、抛光等主要工序的75 mm(3英寸)碳化硅衬底精密加工技术,该技术成功对本单位自主研制的碳化硅衬底进行精密加工。实验过程中使用了几何参数测试仪、强光灯、微分干涉显微镜(DIC)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)等检测手段对加工工艺效果进行监控。通过该技术制备出了几何尺寸参数良好、表面质量优良的碳化硅晶片。

3英寸半绝缘4H-SiC单晶的研制

报道了采用物理气相传输（PVT）法进行SiC单晶生长方面取得的最新进展，成功研制得到固态微波器件急需的3英寸（75mm）半绝缘4H-SiC衬底。使用计算机模拟技术，进行了3英寸（75mm）4H—SiC晶体生长的热场设计，并在此基础上研制出适合3英寸（75mm）4H．SiCPVT生长的晶体生长设备，采用喇曼光谱对晶体生长表面5点进行测试，结果均为单一的4H晶型，采用非接触电阻率面分布（COREMA）方法测得晶片电阻率为10^9-10^12ΩQ·cm。微管道缺陷（MPD）测量采用熔融KOH腐蚀法，测得平均微管道密度为104个／cm。，其中晶片的30％区域微管道缺陷小于10个／cm2使用x射线双晶衍射测试得到其半高宽（FWHM）为31arcsec，说明所获得的晶体具有良好的结晶完整性。

半绝缘SiC单晶电阻率均匀性研究

采用非接触电阻率面分布（COREMA）方法对本实验室生长得到的2英寸（50mm）4H和6H晶型半绝缘SiC单晶片进行电阻率测试，结果发现数据的离散性大，低者低于测试系统下限10^5Ω·cm高者高于其上限10^12Ω·cm，甚至在同一晶片内会出现小于10^5Ω·cm，10^5～10^12Ω·cm和大于10^12^12Ω·cm的不同区域，而有的晶片则电阻率的均匀性较好。将SiC电阻率测试结果与二次离子质谱（SIMS）对晶体内主要杂质V，B和N含量测试结果相结合，初步探讨得到引起掺钒SiC单晶电阻率的高低及均匀性的变化由补偿方式决定，在深受主补偿浅施主模式下，V的浓度控制在2×10^16-3×10^17cm-3，N的浓度控制在1×10^16cm-3左右，深受主钒充分补偿浅施主氮，制备得到的SiC单晶具有半绝缘性，且电阻率均匀性好。

非接触半绝缘SiC电阻率测试

半绝缘碳化硅单晶(SI-SiC)是非常具有吸引力的大功率电子器件衬底材料,目前已越来越多地引起了人们的重视。其晶片电阻率的测试一直是一个难题。介绍了一种非接触电阻率测试方法,可以有效地解决这一难题。该方法利用电容充放电原理。首先对样品进行瞬时充电,再利用仪器实时检测放电过程中的总电量,从而得到其变化的弛豫曲线,之后对该曲线进行数学分析得到弛豫时间τ,最后利用弛豫时间τ计算出半绝缘碳化硅单晶的电阻率。实际测试时,先将晶片表面划分为若干等面积的小区域,再利用仪器逐个测试这些区域的电阻率,最后将所有电阻率的数据处理成一张电阻率分布图。该方法对半绝缘材料的研究工作具有积极的指导作用。

PVT生长掺V SiC单晶的扫描电镜二次电子像衬度

在用SEM观察沿单晶生长方向切割掺V SiC晶片时,发现其二次电子像存在衬度。表现为先生长部分较明亮,后生长部分较暗淡,中间存在明显突变。在用PVT生长掺V SiC单晶时,SiC单晶中同时含有浅施主N和深受主杂质V是补偿半导体。从补偿半导体载流子浓度计算出发,建立了二次电子像衬度与载流子浓度的对应关系,很好解释了这一实验现象。结果表明,SiC单晶生长过程中随着浅施主N的减少,n型载流子的浓度逐步减少;当其浓度与V相当时,载流子浓度突变,可瞬间减少10个量级,此后又缓慢减少。正是这种载流子的突变引发了扫描电镜二次电子像衬度。

慢性乙型肝炎患者的心理障碍探讨

慢性乙型肝炎(慢乙肝)患者的心理障碍,对治疗和预后产生严重的负面影响,通过心理干预或治疗、健康教育、认识矫正、家庭社会支持,有助于提高对疾病的认知能力,提高心理自控能力,增强战胜疾病的信心,取得相对满意的效果。

碳化硅晶体中异质包裹物与微管道缺陷的关系

对物理气相传输法(PVT)生长的碳化硅单晶中异质包裹物与微管道缺陷之间的关系进行了研究。首先对生长系统中的气体组分进行热力学分析,进而对碳化硅晶片作光学显微镜和扫描电子显微镜观测,在此基础上分析了异质包裹物的生成及其对微管道缺陷产生的影响。发现在生长初期富硅的气氛会在晶体中引入异质相,而异质相的化学计量比失衡会成为诱发微管产生的源头。

隐匿性HBV感染致慢加急重型肝炎1例

乙肝病毒（}玎BV）是一种嗜肝病毒，血清标志物（HBV-M）检测是乙型肝炎感染的重要依据。隐匿性HBV感染是血清HBsAg阴性，但血清和（或）肝组织中HBV DNA阳性，可有血清抗-HBs、抗-I-HBe和（或）抗-HBc阳性。可表现为无症状携带者，其临床症状表现缺如，隐匿性发展，可发生肝炎后肝硬化及肝细胞癌。如果诱因出现，体内病毒可大量复制，激活体内的免疫功能，HbsAg阳转，可以出现急性重型肝炎的表现，易被误诊为急性重肝炎诊断，不能及时诊断，失去治疗时机，延误治疗。

掺V6H-SiC单晶生长表面V析出相研究

采用扫描电镜(SEM)和光学显微镜(OM)观察物理气相传输(PVT)法生长掺V6H-SiC单晶新鲜表面时,发现具有特定形状的析出相,经SEM能谱(EDX)测试确定析出相的主要成分是V,推断其在单晶生长结束后的降温过程中产生。通过对V析出相的进一步研究发现其在数量、尺寸以及方向上都与单晶生长中心具有一定的关系,具有特定的分布规律,任何一个视场,析出相的取向只有两种,且数量相当,这一结果说明结晶动力学对V的掺入具有一定的影响;当结晶温度较高时,这种影响不明显,但随着结晶区温度的降低,影响加剧,从而出现析出相,且析出相的结晶行为完全受晶体表面形貌的制约。

碳化硅单晶切割技术研究

碳化硅单晶材料是第三代宽禁带半导体材料的代表,对电子产业的发展起到强有力的支撑。晶片加工技术是器件生产的重要基础和基本保证,任何具有优异特性的材料只有在成功有效的加工技术下才能发挥实际效能。本文介绍了切割工艺,通过工艺实验及对实验结果的分析,确定了切割工艺参数。

塞外寒区军人肺结核发病情况调查

塞外寒区军人肺结核发病情况调查李静冯玢李传元（解放军第三二二医院，山西大同，０３７００６）我院地处塞外寒区，体系部队分散于结核病高发区。为切实做好部队肺结核病防治工作，我们对近年来收治的军人肺结核发病情况进行了调查分析。１资料与方法（１）资料：为１９...

物理汽相传输法生长掺钒碳化硅单晶新鲜表面的实验研究

采用SEM观察物理汽相传输(PVT)法生长掺钒SiC单晶新鲜表面时,发现有特定形状的析出相,经SIMS、SEM能谱(EDX)、XRD、台阶仪综合分析,确定析出相的主要成分是钒,且是凸起的,推断其在单晶生长降温过程中产生。

PVT法掺钒SiC单晶生长电阻率变化规律研究

在采用COREMA方法测试SiC晶片电阻率时发现同一晶片电阻率相差较大,主要体现在高阻(>105Ω.cm量级)和低阻(<105量级)并存,有的甚至超高阻(>1012量级)和低阻并存,针对这一测试结果,开展了相关的实验研究,SiC单晶半绝缘性能的实现是通过在单晶生长过程中掺入深能级杂质V来补偿浅施主N和浅受主B,利用二次质谱(SIMS)对同一晶片不同区域的杂质元素V、N和B含量进行测试,结果发现晶片中V和N的含量都在1×1017量级时会出现同一晶片不同区域电阻率相差较大的情况,而当V含量在1×1017量级,N含量在5×1016量级以下时,可制备电阻率均匀性好的半绝缘SiC单晶。

浅谈如何培养正确的钢琴练习方法

练习,是钢琴学习过程中最重要的环节。任何一门知识的学习和掌握都离不开练习。与那些纯理论的学科相比,钢琴演奏技巧是建立在人体运动器官肌肉习惯基础上的技巧。