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题名Mg-N阴阳离子共掺杂SnO2的第一性原理研究
被引量:1
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作者
何海英
冯秋浴
陈宇
杨至灏
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机构
佛山科学技术学院材料科学与能源工程学院
广东省柔性电子材料和印刷电子技术工程研究中心
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出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第2期234-238,共5页
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基金
国家自然科学基金(11747090)。
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文摘
基于密度泛函理论,利用第一性原理计算Mg-N阴阳离子双受主共掺杂SnO2的电子结构、电荷密度分布和缺陷形成能。Mg、N分别取代SnO2晶体中的Sn和O,掺杂浓度分别为4.17at%、2.08at%,Mg-N键之间的共价性明显高于Sn-O键,富氧条件下,Mg-N共掺杂的缺陷形成能为2.67 eV,有利于进行有效的受主替代掺杂。Mg单受主掺杂SnO2时,增加了带隙宽度,费米能级进入价带,Mg-N共掺杂SnO2时,带隙窄化,表现出明显的p型导电类型。
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关键词
SNO2
Mg-N共掺杂
第一性原理
电子结构
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Keywords
SnO2
Mg-N co-doped
first-principle
electronic structure
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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