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V_(2)NO_(2)/TiSi_(2)N_(4)异质结界面性质调控的理论研究
1
作者 冯继辰 马宁 牛丽 《高师理科学刊》 2024年第1期51-55,共5页
使用第一性原理计算研究了外加电场对V_(2)NO_(2)/TiSi_(2)N_(4)异质结构接触类型和肖特基势垒的调控.计算结果表明,外电场可以有效地调控V_(2)NO_(2)/TiSi_(2)N_(4)肖特基势垒的高度及其异质结的接触类型.正负向外电场均能实现V_(2)NO_... 使用第一性原理计算研究了外加电场对V_(2)NO_(2)/TiSi_(2)N_(4)异质结构接触类型和肖特基势垒的调控.计算结果表明,外电场可以有效地调控V_(2)NO_(2)/TiSi_(2)N_(4)肖特基势垒的高度及其异质结的接触类型.正负向外电场均能实现V_(2)NO_(2)/TiSi_(2)N_(4)异质结构p型与n型肖特基接触之间的动态转化.此项工作为基于TiSi_(2)N_(4)半导体的肖特基功能器件及场效应晶体管的应用提供理论基础. 展开更多
关键词 MXenes 异质结 肖特基势垒 第一性原理 MA_(2)Z_(4)
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