氧化铁超微粉相变过程研究

对用低温ＰＣＶＤ方法制备的氧化铁超微粉从初始生成态到８００℃退火后不同阶段的晶化和相变过程进行了较系统的研究。结果表明，初始生成物为β－Ｆｅ＿２Ｏ＿３，退火后逐渐转变为γ－Ｆｅ＿２Ｏ＿３，继而转变为α－Ｆｅ＿２Ｏ＿３，到８００℃形成单一的α－Ｆｅ＿２Ｏ＿３，这些相变和晶化过程是一种缓慢的渐变过程。

MO-PECVD SnO_(2-x)气敏薄膜

以金属有机化合物(MO)四甲基锡[sn(CH_3)_4]为源物质,利用等离子体增强化学气相沉积技术,分别在单晶硅片、三氧化二铝陶瓷基片上淀积了纯净的SnO_(2-x)薄膜,对淀积的一些工艺条件,膜的结构、成分和薄膜元件的气敏性能进行了研究,并与普通PECVDSnO_(2-x)薄膜元件的气敏性能作了比较,对SnO_(2-x)膜的气敏机理作了探讨。

氧化铁超微粉相变过程研究

对用低温ＰＣＶＤ方法制备的氧化铁超微粉从初始生成态到８００℃退火后不同阶段的晶化和相变过程进行了较系统的研究。结果表明，初始生成物为β－Ｆｅ２Ｏ３，退火后逐渐转变为γ－Ｆｅ２Ｏ３，到８００℃形成单一的α－Ｆｅ２Ｏ３，这睦相变和晶化过程是一种缓慢的渐变过程．

制备方法对SnO_2超微粉气敏性的影响

本文采用透射电镜（ＴＥＭ），光电子能谱（ＸＰＳ）等手段，对溶液沉淀法和低温等离子体法制备的ＳｎＯ２超微粉的微结构进行了分析比较．通过计算得到了它们的表面氧吸附活化能值，说明不同的制备方法对粉料的活性有很大影响，从而影响用这种粉料制备的气敏元件的气敏特性．