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一种基于BSIM4的屏蔽栅沟槽MOSFET紧凑型模型
被引量:
1
1
作者
江逸洵
乔明
+4 位作者
高文明
何小东
冯骏波
张森
张波
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第17期201-212,共12页
提出了一种基于BSIM4的屏蔽栅沟槽MOSFET紧凑型模型.在直流模型中使用两端电势建立JFET区等效电阻模型,并引入电子扩散区等效电阻,解决了因忽视JFET区源端电势导致的电流存在误差的问题.在电容模型中,漏源电容模型在BSIM4的基础上添加...
提出了一种基于BSIM4的屏蔽栅沟槽MOSFET紧凑型模型.在直流模型中使用两端电势建立JFET区等效电阻模型,并引入电子扩散区等效电阻,解决了因忽视JFET区源端电势导致的电流存在误差的问题.在电容模型中,漏源电容模型在BSIM4的基础上添加了屏蔽栅-漏等效电容模型,栅漏电容模型将栅漏偏置电压修改为栅极同栅-漂移区重叠区末端节点的电势差.使用泊松方程求解该节点电势,并引入栅氧厚度因子k1、屏蔽栅氧化层厚度因子k2、等效栅-漂移区重叠长度Lovequ和等效屏蔽栅长LSHequ对栅和屏蔽栅的结构进行等效,以简化泊松方程的计算并确保该节点电势曲线的光滑性.使用Verilog-A编写模型程序,搭建实验平台测试屏蔽栅沟槽MOSFET的直流特性、电容特性和开关特性,模型仿真结果与测试数据有较好的拟合,验证了所建模型的有效性.
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关键词
屏蔽栅沟槽MOSFET
紧凑型模型
BSIM4
VERILOG-A
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职称材料
题名
一种基于BSIM4的屏蔽栅沟槽MOSFET紧凑型模型
被引量:
1
1
作者
江逸洵
乔明
高文明
何小东
冯骏波
张森
张波
机构
电子科技大学
无锡华润上华科技有限公司
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第17期201-212,共12页
文摘
提出了一种基于BSIM4的屏蔽栅沟槽MOSFET紧凑型模型.在直流模型中使用两端电势建立JFET区等效电阻模型,并引入电子扩散区等效电阻,解决了因忽视JFET区源端电势导致的电流存在误差的问题.在电容模型中,漏源电容模型在BSIM4的基础上添加了屏蔽栅-漏等效电容模型,栅漏电容模型将栅漏偏置电压修改为栅极同栅-漂移区重叠区末端节点的电势差.使用泊松方程求解该节点电势,并引入栅氧厚度因子k1、屏蔽栅氧化层厚度因子k2、等效栅-漂移区重叠长度Lovequ和等效屏蔽栅长LSHequ对栅和屏蔽栅的结构进行等效,以简化泊松方程的计算并确保该节点电势曲线的光滑性.使用Verilog-A编写模型程序,搭建实验平台测试屏蔽栅沟槽MOSFET的直流特性、电容特性和开关特性,模型仿真结果与测试数据有较好的拟合,验证了所建模型的有效性.
关键词
屏蔽栅沟槽MOSFET
紧凑型模型
BSIM4
VERILOG-A
Keywords
shield-gate trench MOSFET
compact model
BSIM4
Verilog-A
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种基于BSIM4的屏蔽栅沟槽MOSFET紧凑型模型
江逸洵
乔明
高文明
何小东
冯骏波
张森
张波
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
1
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