根据核探测器前端电子学的特点,改进传统的低压差电压稳压器(Low Drop-Out regulator,LDO)结构,得到对外部电容容值和等效串联电阻(Equivalent Series Resistance,ESR)鲁棒的新型LDO,特别适合于核探测器的前端电子学领域。这一新型LDO...根据核探测器前端电子学的特点,改进传统的低压差电压稳压器(Low Drop-Out regulator,LDO)结构,得到对外部电容容值和等效串联电阻(Equivalent Series Resistance,ESR)鲁棒的新型LDO,特别适合于核探测器的前端电子学领域。这一新型LDO结构对负载电容的鲁棒性比较强,而且电压净空低于200 mV,可以提升电源的效率。此外,这一结构电源的负载瞬态恢复时间比较小,小于400 ns,适用于模拟电路和模拟数字混合电路。本设计采用美国IBM公司的130 nm制程互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺,为北京谱议(BESIII)的CGEM(Cylindrical Gas Electron Multipliers)探测器的前端电子学设计做电源供电;并为LHC(Large Hadron Collider)的第三代像素探测器的电源供电做技术储备。展开更多
文摘根据核探测器前端电子学的特点,改进传统的低压差电压稳压器(Low Drop-Out regulator,LDO)结构,得到对外部电容容值和等效串联电阻(Equivalent Series Resistance,ESR)鲁棒的新型LDO,特别适合于核探测器的前端电子学领域。这一新型LDO结构对负载电容的鲁棒性比较强,而且电压净空低于200 mV,可以提升电源的效率。此外,这一结构电源的负载瞬态恢复时间比较小,小于400 ns,适用于模拟电路和模拟数字混合电路。本设计采用美国IBM公司的130 nm制程互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺,为北京谱议(BESIII)的CGEM(Cylindrical Gas Electron Multipliers)探测器的前端电子学设计做电源供电;并为LHC(Large Hadron Collider)的第三代像素探测器的电源供电做技术储备。
