期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
化学沉积Ni-Mo-P合金及其性能
被引量:
9
1
作者
王森林
蓝心仁
+3 位作者
黄婷婷
金君默
凌继贝
陈志明
《电化学》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期182-187,共6页
以柠檬酸钠为络合剂、硼酸为缓冲剂在碱性介质中化学沉积Ni-Mo-P合金,用浸泡实验和阳极极化实验系统研究了不同工艺条件下所得镀层在3.5%(bymass)NaCl介质的耐腐蚀性能.考察工艺参数(pH和多钼酸根离子浓度)对沉积速率、镀层组成、结构...
以柠檬酸钠为络合剂、硼酸为缓冲剂在碱性介质中化学沉积Ni-Mo-P合金,用浸泡实验和阳极极化实验系统研究了不同工艺条件下所得镀层在3.5%(bymass)NaCl介质的耐腐蚀性能.考察工艺参数(pH和多钼酸根离子浓度)对沉积速率、镀层组成、结构和显微硬度的影响.实验发现,沉积工艺对镀层硬度有影响,但对镀层结构几乎无影响.镀层中钼含量越高,其硬度也越大.但多钼酸根离子在沉积过程中起阻碍作用,致使镀层中钼含量不高(不超过20%,byatom).Ni-Mo-P合金镀层具有较好的耐腐蚀性;由不同工艺条件所得的镀层其耐腐蚀能力不同,但各镀层在NaCl溶液中的阳极极化行为相似.浸泡实验与阳极极化实验结果基本吻合.
展开更多
关键词
化学沉积
合金
镍
钼
性能
下载PDF
职称材料
直拉单晶硅片“黑心”现象性质分析
2
作者
陈文浩
凌继贝
周浪
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期348-353,共6页
对一种黑心片样品进行了分析。在确认黑心区为低少子寿命区的基础上,发现其电阻率明显偏高;发现黑心区经Secco刻蚀后,表面密布重叠圆形蚀坑,但与普通位错蚀坑有明显特征性区别;从其密度、形状与出现条件来看,它与电子半导体业中普遍报...
对一种黑心片样品进行了分析。在确认黑心区为低少子寿命区的基础上,发现其电阻率明显偏高;发现黑心区经Secco刻蚀后,表面密布重叠圆形蚀坑,但与普通位错蚀坑有明显特征性区别;从其密度、形状与出现条件来看,它与电子半导体业中普遍报告的氧化堆垛层错(OSF)也不一致;进一步发现黑心区经Sirtle刻蚀后,表面呈现典型的大小明显不同的两种漩涡缺陷蚀坑,其密度明显低于上述Secco蚀坑。根据所得结果推测:黑心区主要密布一种性质上与普通位错相近,而所造成晶格畸变特征与范围不同于普通位错的晶格缺陷,它不属于已知的OSF微缺陷,而可能是一种由结晶生长过程中过饱和氧沉淀诱发形成的位错环;此外,黑心区还含有少量漩涡缺陷。
展开更多
关键词
单晶硅
黑心
位错环
漩涡缺陷
下载PDF
职称材料
题名
化学沉积Ni-Mo-P合金及其性能
被引量:
9
1
作者
王森林
蓝心仁
黄婷婷
金君默
凌继贝
陈志明
机构
华侨大学材料科学与工程学院
出处
《电化学》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期182-187,共6页
基金
福建省自然科学基金(E0210020)资助
文摘
以柠檬酸钠为络合剂、硼酸为缓冲剂在碱性介质中化学沉积Ni-Mo-P合金,用浸泡实验和阳极极化实验系统研究了不同工艺条件下所得镀层在3.5%(bymass)NaCl介质的耐腐蚀性能.考察工艺参数(pH和多钼酸根离子浓度)对沉积速率、镀层组成、结构和显微硬度的影响.实验发现,沉积工艺对镀层硬度有影响,但对镀层结构几乎无影响.镀层中钼含量越高,其硬度也越大.但多钼酸根离子在沉积过程中起阻碍作用,致使镀层中钼含量不高(不超过20%,byatom).Ni-Mo-P合金镀层具有较好的耐腐蚀性;由不同工艺条件所得的镀层其耐腐蚀能力不同,但各镀层在NaCl溶液中的阳极极化行为相似.浸泡实验与阳极极化实验结果基本吻合.
关键词
化学沉积
合金
镍
钼
性能
Keywords
Electroless deposition, Alloy, Nickel, Molybdenum, Property
分类号
TQ153 [化学工程—电化学工业]
下载PDF
职称材料
题名
直拉单晶硅片“黑心”现象性质分析
2
作者
陈文浩
凌继贝
周浪
机构
南昌大学光伏研究院
江西豪安能源科技有限公司
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期348-353,共6页
基金
国家自然科学基金(51361022)
文摘
对一种黑心片样品进行了分析。在确认黑心区为低少子寿命区的基础上,发现其电阻率明显偏高;发现黑心区经Secco刻蚀后,表面密布重叠圆形蚀坑,但与普通位错蚀坑有明显特征性区别;从其密度、形状与出现条件来看,它与电子半导体业中普遍报告的氧化堆垛层错(OSF)也不一致;进一步发现黑心区经Sirtle刻蚀后,表面呈现典型的大小明显不同的两种漩涡缺陷蚀坑,其密度明显低于上述Secco蚀坑。根据所得结果推测:黑心区主要密布一种性质上与普通位错相近,而所造成晶格畸变特征与范围不同于普通位错的晶格缺陷,它不属于已知的OSF微缺陷,而可能是一种由结晶生长过程中过饱和氧沉淀诱发形成的位错环;此外,黑心区还含有少量漩涡缺陷。
关键词
单晶硅
黑心
位错环
漩涡缺陷
Keywords
mono-crystalline silicon
black core
dislocation loop
swirl defect
分类号
TK514 [动力工程及工程热物理—热能工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
化学沉积Ni-Mo-P合金及其性能
王森林
蓝心仁
黄婷婷
金君默
凌继贝
陈志明
《电化学》
CAS
CSCD
北大核心
2005
9
下载PDF
职称材料
2
直拉单晶硅片“黑心”现象性质分析
陈文浩
凌继贝
周浪
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部