铜/钼/铜电子封装材料的轧制复合工艺

采用不同轧制复合工艺制备了铜/钼/铜复合板;利用超声检测仪、万能材料试验机等研究了首道次压下率和退火温度对复合板结合强度及热导率的影响,在此基础上确定了其轧制复合工艺。结果表明:采用首道次压下率为60%、退火温度为700℃、保温时间为60 min的是较理想的工艺,其界面结合强度可达到80 N.mm-1,其厚度方向的热导率为210 W.m-1.K-1。

真空负荷开关触头材料WCu10～15介绍

介绍了经高温烧结骨架、渗铜工艺制取的WCu10～15,它具有严密而牢固的网络结构,能很好地满足真空负荷开关的要求。

电火花加工用钨铜电极制造工艺研究

采用冷等静压（ＣＩＰ）成型→烧结→熔渗→热等静压（ＨＩＰ）处理工艺制取高密度、高性能电火花加工用ＷＣｕ电极材料。热等静压处理使ＷＣｕ电极性能有较大幅度的提高。

用热等静压制取铜铬系真空触头材料

介绍了用热等静压方法制备全致密铜铬、铜铬铁真空触头材料的工艺和经验，对国内三种主要生产钢铬真空触头的方法进行了分析和对比。实验数据表明，用热等静压生产的铜铬铁真空触头在密度、耐压、截流值等方面具有明显地点，开断能力与CuCr50相当。

钨铜触头材料的热等静压处理

研究了钨铜触头材料的热等静压(HIP)处理。触头材料通过混合、压制、预烧结、熔渗制成。在低于铜的熔点温度和90～100MPa压力下进行HIP。试验结果表明,对于W60Cu40触头材料,HIP后密度由12.7～12.8g/cm_3高到13.2～13.3g/cm_3;硬度由HRB50～70提高到HRB80;抗弯强度由550～750MPa提高到高于1000MPa,电导率可以稳定地达到大于60％IACS。认为钨铜的HIP可以消除工件中的疏松、缩孔和熔渗缺陷,其机制与热等静压铸造合金相似。对于具有连通至表面的上述缺陷,则热等静压无效。试验结果也表明,从提高密度考虑,对于含铜低至20％左右的钨铜材料,HIP也有良好效果。

钨铜材料的热等静压处理

研究了钨铜材料的热等静压处理。试验材料为W—Cu40。热等静压前,它是通过混合、压制成型,预烧结和熔渗铜制得。热等静压在低于铜的熔点和90—100MPa压力下进行。测定了热等静压前后坯料和试样的密度、硬度、抗弯强度和导电率。证明,热等静压可使W—Cu40坯料的密度从12.7—12.8g/cm^3达到13.2—13.3g/cm^3,接近完全致密化,它消除了熔渗状态的缩孔、疏松和熔渗不良等缺陷,从而提高和改善了硬度、强度和导电度等性能,试验亦表明,W—Cu20材料的热等静压亦有良好效果。

电火花加工用WCu电极材料研究

采用冷等静压（ＣＩＰ）成型─—烧结─—熔渗─—热等静压（ＨＩＰ）处理工艺制取高密度、高性能电火花加工用ＷＣｕ电极材料。使ＷＣｕ电极性能有较大幅度的提高。