针对宽带单片微波集成电路(MMIC)功率放大器在匹配过程中存在电路枝节复杂、优化周期较长的问题,采用了低Q值多节LC匹配网络的方法,并结合阻抗在Smith圆图上的变化趋势,能快速确定输出级阻抗匹配网络的结构。基于0.25μm GaN HEMT工艺,...针对宽带单片微波集成电路(MMIC)功率放大器在匹配过程中存在电路枝节复杂、优化周期较长的问题,采用了低Q值多节LC匹配网络的方法,并结合阻抗在Smith圆图上的变化趋势,能快速确定输出级阻抗匹配网络的结构。基于0.25μm GaN HEMT工艺,设计了一种S波段MMIC功率放大器。采用多节LC电抗匹配单元,快速准确地设计了匹配电路,简化了电路设计流程。仿真结果表明,在2~4GHz工作频率范围内,输出功率大于38dBm,功率附加效率为29%~48.8%,功率增益为19.0~20.4dB,S11小于-7.7dB,S22小于-9.2dB。芯片尺寸为3mm×1.7mm。该功率放大器具有较高的实用价值。展开更多
文摘针对宽带单片微波集成电路(MMIC)功率放大器在匹配过程中存在电路枝节复杂、优化周期较长的问题,采用了低Q值多节LC匹配网络的方法,并结合阻抗在Smith圆图上的变化趋势,能快速确定输出级阻抗匹配网络的结构。基于0.25μm GaN HEMT工艺,设计了一种S波段MMIC功率放大器。采用多节LC电抗匹配单元,快速准确地设计了匹配电路,简化了电路设计流程。仿真结果表明,在2~4GHz工作频率范围内,输出功率大于38dBm,功率附加效率为29%~48.8%,功率增益为19.0~20.4dB,S11小于-7.7dB,S22小于-9.2dB。芯片尺寸为3mm×1.7mm。该功率放大器具有较高的实用价值。