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自组装法制备聚合物纳米复合膜的新进展 被引量:8
1
作者 刘之景 王克逸 +1 位作者 朱俊 张凯 《膜科学与技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期50-52,共3页
介绍了自组装法制备聚合物纳米复合膜的几种最新技术 :化学吸附法、分子沉积法、旋涂法 .这些方法操作简单 ,膜的结构稳定性较高 ,利用它们可以制备各种功能化的聚合物纳米复合膜 ,从而实现薄膜的光、电、磁、非线性光学等的功能化 .由... 介绍了自组装法制备聚合物纳米复合膜的几种最新技术 :化学吸附法、分子沉积法、旋涂法 .这些方法操作简单 ,膜的结构稳定性较高 ,利用它们可以制备各种功能化的聚合物纳米复合膜 ,从而实现薄膜的光、电、磁、非线性光学等的功能化 .由此 ,这些方法受到国内外的广泛重视 . 展开更多
关键词 自组装法 制备 聚合物纳米复合膜 进展 化学吸附法 分子沉积方法 旋涂法
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CVD金刚石薄膜取向生长研究现状 被引量:3
2
作者 刘之景 周海洋 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期95-97,共3页
单晶衬底上外延生长金刚石薄膜一直是 VCD金刚石技术领域的重要研究方向之一 ,近年来这方面的研究取得了长足的进步。回顾了金刚石取向膜的研究史 ,介绍了提高金刚石膜取向度的方法和目前对金刚石取向膜生长过程、生长机理研究取得的进... 单晶衬底上外延生长金刚石薄膜一直是 VCD金刚石技术领域的重要研究方向之一 ,近年来这方面的研究取得了长足的进步。回顾了金刚石取向膜的研究史 ,介绍了提高金刚石膜取向度的方法和目前对金刚石取向膜生长过程、生长机理研究取得的进展及金刚石取向膜具有独特优异性能的实验研究。 展开更多
关键词 CVD 金刚石薄膜 取向生长 薄膜取向
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等离子体技术在医用生物材料的应用 被引量:6
3
作者 刘之景 李鑫辉 《生物医学工程学杂志》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期91-94,共4页
主要介绍等离子体技术在眼科材料、药物释放系统、组织培养材料。
关键词 等离子体技术 生物材料 生物相容性
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芯片加工中的器件损伤 被引量:1
4
作者 刘之景 刘晨 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期33-35,共3页
分析了芯片加工中器件损伤的物理机制并给出了减小损伤的方法。
关键词 芯片加工 器件损伤 高有效源 半导体集成电路
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等离子体刻蚀加工中的器件损伤 被引量:2
5
作者 刘之景 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1999年第5期13-14,共2页
】介绍了器件损伤概念,强调了研究其的重要性。
关键词 器件损伤 等离子体刻蚀 各向异性
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等离子体充电损伤对氧化门厚度的依赖关系 被引量:1
6
作者 刘之景 刘晨 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2000年第3期8-10,37,共4页
介绍了氧化门厚度在 8~ 2 0nm范围内等离子体充电损伤随其厚度减小而变得严重。但是 ,当氧化门厚度减小到 4nm以下时 ,这种超薄氧化门比起厚一些的氧化门对充电损伤具有更好的免疫性 ,对隧道电流具有极好的承受能力。分析了上述两种氧... 介绍了氧化门厚度在 8~ 2 0nm范围内等离子体充电损伤随其厚度减小而变得严重。但是 ,当氧化门厚度减小到 4nm以下时 ,这种超薄氧化门比起厚一些的氧化门对充电损伤具有更好的免疫性 ,对隧道电流具有极好的承受能力。分析了上述两种氧化门厚度范围内等离子体充电损伤的不同机理。 展开更多
关键词 充电损伤 超薄氧化 等离子体加工 集成电路 ULSI
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_(10)Ne^(q+)(q=1,4,5)与H和He碰撞的电荷剥离截面 被引量:1
7
作者 刘之景 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期100-102,共3页
研究了 10 Neq+ (q =1,4 ,5)分别与中性原子 H和 He碰撞的电荷剥离截面 ,计算了10 Neq+的电势函数和电子动量分布。所用的公式和计算程序可以推广应用于任何一个多电荷离子 ,因而具有一定的普适性。
关键词 多电荷离子 电荷剥离截面 二体碰撞
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经典电磁学与现代化内容相结合的教学探索 被引量:13
8
作者 刘之景 《大学物理》 1998年第9期35-37,共3页
介绍了经典电磁学与现代化内容相结合的一些教学研究.
关键词 电磁学 教学 现代化 高校 物理教学
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等离子作加工中的计算机建模
9
作者 刘之景 刘晨 《表面技术》 EI CAS CSCD 1999年第2期26-28,共3页
介绍了等离子体刻蚀和沉积加工的工业应用,指出在产品加工和设计中,计算机建模的重要性和必要性,强调了等离子体刻蚀反应器、热喷射系统和等离子体化学蒸气沉积中所使用的计算机模型。
关键词 沉积 刻蚀 计算机建模
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_(18)Ar^(q+)(q=1,2)与H和He碰撞的电荷剥离截面
10
作者 刘之景 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期487-490,共4页
采用二体碰撞近似和托马斯费米近似计算了多电荷离 子18 Arq+ ( q = 1 ,2) 与中性原子 H 和 He 碰撞的电荷剥离截面以及离子势函数和电子动量分布.计算结果与文献[5] 中数据符合得较好.所用的计算公式和计算程... 采用二体碰撞近似和托马斯费米近似计算了多电荷离 子18 Arq+ ( q = 1 ,2) 与中性原子 H 和 He 碰撞的电荷剥离截面以及离子势函数和电子动量分布.计算结果与文献[5] 中数据符合得较好.所用的计算公式和计算程序可以计算任何一个多电荷离子 Aq+ 与 H 和 He 碰撞的电荷剥离截面。 展开更多
关键词 电荷剥离截面 多电荷离子 动量分布 碰撞
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_(10)Ne^(q^+)(q=1~3)的电荷损失截面
11
作者 刘之景 《计算物理》 CSCD 北大核心 2000年第3期268-272,共5页
采用托马斯—费米近似和二体碰撞近似 ,计算了多电荷离子10 Neq + 与中性原子H和He碰撞的电荷损失截面以及电子的动量分布和离子势函数分布。
关键词 电荷损失 截面 碰撞 氖原子 电子 原子核
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类氢离子的电荷剥离截面
12
作者 刘之景 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期79-82,共4页
使用双撞近似(BEA)和托马斯-费米近似(TFA)计算了类氢离子Li2+和C5+与中性原子H和He碰撞的电荷剥离截面。计算结果表明,总截面主要处在0.35-10的速度范围。
关键词 类氢离子 电荷剥离截面 双碰撞近似 截面公式
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_(54)Xe^(q+)(q=1,2)与H和He碰撞的电荷剥离截面
13
作者 刘之景 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期203-206,共4页
采用二体碰撞近似和托马斯-费米近似方法计算了多电荷离子54Xeq+ (q = 1,2 )与中性原子H和He 碰撞的电荷剥离截面、电子动量分布和离子势函数分布。
关键词 电荷剥离截面 二体碰撞近似 氢原子 氦原子
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多电荷碳离子的电荷损失截面
14
作者 刘之景 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期204-206,共3页
研究了多电荷碳离子分别与中性氢原子或氦原子碰撞的电荷损失截面 ,同时计算了多电荷碳离子的电势函数和电子动量分布 ,其中电荷数为 5的碳离子的截面数据与 Shi-rai等人的计算结果符合得相当好。所导出的计算公式和编制的计算程序可以... 研究了多电荷碳离子分别与中性氢原子或氦原子碰撞的电荷损失截面 ,同时计算了多电荷碳离子的电势函数和电子动量分布 ,其中电荷数为 5的碳离子的截面数据与 Shi-rai等人的计算结果符合得相当好。所导出的计算公式和编制的计算程序可以推广计算任何一个多电荷离子 Aq+与 H或 He碰撞的电荷损失截面 ,因而具有一定的普适性。 展开更多
关键词 多电荷离子 电荷损失截面 二体碰撞近似
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_(18)Ar^(q^+)(q=3,4)与H和He碰撞的电荷剥离截面
15
作者 刘之景 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期251-255,共5页
采用二体碰撞近似和托马斯 -费米近似计算了多电荷离子18Arq+( q =3,4 )与中性原子H和He碰撞的电荷剥离截面以及Arq+的势函数和电子动量分布 ,计算结果与文献 [4]中的数据符合得较好。所导出的计算公式和编制的计算程序可以计算任何一... 采用二体碰撞近似和托马斯 -费米近似计算了多电荷离子18Arq+( q =3,4 )与中性原子H和He碰撞的电荷剥离截面以及Arq+的势函数和电子动量分布 ,计算结果与文献 [4]中的数据符合得较好。所导出的计算公式和编制的计算程序可以计算任何一个多电荷离子Aq +与H或He碰撞的电荷剥离截面。因而具有一定的普适性。 展开更多
关键词 电荷剥离截离 多电荷离子 碰撞
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多电荷离子的电子动量分布和电子剥离截面的数值研究
16
作者 刘之景 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期239-242,共4页
计算了多电荷离子的电子动量分布和多电荷离子与中性原子碰撞的电子剥离截面
关键词 多电荷 离子 电子剥离截面 电子动量分布
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谈谈电磁学教学的几点体会
17
作者 刘之景 《研究生教育研究》 1998年第2期42-43,共2页
谈谈电磁学教学的几点体会刘之景在1997年我校对193个课堂进行的教学检查中,我授的课被学生评为“非常满意”课堂,且平均得分名列榜首。为此,本文仅想谈谈自己在经典电磁学教学中,如何灵活机动地适时补充现代知识内容的一... 谈谈电磁学教学的几点体会刘之景在1997年我校对193个课堂进行的教学检查中,我授的课被学生评为“非常满意”课堂,且平均得分名列榜首。为此,本文仅想谈谈自己在经典电磁学教学中,如何灵活机动地适时补充现代知识内容的一些做法和体会。由于这些做法灵活机动... 展开更多
关键词 电磁学教学 经典电磁学 平方反比律 高斯定理 现代知识 库仑力 爱国主义教育 《自然哲学的数学原理》 库仑定律 成立条件
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电子剥离截面的计算
18
作者 刘之景 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第S1期127-128,共2页
计算了多电荷离子与中性原子碰撞的电子剥离截面以及电子动量分布。
关键词 剥离截面 类氢离子 动量分布
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应用等离子体技术处理有害废物
19
作者 刘之景 《环境科学与管理》 CAS 1999年第1期47-48,共2页
本文介绍了有害废物处理的三种新方法,它们分別是等离子体加工法、电化学氧化法、热解吸附和气化法。
关键词 废物处理 等离子体加工 电化学氧化
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等离子体刻蚀
20
作者 刘之景 《自然杂志》 1998年第6期342-344,共3页
本文介绍了等离子体刻蚀的概念、优点和应用,刻蚀的物理机制和稠密等离子体源与器件损伤.
关键词 等离子体刻蚀 器件损伤 稠密等离子体源 物理机制 刻蚀率 刻蚀质量 集成电路制造
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