基于硅微通道阵列的光纤面板制备

基于光纤面板传像原理,提出了一种新型光纤面板的制作方法。采用光辅助电化学方法制备了硅微通道阵列,并将其作为光纤面板的骨架结构,通过氧化工艺在通道内壁制备二氧化硅层作为光纤包层,内部填充高折射率玻璃作为纤芯,制备出一种新结构的传像器件。其理论数值孔径为1.37,经初步测试,其分辨率可达到57 lp/mm。利用此方法制备的光纤面板不会有光串扰问题,可完全避免刀口响应,增加对比度。此方法能有效提高分辨率,有望成为制造高分辨率、高质量传像器件的新方法。

N型宏孔硅电化学腐蚀中表面活性剂对Si/HF界面的影响

该论文研究了N型宏孔硅电化学腐蚀中表面活性剂对Si/HF界面的影响。分别用含有阳离子、阴离子、非离子表面活性剂和无表面活性剂的HF腐蚀液进行宏孔硅光电化学腐蚀实验,测试了电化学阻抗谱EIS和Mott-Schokkty曲线,分析了N型宏孔硅电化学反应过程中的电荷转移电阻和Si/HF界面处Si基体一侧的空间电荷层电容。结果表明,表面活性剂的存在改变了Si/HF电解液界面的性质,阴离子表面活性剂比阳离子表面活性剂存在条件下腐蚀的N-Si具有更高的电荷转移电阻。