多箔活化法测量铀氢锆脉冲堆辐照腔中子注量谱

用多箔活化法测定铀氢锆脉冲堆辐照腔脉冲工况下的中子注量 ,选用了 2 1种非裂变箔。其中 5种是热区的 ,5种是中能区的 ,1 1种是快区的 ,给出了箔的特性参数。通过测定各箔的活化率 ,运用迭代法中的直接偏差最小法和应用较广的SAND Ⅱ ,求解了辐照腔待测点全能区 (1 0 -4 eV～ 1 8MeV)微分和积分中子注量谱。用求解的微分中子注量计算了 0 5MeV和 1MeV以上的阈探测器的平均截面 。

SAND-II解谱的不确定度分析

简介了利用SAND-II解中子谱的基本原理;分析了影响谱不确定度的因素,详细描述了利用蒙特卡罗方法分析谱不确定度的一般步骤:包括随机样本的选取、样本标准偏差的确定、谱的方差、标准偏差(标准不确定度)计算等。通过对脉冲反应堆辐照腔中子能谱的测量计算,总结了提高SAND-II解谱准确性的主要途径。

SiGe HBT的脉冲中子及γ辐射效应

测量了反应堆脉冲中子及γ辐照SiGeHBT典型电参数变化.在反应堆1×1013cm-2的脉冲中子注量和256·85Gy(Si)γ总剂量辐照后,SiGeHBT静态共射极直流增益减小了20%.辐照后基极电流、结漏电流增大,集电极电流、击穿电压减小.特征截止频率fT基本不变,fmax略有减小.初步分析了SiGeHBT反应堆脉冲中子及γ辐射的损伤机理.

反应堆快中子实验装置辐射场参数测量

利用多箔活化法测量了设计的反应堆快中子实验装置的中子能谱及中子注量,并采用MonteCarlo方法分析了能谱的不确定度。用热释光剂量片法测量了装置的γ剂量。装置各参数测量结果均达到了预期的设计指标。

飞行时间法测量脉冲堆热柱孔道热中子能谱

文章介绍飞行时间法测量中子能谱的基本原理，给出脉冲堆热柱孔道飞行时间谱测量实验的系统设计及时间谱测量结果，利用自行研制的解谱程序求解飞行时间法测量的热柱孔道热中子能谱分布。结果表明，测量能谱较Thermal Maxwellian理论谱偏软，谱峰对应的中子能量为（24．8±7．2）meV。

反应堆脉冲中子和γ射线辐照SiGe HBT器件的退火因子及典型直流参数测量分析

本工作测量了反应堆脉冲中子、γ辐照SiGeHBT典型直流电参数和退火因子。在反应堆1×10^(13)cm-2的脉冲中子注量和257Gy(Si)γ总剂量辐照后,SiGeHBT静态共射极直流增益减小了20%。辐照后基极电流、结漏电流增大,集电极电流、击穿电压减小。初步分析了SiGeHBT瞬态中子、γ辐射损伤机理。

西安脉冲堆热柱孔道中子束流参数测量

采用飞行时间法测量了西安脉冲堆热柱孔道热中子束流中子能谱分布,能谱测量结果较Thermal Maxwellian理论谱偏软,中子谱平均能量为0.042±0.01eV。采用金箔活化法测得热柱孔道出口前端热中子注量率为1.18×105 cm-2.s-1,热中子注量率测量的不确定度为3%。

SiGe HBT^(60) Co γ辐照总剂量效应

测量了SiGe HBT直流增益在60Coγ辐照过程中随剂量及器件电流注入水平的变化。实验结果显示在累计辐照剂量超过5 000 Gy(Si)后,器件电流增益变化与辐照剂量存在线性反比关系,且增益损伤系数与器件电流注入水平有关;器件在受到总剂量为2.78×104Gy(Si)辐照后,器件静态基极电流Ib、集电极电流Ic、静态直流增益及最大振荡频率fmax出现不同程度退化;但器件其他电参数如截止频率fT、交流增益|H21|及结电容(CCBO)与辐照前相比未出现显著退化。利用MEDICI数值模拟分析了SiGe HBT参数退化机理。

SiGe HBT器件特征参数的数值模拟与分析

分别在不同基极掺杂浓度、集电极掺杂浓度、发射极掺杂浓度和不同Ge组分含量的情况下,运用半导体器件模拟软件—MEDICI,对SiGe HBT器件的直流特性和频率特性进行了数值模拟,得出了SiGe HBT器件的集电极电流IC、基极电流IB、电流增益β和截止频率fT变化的初步规律。

^(235)U裂变电离室法及金箔活化法测量热中子注量率的不确定度分析

文章简述235U裂变电离室法及金箔活化法测量热中子注量率的基本原理,并对测量过程中的各项不确定度因素进行了分析评定,包括中子衰减、裂变计数率、全谱平均反应截面、金箔活性等。计算出的两种注量率测量相对合成标准不确定度满足2%~5%的要求。对减小中子注量率测量不确定度的方法进行了讨论。

SOI硅微剂量探测器对中子和伽马辐射场线能谱测量的GEANT4模拟研究

绝缘体上硅(SOI)硅微剂量测量系统可以通过测量中子和伽马混合辐射场的线能谱来获取不同类型辐射的剂量当量贡献。本文根据SOI硅微剂量探测器物理设计,采用GEANT4软件建模对Cf-252中子和伽马混合辐射场及Co-60伽马辐射线能谱测量进行蒙特卡罗模拟,并进一步分析了SOI探测器转换层对伽马线能谱测量的影响。结果表明,SOI硅微剂量探测器能够区分中子和伽马的剂量贡献,并且伽马线能谱峰值随着转换层厚度发生变化,有可能利用该特性实现不同贯穿深度下伽马辐射剂量贡献的测量。模拟分析结果可为SOI硅微剂量探测器设计及应用提供参考。

一种紧凑型高隔离度的MIMO超宽带天线研究

提出一种紧凑型高隔离度多输入多输出超宽带天线,该天线由两个共面梯形辐射单元背靠背连接在一起构成,衬底材料的相对介电常数为4.4。在两个辐射单元之间放置高隔离金属条,确保天线具有高隔离度。该天线在整个超宽带频带上电压驻波比VSWR为2:1,隔离度高于20 d B,峰值增益为5.2 d Bi,峰值有效率为90%,且包络相关性系数ECC(Envelope Correlation Coefficient)≤0.164 1。

HPGe测量连续硬X射线能谱的解谱方法研究

结合数值模拟得到的单能光子在HPGe探测器上能量响应函数,用改进的剥谱法对测量得到的连续硬X射线能谱进行解谱。扣除测量谱中康普顿、反散射等效应产生的计数对测量能谱的影响,得到了仅反映探测器对光电效应的能量响应的能谱。最后,通过效率修正,完成了测量谱到实际能谱的还原,为连续硬X射线能谱解析提供了可靠方法。

基于物联网的农业环境数据收集系统设计

设计了基于物联网的农业环境数据收集系统,该系统使用支持向量机回归(SVMR)算法来处理原始数据,并预测日常空气温度、相对空气湿度和风速值,以帮助预测有害病菌在农田的传播。结果表明:预测的平均空气温度值和实际测量值平均绝对误差为1℃;预测的平均相对空气湿度值和实际测量值平均绝对误差为5%;预测的平均风速值和实际测量值平均绝对误差为1 km/h。该系统通过物联网访问环境数据,有助于田间作物管理人员更好地管理和预防病菌蔓延。

一种高速多通道数据采集系统设计

设计了一种基于FPGA的高速多通道数据采集系统,该系统通过FPGA进行数字信号处理,使用AD9257作为多通道模数转换器,具有低功耗,低成本,数据实时采集,上位机交互控制等特点。测试结果表明,该系统可以用于微剂量探测器的输出信号的处理,分析引起探测器输出信号失真的物理机理,可以校正因脉冲堆积、系统噪声、ADC采样频率和精度、信号串扰及通道间参数差异等因素引起的频谱数据不确定度等。此系统对于微剂量探测器输出信号的处理具有应用价值。

1MeV中子辐照SiGe HBT器件的数值模拟

分析了SiGe HBT器件中子辐照效应损伤机理。运用MEDICI软件,对SiGe HBT器件中子辐照效应的数值模拟进行了探索性研究。计算了1MeV中子在不同辐照注量下对SiGe HBT器件交直流特征参数的影响规律;中子辐照损伤与SiGe HBT器件中Ge组分含量关系;以及不同缺陷类型对SiGe HBT器件交直流特征参数的影响规律。通过对SiGe HBT器件辐照效应的数值模拟计算,验证了相关辐照实验得出的规律。

脉冲堆快中子实验装置设计

本文利用蒙特卡罗方法和离散坐标法设计了满足器件辐照效应研究的脉冲堆快中子实验装置。采用SAND-II多箔活化法和热释光剂量片法对装置参数进行了测试分析,验证了装置设计参数与实验测量值符合一致。

Si SOI微剂量探测器电荷收集特性数值模拟

采用数值模拟软件TCAD对影响绝缘体上硅(SOI)PIN微剂量探测器灵敏区电荷收集特性的主要因素进行了模拟与分析。分析了3 MeVα粒子在PIN探测器内沉积能量产生的瞬时电流随探测器偏置电压(10 V至50 V)和掺杂浓度、粒子入射方向的变化。模拟结果表明,随着反偏电压的增大,载流子复合效应降低,瞬态电流增加;当n+区域反偏电压为10 V时,由α粒子入射产生的空间电荷在1 ns内几乎全部被收集,电荷收集效率接近100%;辐射产生的瞬时电流随探测器各端掺杂浓度的增大而减小。

一种新的平面椭圆单极子超宽带天线

研究了超宽带天线的设计,提出了一种适合天线特征的设计方法。该文所提出的天线设计,讨论的是超宽带天线的综合特征,主要是基于频域的传递函数对各个参数的测量,即波形相关性、波形宽带拉伸比、波形相对增益。仿真结果表明,天线的整体性能和特征表现均很好,特别是在天线孔径方面有更好的表现。通过对这些参数的测量可定量地描述超宽带的传输性能。

α射线致空气电离的实验研究

利用平行电极板裂变电离室测量技术对α射线致空气电离进行实验研究,探讨电极板间距离和放射源测量位置对测量结果的影响。结果表明,当电极板间距离小于两倍α粒子飞行距离时,测量结果随电极板距离的增大而微弱增大,电离室中放射源的位置对测量结果影响不显著。实验测量的α射线产生的离子对与理论计算结果相吻合。