掺杂对高纯氧化铝陶瓷介电损耗的影响

综述了不同杂质及掺杂对氧化铝陶瓷介电损耗影响的研究进展。原料中的杂质会增加氧化铝陶瓷的介电损耗,但可以通过掺杂来提高氧化铝陶瓷的介电损耗。MgO的加入在低频下会增加氧化铝陶瓷的介电损耗;但在微波频段,当MgO的加入量大于Mg在氧化铝中的固溶极限时,通过优化烧结工艺,可以得到1×10-5量级的介电损耗。加入适量的TiO2可以降低氧化铝在微波频段的损耗,但其作用机理还有待进一步研究。

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