一种本征端口开放非线性模式可调的GaN HEMT模型

由于GaN HEMT器件工作电压高、动态范围大且具有较强的非线性特征,芯片设计指标又在不断提高,高精度非线性模型成为设计成功的基础,而定量的非线性产物来源分析又是工艺改进和设计优化的重要依据。因此本文在传统模型架构基础之上,引入关键模型参数压控缩放函数,在大动态范围下取得了较高模型精度,同时提出一种本征端口开放、非线性模式可调的模型架构,使得非线性产物来源定量分析成为可能。

一种新型LTCC小型化定向耦合器设计

本文基于LTCC工艺提出了一种具有新型结构的小型化X波段微带耦合线定向耦合器,其中小型化部分运用λg/4传输线两端加载开路枝节达到缩短目的。开路短截线中一部分由层间互联金属通孔进行等效,另一部分由带状线构成。该结构与传统耦合器相比线长缩短了53%。通过理论计算得到的电路尺寸参数在HFSS仿真中得到了较为良好的效果,从而验证了可行性。

一种改进EE_HEMT电容方程的GaN HEMT器件模型

在传统的EE_HEMT模型基础上,通过修改电容方程,得到一个新的可适用于GaN HEMT器件的模型。新电容模型主要通过tanh函数拟合和的变化趋势。在ICCAP软件中,完成新模型参数的提取;在ADS软件中,完成S参数仿真和负载牵引仿真,并与实测结果进行了对比,最大功率点性能拟合效果得到改善。文中描述的新模型,可在一定程度上提高GaN HEMT模型仿真精度。