二硫化钨二维材料制备及其表面增强拉曼散射性能研究

WS_(2)二维材料的大面积可控制备一直是二维材料基础研究中亟须解决的难题,基于化学气相沉积法,探索了反应过程中蒸发硫时刻、最高反应温度、衬底摆放位置等实验参数,对制备WS_(2)二维材料的影响,并成功制备了边长达80μm的三角形单层WS_(2)纳米片。此外,还将WS2二维材料作为表面增强拉曼散射(SERS)传感器的新型衬底,并以罗丹明6G作为探针分子,初步研究了WS_(2)二维材料的SERS性能。实验结果表明,WS2二维材料对罗丹明6G分子的检出极限可低至1×10-6mol/L,将为新型SERS衬底的开发和应用提供一种新的方案和思路。

二硫化钨二维材料的制备与应用研究进展

过渡金属硫化物作为一种带隙可调的类石墨烯材料,近年来受到众多科研工作者的青睐。2DWS2作为具有代表性的过渡金属硫化物材料之一,在电子器件领域因其独特的电子结构和晶体结构而极富应用潜力。本文综述了2DWS2的几种主要制备方法,以及近年来其在场效应晶体管、光电探测器、气敏传感器等电子器件领域方面的应用研究进展,并对2DWS2的未来发展前景进行了展望。

氧化石墨烯种子层辅助合成单层MoS2二维纳米片

精确控制成核点位置是制备高质量二维纳米材料的关键。通过旋涂氧化石墨烯(GO)水溶液,在衬底上分散GO纳米片作为促成核种子层,成功制备了MoS2二维纳米片。MoS2纳米片的拉曼光谱峰位差(A1g-E12g)为19.5 cm^-1,其表面与衬底表面的高度差为0.85 nm,说明所生长的MoS2纳米片为单原子层结构。扫描电镜观察到,成核有两种方式,分别是以GO纳米片成核和GO富集MoS2分子成核。两种方式均有助于水平生长单层的MoS2纳米片。