产品通用化、系列化、模块化布局和设计

本文阐述了“三化”的概念和内涵,梳理了“三化”发展历程,总结了“三化”的重大作用,分析了当前“三化”工作形势,提出了加强“三化”的工作内容、工作思路和工作方法。通过该研究,有利于转变思维方式、组织方式、工作方式,深入推进“三化”,减少产品品种、精简产品规格、简化产品设计,提高产品使用率和集成度,调整供给侧结构、集中资源聚焦主流产品、引领产品有序高效发展,推动企业市场开拓模式由“市场需求、产品开发”向“市场需求导向、‘三化’设计、引领市场需求”转型升级,推动企业产品发展模式由“多品种、小批量、长周期”向“少品种、大批量、短周期”转型升级,统筹协调产品“技术、质量、进度、成本、效益”之间的关系,为高质量发展增添新活力、打造新引擎。

HgCdTe外延用的CdZnTe衬底研制

阐述了 Cd Zn Te衬底在红外焦平面阵列探测器研究中的重要性 ;概括了 Cd Zn Te晶体生长的方法、原理和工艺步骤 ;分析了影响晶体质量 (单晶面积、组分及均匀性、结晶完整性、光电特性 )的因素 ,并提出了与质量相关的控制技术 ;介绍了 Cd Zn Te衬底制备过程中 ,晶片处理的工艺和步骤 (晶锭的定向切割、单晶划片、极性鉴别、磨抛、腐蚀 ) ;报道了目前 Cd Zn Te晶体的性能水平、晶片处理结果和 Cd Zn Te的应用情况。

Te溶剂垂直区熔法生长φ20MCT晶体组分控制研究

采用Ｔｅ作溶剂在特制的垂直区熔炉上开展了φ２０ＭＣＴ晶体的生长研究；详细阐述了该方法ＭＣＴ晶体的生长过程和生长机理；总结和分析了晶体生长过程中影响组分的因素；提出了生长过程中组分控制存在的问题和改善组分控制的措施。通过该研究，优化了生长条件，采取了适当的温度分布（窄的高温区、大的温度梯度）和降低液区高度等有效措施，获得了φ２０、轴向组分波动小（长波段可利用率高达７０％）、径向组分均匀（△ｘ＝±０．００１５）的ＭＣＴ晶体，并利用此材料作出了一系列性能良好的多元光导、光伏红外探测器件。

外延衬底用CdZnTe晶体进展

文中简要介绍了CdZnTe晶体用作HgCdTe外延衬底的优点和国内外研究的现状，概括了CdZnTe晶体的生长方法及其特点，总结了影响CdZnTe晶体生长和晶体质量的因素，提出CdZnTe晶体生长中存在的问题和改善晶体质量的措施。

Cd_(1-y)Zn_yTe晶体组分及均匀性的近红外光谱测试

阐述了Ｃｄ（１－ｙ）ＺｎｙＴｅ晶体组分、组分均匀性测试的重要性及开展近红外光谱研究该晶体组分的必要性。采用日立３４０型光谱仪对ｙ在 ０～０．０６的Ｃｄ（１－ｙ） ＺｎｙＴｅ晶体作了室温近红外透射光谱研究，得出了有关晶体组分ｙ和截止波长λｃｏ的关系方程：ｙ＝２８６．０８７ ８ × １０－２－０．３３７ ２× １０－２λｃｏ，测试误差△ｙ≤０．００３，通过该研究，为焦平面外延衬底材料Ｃｄ（１－ｙ）ＺｎｙＴｅ晶体组分及其均匀性测试提供了一种准确、快速、简便、不破坏样品的检测方法。

MCT晶体退火压力─温度关系及其分析

采用热重法对组分不同（x＝0．15～0．26、y＝0．50～0．54）的（Hg1-xCdx）1-yTey晶体s－g平衡体系进行了P－T关系测量（T＜560℃、P=2～76kPa）；发现x值不同的样品对P-T的影响不明显；y值偏离（y≥0．504）的样品在420±5℃有PHg降，并对此进行了分析，提出了利用此现象可以减少MCT晶体中的富Te量和改善Te组分均匀性；补充了51kPa以下的P－T数据，通过与传统相图的比较发现MCT的相存在区缩小，特别是在10kPa以下，Te饱和线逐渐向Hg饱和线靠拢，并对本征线的可能位置进行了分析。通过该研究为MCT晶体造火条件提供了精确的选择范围。

碲镉汞晶体组分及其均匀性控制研究

本文利用碲镉汞膺二元固液T -X相图对碲镉汞晶体生长方法进行了分类研究 ;分析了影响碲镉汞晶体组分及其均匀性的因素 ,提出了存在的问题和改善的措施 ;认为在特定组分的固相线温度 (相图中的B点 )生长碲镉汞晶体是一种比较有效的方法 ,并报道了采用双相复合维持液相成份生长大直径4 0mm碲镉汞晶体组分控制研究的结果 (在S≈ 12cm2 的晶片面积上 ,x =0 .2 18±0 .0 0 3)。

有机金属沉积法生长HgCdTe双色晶膜材料的研究

本文采用有机金属沉积（ＭＯＣＶＤ）法在ＣａＡｓ衬底上率先开展生长双色ＨｇＣｄＴｅ材料的研究，总结了生长ＣｄＴｅ缓冲层和隔离层、ｘ≈０．２、ｘ≈０．３的ＨｇＣｄＴｅ晶膜的工艺条件，并给出了ＨｇＣｄＴｅ双色材料的组分均匀性、厚度、表面形貌、结构和电性能。

Hg_(1-x)Cd_xTe在高压下的电学性质、状态方程与相变

在金刚石压砧装置上 ,采用电阻和电容测量方法研究了Hg1-xCdxTe(x =0 .19,0 .2 2 )在室温下、2 0GPa内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明 :它们分别在 0 .7～ 1.8GPa与 8.6GPa左右以及在 1.6GPa左右与 8.3GPa左右发生了两次电子结构相变 ;分别在 2GPa左右与 8.6GPa以上以及在 1.6GPa左右与 8.3GPa以上发生了两次晶体结构相变。同时 ,还在活塞 圆筒式p V关系测量装置上研究了Hg1-xCdxTe(x =0 .2 1)在室温下、4.5GPa内的p V关系。实验结果发现它在 2 .1GPa左右发生了相变。给出了它在相变前后的状态方程。

Hg_(1-x)Cd_xTe在高压下的结构、状态方程与相变

利用X射线粉末衍射方法 ,在室温高压下观察到了Hg1-xCdxTe(x =0 .19)的相变。实验是在DAC高压装置上完成的 ,压力从 0逐步加至 10 1GPa。在常温常压下Hg1-xCdxTe(x =0 .19)具有闪锌矿结构。从实验结果看到 ,在压力为 3GPa和 6 8～ 8 3GPa之间有两个结构相变存在。初步认为 ,后一个相变与Hg1-xCdxTe(x =0 .19)的金属化有密切关系。通过计算 ,得到了它在相变前的状态方程 ,并且与二元HgTe化合物在相变规律上进行了比较。

Cd_(1-x)Zn_xTe在高压下的电学性质、状态方程与相变

在金刚石压砧装置上 ,采用电阻和电容测量方法研究了Cd1-xZnxTe(x =0 .0 4 )在室温下、17GPa内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明 ,它在 3 1GPa左右和 5GPa左右发生了两次电子结构相变 ,而在 3 1GPa以上和 5 7GPa左右发生了两次晶体结构相变。同时 ,还在活塞 圆筒测量装置上研究了Cd1-xZnxTe(x =0 .0 4 )在室温下、4 5GPa内的p V关系。实验结果表明它在3 8GPa左右发生了相变。本工作还给出了它在相变前后的状态方程 ,以及它的Gr櫣ｎｅｉｓｅｎ参数γ0 、体弹模量B0 与B0 的压力导数B0 ′。

热壁MOCVDHg_（1－x）Cd_xTe中的Hg蒸汽压和分配比

本文改进和设计了新型可移动式加热电阻炉和反应器，避免了二乙基碲（ＤＥＴｅ）与二甲基镉（ＤＭＣｄ）的直接反应，减了预沉积，在Ｔｅ／Ｃｄ比的控制更为准确的条件下重复稳定地获得了ｘ＝０．２响应波长为１０．６μｍ的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ材料．其中有关组份ｘ值的实验结果首次证明与Ｋｉｓｋｅｒ的热力学模型基本相符．

双相复合生长大直径(Ф40)碲镉汞晶体

介绍了一种新的碲镉汞晶体生长方法（即双相复合生长法），阐述了该方法的生长机理和生长过程；分析了生长过程中影响晶体生长的因素；总结了该方法晶体生长的特点，并提出了晶体生长过程中存在的问题和改善措施；通过采取低温生长、低温梯度下慢速生长、生长后慢速冷却和适当的晶片退火等措施，获得了大直径（Ф４０ｍｍ）、大单晶面积（４～１０ｃｍ２）、径向组分均匀（ｘ≤±０．００３）、光电性能良好（７７Ｋ：ｎｉ≤５×１０１４ｃｍ－３、μｉ≥１．５×１０ｓｃｍ２／Ｖ．ｓ、≥２μｓ；３００Ｋ：０．９ｍｍ厚的晶片透过率Ｔ≥１５％）的碲镉汞晶体。

Nd∶YAG晶体生长温场优化设计

文中提出了晶体生长对温场的要求 ,分析了温场分布形状对晶体生长和晶体质量的影响 ,通过优化温场设计和控制 ,得到了比较理想且能重复的温场 ,并在此温场条件下生长出了性能较好的Nd∶YAG晶体。

Preparation and Characterization of Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te Epilayers Grown by Hot Wall MOCVD

Hg_(1-x)Cd_xTe(CMT)epilayers with corresponding wavelength of 10.6μm(x=0.2)were reproducibly grown on GaAs substrates in a movable hot wall MOCVD reactor.Rather high uniformity of solid compo- sitions was obtained.X-ray diffraction,TEM,DCXD,FTIR and Van der Pauw technique were employed to determine the crystalline,optical and electrical properties of CMT epilayers,which are effectively im- proved as compared with the previous data.