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4H-SiC同质外延生长及Ti/4H-SiC肖特基二极管(英文)
被引量:
4
1
作者
孙国胜
宁瑾
+5 位作者
高欣
攻全成
王雷
刘兴日方
曾一平
李晋闽
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期1006-1010,共5页
利用台阶控制外延生长技术在偏晶向S i-面衬底上进行了4H-S iC的同质外延生长研究,衬底温度为1500℃,在厚度为32μm、载流子浓度为2~5×1015cm-3的外延材料上制备出了反向阻塞电压大于1kV的Ti/4H-S iC肖特基二极管,二极管的正向与...
利用台阶控制外延生长技术在偏晶向S i-面衬底上进行了4H-S iC的同质外延生长研究,衬底温度为1500℃,在厚度为32μm、载流子浓度为2~5×1015cm-3的外延材料上制备出了反向阻塞电压大于1kV的Ti/4H-S iC肖特基二极管,二极管的正向与反向电流的整流比(定义偏压为±1V时的电流比值)在室温下超过107,在265℃的温度下超过102,在20~265℃的温度范围内,利用电流电压测量研究了二极管的电学特性,室温下二极管的理想因子和势垒高度分别为1.33和0.905 eV,开态电流密度在2.0V的偏压下达到150A/cm2,比开态电阻(Ron)为7.9mΩ.cm2,与温度的关系遵守Ron^T2.0规律。
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关键词
4H—SiC
同质外延生长
肖特基二极管
下载PDF
职称材料
MEMS用Si台面及SiO_2/Si衬底上3C-SiC的LPCVD生长(英文)
2
作者
孙国胜
王雷
+4 位作者
巩全成
高欣
刘兴日方
曾一平
李晋闽
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期982-985,976,共5页
本文报道用在S i台面及热氧化S iO2衬底上3C-S iC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为S iH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、以及室温Hall测试对所生长的3C-S iC材料进行了测...
本文报道用在S i台面及热氧化S iO2衬底上3C-S iC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为S iH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、以及室温Hall测试对所生长的3C-S iC材料进行了测试与分析,结果表明在3C-S iC和S iO2之间没有明显的坑洞形成。
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关键词
3C—SiC
LPCVD生长
Si台面
SIO2/SI
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职称材料
题名
4H-SiC同质外延生长及Ti/4H-SiC肖特基二极管(英文)
被引量:
4
1
作者
孙国胜
宁瑾
高欣
攻全成
王雷
刘兴日方
曾一平
李晋闽
机构
中国科学院半导体研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期1006-1010,共5页
文摘
利用台阶控制外延生长技术在偏晶向S i-面衬底上进行了4H-S iC的同质外延生长研究,衬底温度为1500℃,在厚度为32μm、载流子浓度为2~5×1015cm-3的外延材料上制备出了反向阻塞电压大于1kV的Ti/4H-S iC肖特基二极管,二极管的正向与反向电流的整流比(定义偏压为±1V时的电流比值)在室温下超过107,在265℃的温度下超过102,在20~265℃的温度范围内,利用电流电压测量研究了二极管的电学特性,室温下二极管的理想因子和势垒高度分别为1.33和0.905 eV,开态电流密度在2.0V的偏压下达到150A/cm2,比开态电阻(Ron)为7.9mΩ.cm2,与温度的关系遵守Ron^T2.0规律。
关键词
4H—SiC
同质外延生长
肖特基二极管
Keywords
4H-SiC
homoepitaxial growth
Schottky barrier diodes
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
MEMS用Si台面及SiO_2/Si衬底上3C-SiC的LPCVD生长(英文)
2
作者
孙国胜
王雷
巩全成
高欣
刘兴日方
曾一平
李晋闽
机构
中国科学院半导体研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期982-985,976,共5页
基金
ProjectsupportedbySpecialFundsforMajorStateBasicResearchProject(No.G20000683)
文摘
本文报道用在S i台面及热氧化S iO2衬底上3C-S iC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为S iH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、以及室温Hall测试对所生长的3C-S iC材料进行了测试与分析,结果表明在3C-S iC和S iO2之间没有明显的坑洞形成。
关键词
3C—SiC
LPCVD生长
Si台面
SIO2/SI
Keywords
3C-SiC
LPCVD growth
Si mesas
SiO2/Si
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
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1
4H-SiC同质外延生长及Ti/4H-SiC肖特基二极管(英文)
孙国胜
宁瑾
高欣
攻全成
王雷
刘兴日方
曾一平
李晋闽
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
4
下载PDF
职称材料
2
MEMS用Si台面及SiO_2/Si衬底上3C-SiC的LPCVD生长(英文)
孙国胜
王雷
巩全成
高欣
刘兴日方
曾一平
李晋闽
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
0
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职称材料
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