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VMJ器件的红外特性 被引量：1
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作者 张治国 季秉厚 刘典宪 《内蒙古大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1992年第4期525-528,共4页
垂重多重结半导体器件(VMJ)有良好的近红外光电特性。本文报道了垂直多重结器件的制作工艺及其红外光谱响应的测量结果,同时对该器件的红外谱响应作了分析,并挺出了进一步改进方案.
关键词 半导体器件 红外光谱响应 VMJ器件
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