添加剂N,N-二乙基硫脲,PEG,Cl^(-)对高抗拉电解铜箔电结晶行为的影响

为了揭示在复合添加剂影响下铜电沉积的作用机理,通过线性扫描伏安(LSV)曲线和计时电流(CA)曲线研究了添加剂N,N-二乙基硫脲、聚乙二醇(PEG)和Cl^(-)共存时对铜沉积的影响,同时结合Tafel曲线判断了铜镀层的耐腐蚀性能,并通过SEM表征了铜镀层的微观形貌。试验结果表明:N,N-二乙基硫脲和PEG可以增大阴极极化、成核数密度和镀层的耐蚀性并减小Cu^(2+)的扩散系数,Cl^(-)主要在复合添加剂中起协同作用。10 mg/L N,N-二乙基硫脲、10 mg/L PEG和25 mg/L Cl^(-)协同作用时成核方式始终为瞬时成核,成核数密度达到峰值2.816×10^(6)cm^(-2),可得到平整细致的电解铜箔。

添加剂MPS、DDAC、Cl^(−)对铜箔电沉积的影响

本文针对添加剂对铜电沉积机理的影响进行了研究,并采用控制变量法研究了MPS、DDAC、Cl^(−)对铜箔电沉积的影响,以探索MPS与DDAC对铜箔晶体择优和微观形貌的协同影响作用。结果表明,在基础镀铜液确定的条件下,MPS单独存在可以增大阴极极化和成核数密度,减小Cu2+扩散系数;DDAC可以增大阴极极化,其浓度与Cu2+扩散系数呈负相关,与成核数密度呈正相关;Cl^(−)本身对阴极极化作用并不明显,但会改变铜电结晶过程的成核方式。MPS、DDAC和Cl^(−)协同作用时,随着MPS浓度增加,扩散系数和成核数密度最终趋于一定值,MPS浓度达到10 mg/L后只有(220)晶面择优,此时镀层平整性最优。