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HBr反应离子刻蚀硅深槽 被引量：1
1
作者 刘家璐 张廷庆 +2 位作者 刘华预 王清平 叶兴耀 《微电子学》 CAS CSCD 1995年第4期39-44,共6页
对ＨＢｒ反应离子刘蚀硅和ＳｉＯ＿２进行了实验研究。介绍了ＨＢｒ等离子体的刻蚀特性，讨论了ＨＢｒ反应离子刻蚀硅的刻蚀机理，研究了ＨＢｒ中微量氧、碳对ＨＢｒＲＩＥ刻蚀过程的影响。实验表明，ＨＢｒ是一种刻蚀硅深槽理想的含原... 对ＨＢｒ反应离子刘蚀硅和ＳｉＯ＿２进行了实验研究。介绍了ＨＢｒ等离子体的刻蚀特性，讨论了ＨＢｒ反应离子刻蚀硅的刻蚀机理，研究了ＨＢｒ中微量氧、碳对ＨＢｒＲＩＥ刻蚀过程的影响。实验表明，ＨＢｒ是一种刻蚀硅深槽理想的含原子溴反应气体。采用ＨＢｒＲＩＥ，可获得高选择比（对Ｓｉ／ＳｉＯ＿２）和良好的各向异性。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 硅槽刻蚀 集成电路
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一类超大规模集成电路分割算法的改进
2
作者 刘华预 沈绪榜 张廷庆 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期424-428,共5页
提出了一个超大规模集成电路分割算法 ,从流图中最小截之间的等价关系出发 ,寻找新的电路割集 .与同类分割算法 ,如FBB算法、DMC算法相比 ,新算法充分利用了流图拓扑结构的特点 ,分割结果更好 .
关键词 电路分割算法 VLSI 流图拓扑结构
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