掺杂金属离子对α－FeOOH的形态调节作用

采用ＴＥＭ、ＨＲＥＭ、ＤＴＡ和ＸＲＤ等表征方法，研究了掺杂Ｎｉ￣（２＋）、Ｃｒ￣（３＋）、Ｌａ￣（３＋）和Ｃｅ￣（３＋）四种金属阳离子对α－ＦｅＯＯＨ粒子形态的影响及其作用机制。结果表明，掺杂Ｎｉ￣（２＋）和Ｃｒ￣（３＋）可明显提高α－ＦｅＯＯＨ粒子的轴比，而掺杂Ｌａ￣（３＋）和Ｃｅ￣（３＋）则不能；Ｎｉ￣（２＋）、Ｌａ￣（３＋）和Ｃｅ￣（３＋）亦可抑制ａ－ＦｅＯＯＨ枝叉的形成。研究发现，杂质离子改变了铁黄表面和本体结构，且提高铁黄粒子轴比的作用源于其抑制α－ＦｅＯＯＨ短轴方向（１２０）晶面的生长速率。

俄歇极角角分布的大角度行为

测量了纯金样品Au(69eV),纯铜样品Cu(60eV和Cu(920eV)俄歇信号的极角角分布,考察了它们的大角度行为。用多种函数对角分布进行拟合。拟合参数与电子能量无关。分布大体上符合cosθ规律。大角度时对cosθ的偏差用表面不平整可得到最好的解释。样品浓度不连续分布的模型与数据符合不好。计及俄歇电子在表面上折射的角分布公式由于在大角度下发散而与实验完全不符。

半导体中非平衡载流子的输运过程(Ⅰ)

在描述载流子输运过程的玻尔兹曼方程的碰撞项中考虑了带间跃迁的贡献,从而将它推广到存在非平衡载流子的情况。由此导出了非平衡载流子寿命,复合几率的统计表达式,以及包括产生-复合过程的电荷连续性方程和稳态输运过程的电流方程。

六硼化镧多晶的ARUPS、ARAES和功函数测量

本文报道了用角分辨紫外光电子谱(ARUPS)、角分辨俄歇电子能谱(ARAES)和功函数测量对六硼化镧多晶进行了分析。ARAES的结果表明在退火后的六硼化镧多晶表面上由于镧原子的偏析,形成了一个镧富集的表面。ARUPS的结果表明该表面上位于费米能级以下2.2eV处有表面态的存在。吸水后,伴随着表面态的消失,六硼化镧的功函数有0.2eV的增加。

Au-GaAs(īīī)界面特性的研究

我们对Au—GaAs(īīī)界面进行了角分辨AES和UPS研究。分析了Au、Ga和As原子在热退火前后的界面行为,同时由功函数变化定性地讨论了界面势垒的形成。

钒(100)面硫、氧偏析的角分辨AES研究

利用角分辨电子谱仪测量了偏析O存在的V(100)-(8×1)和编析S、O同时存在的V(100)-(2×2)表面中O(KVV)、S(152.5eV)与V(L_3M_ 2,_3V)的极分辨谱。O(KVV)和S(152.5eV)极分辨曲线拟合分析及(2×2)中O(KVV)/S(152.5eV)随极角θ增大而增大,得出偏析S在偏析O层之下。V(L_3M_2,_3V)Auger电子衍射分布表明该电子前向散射起主导作用。并进而讨论了偏析S、O的结构。

在GaAs上用电子束蒸发淀积LaB_6薄膜及其界面的电学特性

用自制的简便电子束蒸发炉,在GaAs(100)表面上蒸发淀积了良好的LaB_6薄膜,由AES分析表明膜成分的化学配比正确,并制成LaB_6/GaAs肖特基二极管,基势垒高度为0.75eU(Ⅰ-Ⅴ法),理想因子为1.1,反向击穿电压达16V,表明LaB_6作为GaAs MESFET的栅材料是合适的。

硅表面液相钝化膜及其界面的俄歇能谱研究

随着半导体技术的不断发展,新的工艺和技术不断出现,与此同时对新工艺及其结果有足够的认识也是十分必要的。本实验就是基于这一目的,对硅器件工艺中最新采用的液相钝化膜作详细分析,为了对其结构有足够深入的了解,我们同时分析了氧离子注入氧化膜,自然氧化膜,真空室制备的氧化膜,热生长氧化膜及离子溅射氧化膜,以便比较其结构上之差别。结果发现,无论是哪一种氧化膜,其Si—SiO_2界面层都不是单纯的SiO_2,而是SiOx(1≤x≤2)。除液相钝化膜外,其他各种界面过渡层均含Si(e^-O_3)及O_2—Si结构,而且热生长氧化膜和离子溅射氧化膜的过渡层中还存在Si—Si_4原子团。

硫在Ni_(110)表面偏析的角分辨俄歇研究

本实验采用LEED及角分辨俄歇两种手段,对硫在Ni_(110)表面的偏拆作了详细的分拆。角分辨俄歇表明:Ni_(110)表面硫的偏折存在一硫的深度分布,分布层厚度大约为2～3镍原子层厚度。而LEED观察表明,当退火温度达到900℃退火4～5秒,将得到清晰的C_(2×2)图形。

敬礼！百名跳崖红军

没有任何组织的派遣．纯属一种价值观念的驱使，我跋山涉水，一路颠簸跌碰，一路风尘泥泞，千里迢迢，来到这偏僻之地——贵州省石阡县龙头镇甘溪槽村困牛山。这里．深藏着古今中外最“牛”的红色壮举．深藏着最珍贵的精神金矿。这种意义，把我变成一名“探矿者”，我想，在我的身后必将走来更多的“采矿者”。

碱法α-FeOOH生成机理的研究

本文运用 TEM、HREM 技术,对碱法α-FeOOH 制备过程进行研究。结果表明,α-FeOOH 在绿锈表面成核,通过绿锈溶解产生的 Fe(OH)^+经氧化后,并入铁黄晶格。短轴方向的生长以沿(120)晶面的凝并为主,碱法工艺所得α-FeOOH

Ag/Si(100)的结构以及银与硅衬底的相互作用

在Si(100)2×1再构面上蒸发银,除了得到Ag(111)1×1结构外,还发现了Ag(111)3×1再构,LEED和UPS分析表明界面上可能存在银原子与硅衬底的相互作用。

表面势垒对俄歇电子极角分布的影响

本文根据电子在固体与真空界面的折射反射效应及立体角元的变化,讨论了表面势垒对俄歇电子极角分布的影响,修正了俄歇电子的极角分布公式,首次从理论上证明了均匀体样品俄歇电子的极角分布基本符合cosθ规律而和样品是单晶或多晶及和俄歇电子的能量大小无很大关系这一实验现象。

中能弹性背散射电子的角分布理论计算

本文用娄似单次散射理论的方法模拟了中能弹性背散射电子的极角分布(ARMEE)。计算结果和他人的实验结果和基于Monte Carlo法的结果符合得很好。本文还简单地讨论了角分辨中能弹性电子在表面分析中应用的可能性,并得到了一个和角分辨俄歇(ARAES)十分相似的计算ARMEE的公式。

中能弹性背散射电子的角分布在表面成分分析中的应用

本文从理论上证明中能弹性背散射电子的角分布可以用来分析样品中原子的浓度,并对金、铜及金铜合金进行了分析。结果表明中能弹性散射电子完全可以用来进行成分分析。在本特例中,在未加任何修正的情况下,由本方法得到的浓度和实际值的误差只有5％。

关于金属XPS的Gadzuk-unji线型

本文用数值计算分析了金属X射线光电子谱的Gadzuk-Sunjic线型,将它同Doniach-Sunjic线型作了比较,指出了它的若干不合理之处。

镍铬合金高温抗氧化性与铬偏析

通过俄歇电子能谱,我们着重研究了低铬含量的镍铬合金(Cr<10％)高温抗氧化的微观机理,俄歇分析表明,高温下(300～500℃)铬向表面偏析相当明显,随着温度的升高,铬的偏析量明显增加,而且在同一温度下,铬的偏析量和退火时间成正比。

非晶Nb-Ni合金晶化过程中紫外光电子能谱研究

本文利用紫外光电子能谱和X射线衍射测量研究了非晶Nb_(100-x)Ni_x(x=65,59.8,56.4)合金晶化过程中价带谱的变化。对NbNi_3价带谱中出现的双峰进行了讨论。