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一台专用强流氧离子注入机的研制
被引量:
2
1
作者
唐景庭
伍三忠
+2 位作者
贾京英
郭健辉
刘咸成
《集成电路应用》
2003年第2期66-70,共5页
制备SOI材料的SIMOX技术因其工艺简单、易控制、重复性好、成本低、易向商业化过渡等优点而引起了SOI材料界更为广泛的关注。SIMOX技术所需要的最关键的设备就是大束流专用氧离子注入机。专用氧离子注入机与常规离子注入机有较大的区别...
制备SOI材料的SIMOX技术因其工艺简单、易控制、重复性好、成本低、易向商业化过渡等优点而引起了SOI材料界更为广泛的关注。SIMOX技术所需要的最关键的设备就是大束流专用氧离子注入机。专用氧离子注入机与常规离子注入机有较大的区别:注氧时间长,注入剂量大,注入过程中要求晶片保持600℃左右的高温,金属污染非常低。本文着重介绍一台专用强流氧离子注入机主要结构单元的研制方法及工艺试验结果分析。
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关键词
S0I材料
SIMOX技术
氧离子注入机
高温靶室
离子源
金属污染
下载PDF
职称材料
强流氧离子注入机注入均匀性分析及提高
2
作者
刘咸成
贾京英
唐景庭
《电子工业专用设备》
2005年第4期48-52,59,共6页
对强流氧离子注入机的注入靶室进行分析探讨,对影响均匀性指标的靶盘结构、束的形状和束扫描注入方式进行研究,结合主体硬件,增加晶片自旋装置和采用新的扫描方式,来提高注入均匀性指标。
关键词
注入机
离子束
均匀性
变速扫描
SOI
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职称材料
关于SOI(SIMOX)材料在注入过程中粒子污染的研究
3
作者
刘咸成
唐景庭
+3 位作者
伍三忠
贾京英
郭建辉
刘求益
《集成电路应用》
2003年第3期53-55,共3页
本文描述注氧机在制作SOI(SIM0X)材料时,注入过程对顶层硅中产生粒子污染的影响,结合SIMS测试结果,从光路结构、电器参数、靶室等方面阐述粒子污染的机理,并提出相应的解决措施。
关键词
注氧机
SOI
SIMOX
溅射
电离
粒子污染
半导体材料
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职称材料
高温离子注入靶盘设计
4
作者
颜秀文
贾京英
+1 位作者
刘咸成
王慧勇
《电子工业专用设备》
2010年第11期7-9,13,共4页
简要介绍了高温离子注入靶室的设计。通过设计辅助加热装置使离子注入时晶片表面温度达到500℃以上,并通过靶盘旋转和往返平移扫描的方式实现了晶片片内和片间的温度均匀性,满足了碳化硅掺杂、SOI晶片制造等特殊需要。
关键词
高温离子注入靶室
晶片爪
设计
热分析
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职称材料
一种双真空室结构磁控溅射台的研制
被引量:
2
5
作者
全廷立
刘咸成
贾京英
《真空》
CAS
2012年第1期57-59,共3页
本文研制了一种较高档的磁控溅射镀膜设备,用于微电子器件规模化生产过程中的基片表面镀膜。该设备采用双真空室结构,使溅射室始终维持较高的真空度和洁净度,提高镀膜质量和镀膜效率。环绕溅射室设计了3个直流靶和1个射频靶,能够溅射金...
本文研制了一种较高档的磁控溅射镀膜设备,用于微电子器件规模化生产过程中的基片表面镀膜。该设备采用双真空室结构,使溅射室始终维持较高的真空度和洁净度,提高镀膜质量和镀膜效率。环绕溅射室设计了3个直流靶和1个射频靶,能够溅射金属膜、介质膜、混合物和化合物薄膜。文中详述了该设备的设计原理、总体结构及工艺控制方法。该磁控溅射台已开发成功并投入使用,替代了同类进口设备。
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关键词
磁控溅射
双室结构
直流溅射
射频溅射
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职称材料
一种氧离子注入的均匀性控制系统设计
6
作者
郭忠君
贾京英
刘咸成
《自动化与仪器仪表》
2012年第4期74-76,共3页
在SIMOX工艺制作过程中,氧离子注入的均匀性对SOI材料表面硅厚度的均匀性和SiO2埋层厚度的均匀性起着直接的决定性的作用。文章介绍了一种氧离子注入均匀性控制系统的工作原理和设计方案,该方案应用于我所研制的强流氧离子注入机,取得...
在SIMOX工艺制作过程中,氧离子注入的均匀性对SOI材料表面硅厚度的均匀性和SiO2埋层厚度的均匀性起着直接的决定性的作用。文章介绍了一种氧离子注入均匀性控制系统的工作原理和设计方案,该方案应用于我所研制的强流氧离子注入机,取得了理想的效果。
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关键词
离子注入
均匀性控制
SOI
SIMOX
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职称材料
题名
一台专用强流氧离子注入机的研制
被引量:
2
1
作者
唐景庭
伍三忠
贾京英
郭健辉
刘咸成
机构
中国电子科技集团公司第四十八研究所
出处
《集成电路应用》
2003年第2期66-70,共5页
文摘
制备SOI材料的SIMOX技术因其工艺简单、易控制、重复性好、成本低、易向商业化过渡等优点而引起了SOI材料界更为广泛的关注。SIMOX技术所需要的最关键的设备就是大束流专用氧离子注入机。专用氧离子注入机与常规离子注入机有较大的区别:注氧时间长,注入剂量大,注入过程中要求晶片保持600℃左右的高温,金属污染非常低。本文着重介绍一台专用强流氧离子注入机主要结构单元的研制方法及工艺试验结果分析。
关键词
S0I材料
SIMOX技术
氧离子注入机
高温靶室
离子源
金属污染
分类号
TN304.05 [电子电信—物理电子学]
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
强流氧离子注入机注入均匀性分析及提高
2
作者
刘咸成
贾京英
唐景庭
机构
中国电子科技集团第四十八研究所
出处
《电子工业专用设备》
2005年第4期48-52,59,共6页
文摘
对强流氧离子注入机的注入靶室进行分析探讨,对影响均匀性指标的靶盘结构、束的形状和束扫描注入方式进行研究,结合主体硬件,增加晶片自旋装置和采用新的扫描方式,来提高注入均匀性指标。
关键词
注入机
离子束
均匀性
变速扫描
SOI
Keywords
Implanter
Ion beam
Uniformity
Variable velocity scan
SOI
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
关于SOI(SIMOX)材料在注入过程中粒子污染的研究
3
作者
刘咸成
唐景庭
伍三忠
贾京英
郭建辉
刘求益
机构
中国电子科技集团公司第四十八研究所
出处
《集成电路应用》
2003年第3期53-55,共3页
文摘
本文描述注氧机在制作SOI(SIM0X)材料时,注入过程对顶层硅中产生粒子污染的影响,结合SIMS测试结果,从光路结构、电器参数、靶室等方面阐述粒子污染的机理,并提出相应的解决措施。
关键词
注氧机
SOI
SIMOX
溅射
电离
粒子污染
半导体材料
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
高温离子注入靶盘设计
4
作者
颜秀文
贾京英
刘咸成
王慧勇
机构
中国电子科技集团公司第四十八研究所
出处
《电子工业专用设备》
2010年第11期7-9,13,共4页
文摘
简要介绍了高温离子注入靶室的设计。通过设计辅助加热装置使离子注入时晶片表面温度达到500℃以上,并通过靶盘旋转和往返平移扫描的方式实现了晶片片内和片间的温度均匀性,满足了碳化硅掺杂、SOI晶片制造等特殊需要。
关键词
高温离子注入靶室
晶片爪
设计
热分析
Keywords
High Temperature Ion Implantation Target Chamber
Wafer Holder
Design
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一种双真空室结构磁控溅射台的研制
被引量:
2
5
作者
全廷立
刘咸成
贾京英
机构
中国电子科技集团公司第四十八研究所
出处
《真空》
CAS
2012年第1期57-59,共3页
文摘
本文研制了一种较高档的磁控溅射镀膜设备,用于微电子器件规模化生产过程中的基片表面镀膜。该设备采用双真空室结构,使溅射室始终维持较高的真空度和洁净度,提高镀膜质量和镀膜效率。环绕溅射室设计了3个直流靶和1个射频靶,能够溅射金属膜、介质膜、混合物和化合物薄膜。文中详述了该设备的设计原理、总体结构及工艺控制方法。该磁控溅射台已开发成功并投入使用,替代了同类进口设备。
关键词
磁控溅射
双室结构
直流溅射
射频溅射
Keywords
magnetron sputtering
double chambers
DC sputtering
RF sputtering
分类号
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
一种氧离子注入的均匀性控制系统设计
6
作者
郭忠君
贾京英
刘咸成
机构
中国电子科技集团公司第四十八研究所
出处
《自动化与仪器仪表》
2012年第4期74-76,共3页
文摘
在SIMOX工艺制作过程中,氧离子注入的均匀性对SOI材料表面硅厚度的均匀性和SiO2埋层厚度的均匀性起着直接的决定性的作用。文章介绍了一种氧离子注入均匀性控制系统的工作原理和设计方案,该方案应用于我所研制的强流氧离子注入机,取得了理想的效果。
关键词
离子注入
均匀性控制
SOI
SIMOX
Keywords
Ion Implantation
Uniformity Control
Silicon-On-Insulator(SOI)
Separation by the Implantation of Oxygen (SIMOX)
分类号
TP13 [自动化与计算机技术—控制理论与控制工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一台专用强流氧离子注入机的研制
唐景庭
伍三忠
贾京英
郭健辉
刘咸成
《集成电路应用》
2003
2
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职称材料
2
强流氧离子注入机注入均匀性分析及提高
刘咸成
贾京英
唐景庭
《电子工业专用设备》
2005
0
下载PDF
职称材料
3
关于SOI(SIMOX)材料在注入过程中粒子污染的研究
刘咸成
唐景庭
伍三忠
贾京英
郭建辉
刘求益
《集成电路应用》
2003
0
下载PDF
职称材料
4
高温离子注入靶盘设计
颜秀文
贾京英
刘咸成
王慧勇
《电子工业专用设备》
2010
0
下载PDF
职称材料
5
一种双真空室结构磁控溅射台的研制
全廷立
刘咸成
贾京英
《真空》
CAS
2012
2
下载PDF
职称材料
6
一种氧离子注入的均匀性控制系统设计
郭忠君
贾京英
刘咸成
《自动化与仪器仪表》
2012
0
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职称材料
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