制备工艺参量对超大颗粒石墨/铜基复合材料基本性能的影响

添加超大石墨颗粒来提高铜的润滑性能具有制备操作简便、工艺成本低等优点。文章在研制超大粒度石墨颗粒作为功能相的铜基复合材料基础上,探讨制备工艺参量对该复合材料热导率、压缩强度和摩擦系数等基本性能的影响。研究发现,该复合制品的热导率明显大于采用等质量的较小粒度石墨原料的复合制品;石墨含量越多,颗粒越小,铜/石墨复合样品的热导率就越低。结果表明,该复合制品的规定非比例压缩强度和抗压强度均明显高于采用较小石墨颗粒的复合制品,其力学性能主要与石墨颗粒大小和添加量有关。在本工作的粒度范围(120~1500μm)和含量范围(5%~15%)内,石墨颗粒越大,含量越少,其复合制品的力学强度就越好。研究还表明:该复合制品的摩擦系数与采用等质量的较小粒度石墨原料的复合制品基本相当;对于摩擦性能,本工作中的石墨含量以10%为佳,粒度以32目即约为720μm为佳。

多孔金属材料的应用

本文综合介绍了多孔金属材料的应用 ,目的在于促进该材料性能结构的进一步改善 ,并获得更好的应用前景。

多孔金属电极基体材料

简要介绍了电池用多孔金属电极基体材料的主要类型及其特点、基本性能要求和制备方法 ,旨在提供改善该材料制备工艺的线索和强化其性能及性能关系研究的必要。

泡沫金属电阻率的计算方法

泡沫金属的孔率是一项易于测知和易于在制备过程中进行控制的特性指标， 而其电阻率在这两方面都比较困难。本文通过建立新的针对性理论公式，并与有关计算公式一起进行应用分析，找到了较合适的用孔率计算高孔率泡沫金属电阻率的方法，从而为多孔金属材料的整体优化设计和高孔率泡沫金属生产过程中电阻率指标的控制提供便利。

多孔金属材料制备方法

本文概述了多孔金属材料的类型和特点，着重介绍了该材料的各种制备方法，以期提供一些优化组合生产工艺的线索。

多孔金属抗拉强度公式中的指数项取值

高孔率材料抗拉强度公式中的指数项，对强度的计算结果具有重要影响．运用相关实验数据对有关公式中指数项的取值进行了验证．结果表明，对于中塑性的高孔率金属材料，该指数项取１ ．２５比取１，５（即３／２）更适宜．

多孔材料模型分析

多孔泡沫材料的制备、应用和性能研究均不断取得新的进展。在关于多孔材料结构和性能方面的理论中,著名的经典性模型——Gibson-Ashby模型一直受到国际同行的普遍认同,迄今仍然是众多研究者在研究工作中广泛应用的理论基础。对该模型尚存在的若干不足和问题进行了一些补充思考和分析,发现其中有些缺陷甚至可以打破该模型原来表现出来的"完满性"。在总结陈述这些问题的基础上,引荐了可以克服或弥补上述模型不足的另一个模型。

DZ40M钴基合金的高温内氧化现象

观察了DZ40M钴基合金在99～1100℃下，经不同时间空气氧化后的内部组织，发现该合金在各曝露温度下均产生了内氧化区，该区靠近外氧化层处主要是Cr的内氧化而离外氧化层较远处主要是Al的内氧化，且随着温度的提高，内氧化物由颗粒状向外状过渡。另外，温度越高，氧化越深入，外氧化层越易开裂和剥落。

随机振动下板级组件焊点可靠性研究进展

针对板级组件焊点在随机振动下的可靠性问题,对与之相关的实验研究成果和仿真结果进行了综述。首先介绍了球栅阵列(BGA)封装芯片焊点失效的位置,BGA焊点的材料以及BGA参数和印制电路板(PCB)参数对焊点可靠性的分析,并介绍了疲劳寿命预测方法和子模型法、特殊结构的随机振动分析。最后,提出了随机振动情况下的BGA结构的优化方法。

钴基合金铝化物涂层在高温氧化过程中的主要退化方式

铝化物涂层在高温氧化过程中主要以两种方式退化 ,一是涂层的表面氧化退化 ,二是涂层的内扩散退化。DZ40 M钴基高温合金铝化物涂层经 90 0℃和 10 0 0℃两个温度下的高温氧化后的组织结构变化表明 ,该涂层在 90 0℃时以氧化引起的退化为主 ,而在 10 0 0℃时则以内扩散引起的退化为主。通过理论分析可知 ,涂层以何种退化方式为主 ,既取决于氧化温度 。

DZ40M合金铝化物涂层的高温氧化蚀点现象

DZ40 M钴基合金铝化物涂层在高温氧化过程中的失效特点 ,是在氧化膜之上产生隆起的深色蚀点。蚀点的出现标志着涂层局部失效的开始。蚀点增加并长大 ,则对应着涂层失效面积的扩展。形成的蚀点最终覆盖整个涂层表面 ,意味着涂层完全失效。

硅通孔技术的发展与挑战

3D堆叠技术近年来发展迅速,采用硅通孔技术(TSV)是3D堆叠封装的主要趋势。介绍了3D堆叠集成电路、硅通孔互连技术的研究现状、TSV模型;同时阐述了TSV的关键技术与材料,比如工艺流程、通孔制作、通孔填充材料、键合技术等;最后分析了其可靠性以及面临的挑战。TSV技术已经成为微电子领域的热点,也是未来发展的必然趋势,运用它将会使电子产品获得高性能、低成本、低功耗和多功能性。

金红石型纳米TiO2的液相激光烧蚀合成

利用浸入聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)水溶液中的金属钛片为靶材,采用1064nm红外脉冲激光进行液相激光烧蚀制备了金红石型纳米TiO2。应用XRD、TEM、HRTEM和Raman对产物进行表征,并对其形成机理进行了探讨。结果表明:金红石型纳米TiO2可通过液相激光烧蚀法在室温下一步合成,颗粒平均粒径约50nm,尺寸分布比较窄,分散性较好。脉冲激光诱导的瞬间等离子体可能是金红石型纳米TiO2形成的主要原因。

铜线键合技术的发展与挑战

铜线键合技术近年来发展迅速,超细间距引线键合是目前铜线键合的主要发展趋势。介绍了铜线键合的防氧化措施以及键合参数的优化,并从IMC生长及焊盘铝挤出方面阐述了铜线键合的可靠性机理。针对铜线在超细间距引线键合中面临的问题,介绍了可解决这些问题的镀钯铜线的性能,并阐述了铜线的成弧能力及面临的挑战。

不同扩张液在冠状动脉旁路移植术中对大隐静脉内皮细胞保护的对比研究

目的:对比研究不同扩张液对大隐静脉内皮细胞保护作用,探讨其临床应用价值。方法:连续90例行冠状动脉旁路移植术(CABG)的患者被随机分为三硝酸甘油-维拉帕米组(GV组,n=28)、罂粟碱组(Pap组,n=32)以及空白对照组(n=30)。常规扩张离取后的大隐静脉,各组的扩张液各不相同。测量扩张过程中扩张压力的峰值,扩张后单位面积血管内皮细胞(VEC)的死亡数目,以及扩张后单位面积VEC合成释放一氧化氮(NO)的量。结果:3组扩张液扩张后均可见大隐静脉内膜VEC的死亡,以及中膜血管平滑肌的撕裂。但是GV组扩张压力峰值和单位面积VEC死亡数目明显小于Pap组和空白对照组(P<0.05),而单位内皮合成释放NO量明显高于Pap组和空白对照组(P<0.05)。结论:大隐静脉离取后扩张是损伤血管内膜的过程,GV组扩张液能明显降低扩张大隐静脉所需的压力,并且能最大限度的保护VEC和血管内膜的完整性,在具体的临床应用上能提高大隐静脉桥的远期通畅率。

圆片级封装的研究进展

圆片级封装(wafer level package,WLP)因其在形状因数、电性能、低成本等方面的优势,近年来发展迅速。概述了WLP技术近几年的主要发展。首先回顾标准WLP结构,并从焊球结构等方面对其进行了可靠性分析。其次介绍了扩散式WLP工艺以及它的典型应用,并说明了扩散式WLP存在的一些可靠性问题。最后总结了WLP技术结合硅通孔技术(TSV)在三维叠层封装中的应用。

DZ40M钴基合金铝化物涂层的循环氧化

以新型定向凝固钴基高温合金 DZ40 M为基体 ,研究其低压化学气相沉积铝化物涂层的循环氧化行为 ,发现该涂层具有较高的抗循环氧化性能 ,涂层与基体结合良好。涂层退化主要是由外表面氧化膜的愈合消耗 Al源所造成 ,沉积渗剂中加入 Ti可加速涂层的退化。

DZ40M钴基合金的高温氧化

测定了ＤＺ４０Ｍ 钴基合金在９００ ～１１００ ℃空气中的氧化动力学曲线，观察分析了各温度下经不同时间氧化后合金的表面氧化物形貌和组成。该合金在９００ 和１０００ ℃的静态氧化较好地符合抛物线规律，而在１０５０ 和１１００ ℃时由于氧化皮严重开裂和剥落而近乎呈直线发展。两者的氧化层形成机制有所不同，９００ 和１０００ ℃的后期氧化产物以Ｃｒ２Ｏ３ 为主，形成连续致密的保护层；１０５０ 和１１００ ℃的后期氧化产物以ＣｏＣｒ２Ｏ４ 为主，不形成完整的Ｃｒ２Ｏ３ 保护层。

精简热模型在集成电路封装中的应用研究

探讨了为一款FBGA封装产品建立DELPHI型热阻网络的新方法。首先利用恒温法为芯片封装建立星型网络,在此基础之上求解支路耦合热阻值,构成DELPHI型热阻网络。经过仿真验证显示,所建立的两种DELPHI型热阻网络模型与详细热模型(DTM)的结温误差均在10%以内,从而具备较好的边界条件独立性。

电沉积法制备泡沫Ni的组织结构

观察了电沉积法制备泡沫Ｎｉ过程中各阶段的Ｎｉ层组织形态变化，结果表明：电镀后和６００℃空气处理４ｍｉｎ后的Ｎｉ层均为细晶组织，但经８５０℃和９８０℃的氢分解气氛处理４０ｍｉｎ后，均达到充分烧结，泡沫Ｎｉ表面平整致密。