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包埋Pt纳米粒子对金属-半导体-金属结构ZnO紫外光电探测器性能的影响 被引量：7
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作者 裴佳楠 蒋大勇 +8 位作者 田春光 郭泽萱 刘如胜 孙龙 秦杰明 侯建华 赵建勋 梁庆成 高尚 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期368-372,共5页
利用射频磁控溅射设备制备ZnO薄膜,最终制备ZnO/Pt纳米粒子/ZnO结构的金属-半导体-金属型紫外光电探测器.研究了Pt纳米粒子处在ZnO薄膜层中的不同深度对金属-半导体-金属型紫外光电探测器响应性能的影响.结果表明,探测器的响应度随着Pt... 利用射频磁控溅射设备制备ZnO薄膜,最终制备ZnO/Pt纳米粒子/ZnO结构的金属-半导体-金属型紫外光电探测器.研究了Pt纳米粒子处在ZnO薄膜层中的不同深度对金属-半导体-金属型紫外光电探测器响应性能的影响.结果表明,探测器的响应度随着Pt纳米粒子在ZnO薄膜层中所处深度的增大而升高.在60 V偏压下,包埋Pt最深的探测器在波长365 nm处取得响应度最大值1.4 A·W-1,包埋有Pt探测器的响应度最大值为无Pt纳米粒子探测器响应度最大值的7倍.结合对ZnO薄膜表面的表征及探测器各项性能的测试,得出包埋Pt纳米粒子增强器件的响应性能可归因于表面等离子体增强散射. 展开更多
关键词 ZNO薄膜 紫外光电探测器 表面等离子体 PT纳米粒子
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