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题名直流磁控溅射铬膜附着性的影响因素研究
被引量:2
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作者
刘宗贺
方雪冰
刘波
凌味未
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机构
深圳深爱半导体有限公司
电子科技大学
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出处
《实验科学与技术》
2006年第1期31-32,43,共3页
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文摘
讨论了采用直流磁控溅射法在锆合金表面镀铬时,基体的粗糙度、退火工艺、薄膜厚度及溅射前的基体离子轰击对铬薄膜附着性的影响。以自动划痕测试仪测试样品的膜/基结合力,结果表明:退火处理能大幅度增强铬膜的附着性;薄膜厚度的增加却会使其附着性降低;而基体粗糙度对附着性并无大的影响。
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关键词
直流磁控溅射
铬膜
附着性
表面粗糙度
退火
膜厚
离子轰击
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Keywords
DC magnetron sputtering
Cr films
adhesion
surface roughness
anneal
filmthickness
ion bombardment
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分类号
TN305.92
[电子电信—物理电子学]
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题名优化栅的VDMOS器件结构及特性简析
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作者
刘宗贺
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机构
深爱半导体股份有限公司
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出处
《集成电路应用》
2011年第8期22-23,共2页
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文摘
垂直双扩散MOSFET(VDMOSl由于具有独特的高输入阻抗、低驱动功率、高开关速度(多子导电器件)、优越的频率特性及低噪声等特点,在功率集成电路及系统中已经得到十分广泛的应用,主要应用于电机调速、逆变器、开关电源、电子开关、高保真音响、汽车电器和电子镇流器等多个领域。作为开关器件的它为电子设备提供所需电源与电机设备驱动。
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关键词
频率特性
VDMOS
器件结构
优化
功率集成电路
电机调速
开关电源
高输入阻抗
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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题名蒸金设备、工艺改进分析
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作者
方雪冰
刘宗贺
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机构
深圳深爱半导体有限公司
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出处
《中国材料科技与设备》
2006年第5期118-120,共3页
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文摘
本文主要介绍了两种不同的结构和蒸发源的蒸金镀膜的方法以他们在现代半导体工业中的应用及带来的经济效果。
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关键词
坩埚
晶圆片
行星架结构
蒸发源
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Keywords
Crucible
Wafer
Planetary fixture
Evaporation source
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分类号
TQ153.4
[化学工程—电化学工业]
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题名基于MARK50型电子束蒸发设备高压故障分析研究
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作者
方雪冰
侯海峰
刘宗贺
易锦程
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机构
深圳深爱半导体有限公司
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出处
《中国材料科技与设备》
2011年第1期82-84,共3页
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文摘
本文分析了MARK50型蒸发台常见的高压、发射电流和电子柬斑故障现象,并从维修的经验方面进行分析,给出了每种现象的检查和维修方法。
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关键词
高压
电流
电子柬斑
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Keywords
High voltage
Current
Electron beam
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分类号
TM924.15
[电气工程—电力电子与电力传动]
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题名基于CTI400冷凝泵故障分析研究
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作者
方雪冰
武大柱
刘宗贺
侯海峰
陶利勇
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机构
深圳深爱半导体有限公司
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出处
《价值工程》
2011年第20期25-26,共2页
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文摘
本文通过介绍CTI 400冷凝泵工作原理,常见的故障与产生这些故障可能存在的原因,为解决这些常见问题提供了理论指导。
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关键词
冷头
温度
抽速
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Keywords
cold head
temperature
pumping speed
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分类号
O471
[理学—半导体物理]
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