陕西彬县百子沟滑坡预报的尝试

通过野外调查、形变监测，宏观前兆分析，对百子沟矿区滑坡蠕变规律和运动过程作了较全面的论述。为黄土高源滑坡、矿区滑坡临滑预报做出了范例。

一种沟槽型功率器件漏电的研究

随着环保意识以及节能需求的不断增加,功率器件的市场越来越大,沟槽型功率器件由于可以在有效的面积上形成较低的导通电阻,得到了广泛的应用。在良率测试中,漏电作为一个重要的参数,具有很多种可能的失效机制。研究一种经常出现于正方形元胞结构中、击穿电压正常但漏电却很高的特殊现象,给出"双MOS管"的漏电模型,立体结构中的侧棱部分决定了漏电的大小。通过模拟及实际流片,使用比较简单的调整阱注入的方式,验证模型的正确性,在维持击穿电压等参数不变的情况下,正方形元胞的漏电得到了极大的降低,获得了同条状型元胞同样的器件性能。虽以正方形元胞为例做了研究,但其理论模型和解决方案同样适用于其他具有多个侧面和侧棱的元胞结构,如六边形等。

LDMOS工艺改进提高击穿电压的稳定性

LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)由于可以承受一定的高电压、同常规CMOS平台容易兼容等特点,集成生产出的芯片兼备了耐压、低能耗、低成本等特性,在电源管理等领域得到了广泛的推广和应用。击穿电压和导通状态下单位面积的阻值是衡量LDMOS优良与否的关键参数,而在生产过程中,由于工艺步骤的波动,将会导致击穿电压等电性参数的波动。这是以40V N型LDMOS为例,研究了在实际生产中击穿电压的不稳定性,通过分析和实验,调整了生产工艺的顺序、具体工艺的条件,改善了击穿电压的不稳定性,使得击穿电压的标准差从工艺改进前的4 V降低到了改进后的1 V以内;由于击穿电压的稳定,我们缩小了器件布局的参数,从而降低了单位面积的导通电阻。

一种新型全光开关

提出了一种用指数型变耦合系数定向耦合器同高斯型变耦合系数定向耦合器级联所构成的新型全光开关。理论分析及数值模拟均表明 ,它同用常系数定向耦合器级联所得的器件相比 ,具有一个很大的优点 ,即可以消除开关曲线在过开关区中的振荡 ,因而具有更好的开关特性 ;同时 ,它同用高斯型变耦合系数定向耦合器级联所得的器件相比 ,具有陡峭的动态开关区 (即功率透过率从 0逐渐升至 1的区域 )。综上所述 ,该级联耦合器更加适合于做全光开关 ,且在满足一定的开关曲线的要求下 ,可以通过改变各级联耦合器的参量以改变单元耦合器的数目。

复合型变耦合系数定向耦合器开关特性的研究

研究了高斯常数高斯平滑连接的复合型变耦合系数定向耦合器的开关特性曲线。研究了耦合器各分段长度对开关曲线的影响。数值模拟发现 ,耦合器各组成部分的参量对耦合器开关曲线尾部的振荡及开关功率的大小均有影响 ,且呈现出一定的规律性。高斯型波导部分的相对长度以及直波导部分所占份额共同决定了耦合器开关曲线尾部的振荡大小 ,且开关曲线的振荡与耦合函数的傅里叶变换的振荡密切相关。

均匀分层介质中标准矢量波函数的构成

研究了在均匀分层介质中构成标准矢量波函数的必要条件。研究结果表明在均匀分层介质中构成标准矢量波函数一般需遵循Morse Feshbach判据外 ,领示矢量只能选取与折射率变化方向一致的那根坐标轴单位矢量。但在某些特定的条件下 ,对领示矢量的选取条件可以放宽为只需遵循Morse

变耦合系数非线性三波导定向耦合器特性研究

报道了对高斯型及指数型变耦合系数三波导耦合器的一些重要的全光开关特性进行的研究。利用四阶龙格库塔方法对指数型和高斯型两类变耦合系数三波导耦合器进行了数值计算。数值计算结果表明:对于变耦合系数三波导耦合器而言,功率可在波导1与波导3之间100% 转换,而波导2则不可能达到100% 的功率输出。与双波导变耦合系数耦合器相比,在相同的最大耦合系数情况下三波导变耦合系数耦合器开关曲线要更陡一些,即具有更好的开关特性。与平行三波导耦合器相比,变耦合系数三波导耦合器作为光开关的最大优点在于开关曲线中不存在振荡。