用低温化学气相沉积法大量制备单晶ZnO纳米线及其光致发光研究

在氩气气氛中,利用物理蒸发高纯Zn粉和SiO2纳米粉混合物的方法,控制温度在650℃时,获得了大量的六方相ZnO纳米线,直径约40nm,这和先前报道的制备ZnO纳米线的方法相比,温度降低了大约200℃-300℃.纳米线的生长过程中遵循气-固相生长机制.荧光光谱表明产物具有两个发射带,一个处于紫外波段,另一个处在绿光发射带.

非水相合成在非氧化物半导体纳米晶材料制备中的应用进展

半导体纳米晶材料由于具有表面效应、量子尺寸效应、介电限域效应、特殊的热学性质、光学性质及光电化学性质等而成为材料科学和化学领域的研究热点.在研究它们独特性质的时候,制备出各种高质量的纳米晶材料就成为必备条件之一.非水相合成相对于已报道的其它方法而言,具有很多优点,如:单分散性好,粒径容易控制、产物的结晶度高等,而越来越被研究者关注.本文对近几年关于半导体纳米晶材料的非水相合成方法进行了综述.