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界面特性对InAs/GaSb Ⅱ型超晶格光学性质影响理论研究
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作者 马泽军 李远 +9 位作者 朱申波 程凤敏 刘俊岐 王利军 翟慎强 卓宁 陈涌海 张锦川 刘舒曼 刘峰奇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期817-823,共7页
InAs/GaSb Ⅱ型超晶格是中红外谱段光电子器件的核心结构,其Ⅱ型能带排列特点使电子、空穴在实空间分离而跨过界面,其非公共原子构型使得界面态丰富。我们在Burt-Foreman包络函数理论的基础上,讨论了不同界面态对超晶格电子能态和波函... InAs/GaSb Ⅱ型超晶格是中红外谱段光电子器件的核心结构,其Ⅱ型能带排列特点使电子、空穴在实空间分离而跨过界面,其非公共原子构型使得界面态丰富。我们在Burt-Foreman包络函数理论的基础上,讨论了不同界面态对超晶格电子能态和波函数的调控作用。理论计算表明,超晶格缓变界面和界面势两种不对称界面态分布,都会导致重空穴带的自旋劈裂,而只有施加界面势时才会使得轻空穴带发生自旋劈裂。此外,研究了改变阱宽和改变势垒时超晶格体系带隙的变化趋势。结果表明,随着势垒厚度增大,陡峭界面和缓变界面两种界面态下的带隙计算结果逐渐降低,并且随着厚度增加带隙趋于收敛,而界面势下的带隙计算结果随着势垒厚度的增大而增大,与前两者呈现相反的趋势,这为中红外超晶格器件的精确设计提供了可参考的理论基础。 展开更多
关键词 锑化物 超晶格 界面态 前后向差分法
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MOCVD生长的中红外高功率量子级联激光器
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作者 杨鹏昌 李曼 +4 位作者 孙永强 程凤敏 翟慎强 刘峰奇 张锦川 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期794-799,共6页
量子级联激光器(QCL)是中远红外波段的优质光源,具有体积小、重量轻、电光转化效率高等诸多优势,在传感、通信和国防等领域有重要的应用前景。金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术作为更高效的外延方式,应发展适用于QCL的MOCVD外延生长... 量子级联激光器(QCL)是中远红外波段的优质光源,具有体积小、重量轻、电光转化效率高等诸多优势,在传感、通信和国防等领域有重要的应用前景。金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术作为更高效的外延方式,应发展适用于QCL的MOCVD外延生长技术以满足快速增长的市场需求。本文报道了全结构由MOCVD技术外延的QCL,通过将传统的“双声子共振”有源区结构修订为“单声子共振结合连续态抽取”结构,减少了电子的热逃逸,改善了器件的温度特性。针对该结构,进一步改变了有源区的掺杂浓度,并对比了不同掺杂浓度对器件性能的影响。腔长8 mm、平均脊宽约6.7μm的较高掺杂有源区器件在20℃下连续输出功率达3.43 W,中心波长约4.6μm,电光转化效率达13.1%;8 mm腔长的较低掺杂有源区器件在20℃下连续输出功率达2.73 W,中心波长约4.5μm,阈值电流仅0.56 A,峰值电光转化效率达15.6%。器件的输出功率和电光转化效率较之前文献报道的MOCVD制备的QCL有明显提高。该结果表明,MOCVD完全具备生长高功率QCL的能力,这对推动QCL的技术进步具有重要意义。 展开更多
关键词 量子级联激光器 中红外 高功率 金属有机物化学气相沉积
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单模带间级联激光器(特邀)
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作者 刘舒曼 张锦川 +6 位作者 叶小玲 刘俊岐 王利军 卓宁 翟慎强 李远 刘峰奇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期30-49,共20页
基于锑化物的带间级联激光器同时具有带间跃迁的高增益和级联结构的高量子效率,是中红外波段重要的相干光源,其功耗低于其它中红外半导体激光器,因而单模带间级联激光器在基于激光吸收光谱技术的高分辨气体检测和化学传感等领域具有很... 基于锑化物的带间级联激光器同时具有带间跃迁的高增益和级联结构的高量子效率,是中红外波段重要的相干光源,其功耗低于其它中红外半导体激光器,因而单模带间级联激光器在基于激光吸收光谱技术的高分辨气体检测和化学传感等领域具有很大的优势。目前利用Bragg光栅实现波长选择的单模分布反馈带间级联激光器已经实现商品化,但是,与同样有源区结构的Fabry-Pérot腔带间级联激光器最高600 mW的出光功率相比,单模功率最高55 mW,损耗较大。对几种不同结构的分布反馈带间级联激光器的性能进行对比分析,探讨这类单模中红外激光器损耗的主要来源以及改进思路。此外,介绍了垂直腔面发射和光子晶体带间级联激光器的进展,并与分布反馈带间级联激光器的性能进行比较,讨论其优缺点及适用的场景。 展开更多
关键词 中红外 单模 带间级联激光器 分布反馈 面发射激光器
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Investigation of reflection anisotropy induced by micropipe defects on the surface of a 4H-SiC single crystal using scanning anisotropy microscopy
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作者 黄威 俞金玲 +7 位作者 刘雨 彭燕 王利军 梁平 陈堂胜 徐现刚 刘峰奇 陈涌海 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第3期630-637,共8页
Optical reflection anisotropy microscopy mappings of micropipe defects on the surface of a 4H-SiC single crystal are studied by the scanning anisotropy microscopy(SAM)system.The reflection anisotropy(RA)image with a&#... Optical reflection anisotropy microscopy mappings of micropipe defects on the surface of a 4H-SiC single crystal are studied by the scanning anisotropy microscopy(SAM)system.The reflection anisotropy(RA)image with a'butterfly pattern'is obtained around the micropipes by SAM.The RA image of the edge dislocations is theoretically simulated based on dislocation theory and the photoelastic principle.By comparing with the Raman spectrum,it is verified that the micropipes consist of edge dislocations.The different patterns of the RA images are due to the different orientations of the Burgers vectors.Besides,the strain distribution of the micropipes is also deduced.One can identify the dislocation type,the direction of the Burgers vector and the optical anisotropy from the RA image by using SAM.Therefore,SAM is an ideal tool to measure the optical anisotropy induced by the strain field around a defect. 展开更多
关键词 scanning anisotropy microscopy SiC reflection anisotropy edge dislocation
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面向片上传感量子级联激光器的研究进展(特邀)
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作者 周斌茹 马钰 +2 位作者 张世晨 刘峰奇 陆全勇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期101-115,共15页
作为一种新型半导体激光器,量子级联激光器因其独特的子带间跃迁机制,具有高速响应、高非线性、输出波长大范围可调等特点。近年来随着输出光功率和电光转化效率等性能指标的快速提升,量子级联激光器已成为中红外至太赫兹波段(波长约为3... 作为一种新型半导体激光器,量子级联激光器因其独特的子带间跃迁机制,具有高速响应、高非线性、输出波长大范围可调等特点。近年来随着输出光功率和电光转化效率等性能指标的快速提升,量子级联激光器已成为中红外至太赫兹波段(波长约为3~300μm)的主流激光光源,在大气污染监控、气体检测、太赫兹成像、生物医疗以及空间光通信等领域具有重要科学意义和应用价值。本文阐释了量子级联激光器的发展历程以及工作原理;分别重点讨论了中红外量子级联激光器在高效率、大功率、波长可调谐以及片上传感的应用等方面的研究进展,并对基于中红外量子级联激光器差频太赫兹光源和光频梳的发展进行叙述,最后进行了简要总结与展望。 展开更多
关键词 量子级联激光器 片上传感 光频梳 太赫兹
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应变补偿InGaAs/InAlAs量子级联激光器 被引量:5
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作者 刘峰奇 张永照 +1 位作者 张权生 王占国 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第10期1038-1040,共3页
利用应变补偿的方法研制出激射波长 λ≈ 3.5— 3.7μm的量子级联激光器 .条宽 2 0 μm,腔长 1 .6mm的 Inx Ga1- x As/Iny Al1- y As量子级联激光器已实现室温准连续激射 .在最大输出功率处的准连续激射可持续 30 min以上 .
关键词 量子级联激光器 应变补偿 INGAAS/INALAS
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YBa_2Cu_(3-x)Sn_xO_y超导体系的正电子寿命谱研究 被引量:1
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作者 刘峰奇 刘军政 +3 位作者 程国生 曹世勋 尚家香 张金仓 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第7期425-429,共5页
研究了Sn作Cu位元素替代的YBa2Cu3-xSnxOy超导体系(x=0-1.5)的正电子寿命谱,计算了局域电子密度和缺陷浓度的变化;发现了存在于高浓度替代区域(x=0.8-1.0)的正电子湮没特征;讨论了对超导电性... 研究了Sn作Cu位元素替代的YBa2Cu3-xSnxOy超导体系(x=0-1.5)的正电子寿命谱,计算了局域电子密度和缺陷浓度的变化;发现了存在于高浓度替代区域(x=0.8-1.0)的正电子湮没特征;讨论了对超导电性的影响以及相应的物理机制。 展开更多
关键词 正电子寿命谱 电子密度 缺陷浓度 陶瓷材料
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ZnO压敏陶瓷晶界缺陷的正电子寿命谱研究
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作者 刘峰奇 曹世勋 +2 位作者 魏淑桃 尚家香 张金仓 《功能材料》 EI CAS CSCD 1994年第6期561-564,共4页
用正电子寿命谱(PAS)研究了ZnO压敏陶瓷的晶界缺陷,用简单捕获模型解释PAS结果并估算正电子捕获速率,主要的正电子陷阱是晶粒边界带负电的Zn空位。详细分析了材料制备过程中降温快慢对晶界特性的影响。
关键词 正电子寿命谱 晶界层 缺陷 压敏陶瓷 氧化锌
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短腔长单模量子级联激光器
9
作者 刘峰奇 郭瑜 +4 位作者 李路 邵晔 刘俊岐 路秀真 王占国 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期679-682,共4页
报道了激射波长为5.4和7.84μm的应变补偿In1-xGaxAs/In1-yAlyAs量子级联激光器的单模激射.以高质量的应变补偿量子级联激光器材料为支撑,通过减小FP腔长,开辟实现单模器件的新途径.首次实现阈值电流仅为50mA、腔长为145μm的激射波长... 报道了激射波长为5.4和7.84μm的应变补偿In1-xGaxAs/In1-yAlyAs量子级联激光器的单模激射.以高质量的应变补偿量子级联激光器材料为支撑,通过减小FP腔长,开辟实现单模器件的新途径.首次实现阈值电流仅为50mA、腔长为145μm的激射波长在λ≈5.4μm的单模激射和阈值电流仅为80mA、腔长为170μm的激射波长在λ≈7.84μm的单模激射.这是目前InGaAs/InAlAs材料体系最短腔长的边发射量子级联激光器. 展开更多
关键词 应变补偿量子级联激光器 短腔长 单模激射
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E_u^+注入单晶硅经快速热退火后的喇曼光谱研究
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作者 刘峰奇 石万全 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1991年第4期59-62,共4页
喇曼光谱及扫描镜徽区形貌象说明,E_u^+注入(注入能量350Kev,注入剂量2×10^(15) cm^(-2) )n 型单晶硅后,在表面可形成一连续非晶层.经过895℃快速热退火(RTA)可以消除注入损伤,Si 损伤区恢复完整;当快速退火温度为1285℃时,在硅表... 喇曼光谱及扫描镜徽区形貌象说明,E_u^+注入(注入能量350Kev,注入剂量2×10^(15) cm^(-2) )n 型单晶硅后,在表面可形成一连续非晶层.经过895℃快速热退火(RTA)可以消除注入损伤,Si 损伤区恢复完整;当快速退火温度为1285℃时,在硅表面存在 E_u 的表面偏析及表面增强喇曼散射(SERS)现象,我们对增强机理进行了讨论. 展开更多
关键词 离子注入 快速热退火 SERS SEM
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稀土掺杂ZnS纳米晶中稀土离子与纳米基质之间的能量传递 被引量:11
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作者 刘舒曼 徐征 +1 位作者 刘峰奇 徐叙瑢 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期566-569,共4页
以甲基丙烯酸为表面包覆剂在水 /醇溶液中合成了ZnS∶Eu3+ ,ZnS∶Tb3+ 纳米晶 ,用傅里叶变换红外光谱和X射线粉末衍射谱表征了样品的表面与晶型 ,样品均为立方闪锌矿型 ,没有出现与稀土离子相关的相 ;用光致发光和激发谱研究了样品中的... 以甲基丙烯酸为表面包覆剂在水 /醇溶液中合成了ZnS∶Eu3+ ,ZnS∶Tb3+ 纳米晶 ,用傅里叶变换红外光谱和X射线粉末衍射谱表征了样品的表面与晶型 ,样品均为立方闪锌矿型 ,没有出现与稀土离子相关的相 ;用光致发光和激发谱研究了样品中的发光过程 ,其中ZnS∶Tb3+ 纳米晶中存在纳米基质与Tb3+ 之间的能量传递 ,并引起Tb3+ 的特征发射。 展开更多
关键词 稀土 纳米晶 能量传递 光致发光 ZNS 硫化锌 掺杂 纳米基质 半导体
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大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器 被引量:7
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作者 王占国 刘峰奇 +4 位作者 梁基本 徐波 丁鼎 龚谦 韩勤 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期827-829,共3页
利用分子束外延技术和 S- K生长模式 ,系统研究了 In As/Ga As材料体系应变自组装量子点的形成和演化 .研制出激射波长λ≈ 960 nm,条宽 1 0 0μm,腔长 80 0μm的 In( Ga) As/Ga As量子点激光器 :室温连续输出功率大于 3.5W,室温阈值电... 利用分子束外延技术和 S- K生长模式 ,系统研究了 In As/Ga As材料体系应变自组装量子点的形成和演化 .研制出激射波长λ≈ 960 nm,条宽 1 0 0μm,腔长 80 0μm的 In( Ga) As/Ga As量子点激光器 :室温连续输出功率大于 3.5W,室温阈值电流密度 2 1 8A/cm2 ,0 .61 W室温连续工作寿命超过 展开更多
关键词 量子点激光器 砷化镓 分子束外延
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ZnO∶Tb纳米晶的制备、结构与发光性质 被引量:3
13
作者 刘舒曼 刘峰奇 +2 位作者 郭海清 张志华 王占国 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期418-422,共5页
采用乙醇溶液中水解醋酸盐的方法合成了一种稀土掺杂的半导体纳米材料——掺铽的 Zn O纳米晶 ,并对其结构与发光性质进行了研究 ,结果表明掺铽的 Zn O纳米晶为六方纤锌矿结构 ,纳米颗粒表面有醋酸根络合物使颗粒之间互相分散 ,Zn O纳米... 采用乙醇溶液中水解醋酸盐的方法合成了一种稀土掺杂的半导体纳米材料——掺铽的 Zn O纳米晶 ,并对其结构与发光性质进行了研究 ,结果表明掺铽的 Zn O纳米晶为六方纤锌矿结构 ,纳米颗粒表面有醋酸根络合物使颗粒之间互相分散 ,Zn O纳米基质与发光中心之间存在能量传递 ,引起稀土铽的特征发光 . 展开更多
关键词 纳米晶 稀土 结构 发光性质 氧化锌 导体材料
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GaAs基量子级联激光器材料结构设计的进展 被引量:4
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作者 刘俊岐 刘峰奇 +3 位作者 车晓玲 黄秀颀 雷文 王占国 《微纳电子技术》 CAS 2004年第8期6-13,共8页
GaAs基量子级联激光器的出现,在器件的设计制作和处理工艺上开辟了有意义的前景。本文概述了近年来GaAs基量子级联激光器在波导核心层、波导以及光学谐振腔方面设计的原理、进展,并介绍了一些新颖的结构。
关键词 量子级联激光器 注入区 有源区 波导 谐振腔
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Ga As/Al Ga As量子级联激光器 被引量:3
15
作者 刘俊岐 路秀真 +2 位作者 郭瑜 刘峰奇 王占国 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期624-626,共3页
利用分子束外延方法生长了激射波长约为 9μm的 GaAs/Al0 45 Ga0 55 As量子级联激光器.条宽 35μm,腔长2mm的器件准连续激射温度最高达120K,81K下未经收集效率修正的峰值功率超过70mW.
关键词 量子级联激光器 分子束外延 有源区 注入区
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应变层InGaAsP量子阱激光器结构的调制光谱研究 被引量:3
16
作者 金鹏 李成明 +7 位作者 张子旸 孟宪权 徐波 刘峰奇 王占国 李乙钢 张存洲 潘士宏 《微纳电子技术》 CAS 2003年第3期11-13,32,共4页
利用光调制反射谱(PR)对1.55μm应变层InCaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡。利用Bastard包络函数方法和Kane模型从理论上计算了该应变层InGaAsP四元合金三量子阱内电子和空穴的能级和跃迁能... 利用光调制反射谱(PR)对1.55μm应变层InCaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡。利用Bastard包络函数方法和Kane模型从理论上计算了该应变层InGaAsP四元合金三量子阱内电子和空穴的能级和跃迁能量,计算结果与实验数据符合得很好,得到了In_(0.758)Ga_(0.242)As_(0.83)P_(0.17)与In_(0.758)Ga_(0.242)As_(0.525)P_(0.475)四元合金应变界面的导带不连续性。 展开更多
关键词 应变层 InGaAsP量子阱激光器 调制光谱 Franz-Keldysh振荡 光调制反射谱
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具有新型有源区的量子级联探测器(特邀) 被引量:1
17
作者 刘舒曼 刘俊岐 +5 位作者 翟慎强 卓宁 张锦川 王利军 李远 刘峰奇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第10期233-243,共11页
量子级联探测器是一种光伏型的子带间跃迁红外探测器,通过厚度渐变的啁啾量子阱中台阶状的子带分布,产生内建电场,使得有源区中的光生载流子定向输运,器件工作时无需外加偏压,避免了暗电流噪声的产生,能够实现室温长波红外响应。由于子... 量子级联探测器是一种光伏型的子带间跃迁红外探测器,通过厚度渐变的啁啾量子阱中台阶状的子带分布,产生内建电场,使得有源区中的光生载流子定向输运,器件工作时无需外加偏压,避免了暗电流噪声的产生,能够实现室温长波红外响应。由于子带间跃迁吸收系数小、具有偏振选择性,量子级联探测器目前存在响应率低、对正入射响应无响应、探测率对温度敏感等问题。针对这些问题,本文介绍三种新型量子级联探测器有源区的设计,包括量子点/阱耦合、束缚-微带斜跃迁和小能量台阶有源区,在中波、长波和甚长波波段展现出优良的器件性能。 展开更多
关键词 红外探测器 量子级联探测器 光子探测器性能 电子能级 能带 量子效应
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InGaAs/InAlAs量子级联激光器研究 被引量:1
18
作者 张权生 刘峰奇 +3 位作者 张永照 王占国 Honghai Gao A.Krier 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期41-43,共3页
简要报道了自行研制的 In Ga As/ In Al As量子级联激光器的制备及其主要特性 .该器件具有增强型脊型波导结构 ,在 80 K时阈值电流为 0 .5 A,相应的阈值电流密度为 5 KA/ cm2 .
关键词 量子级联 激光器 制备 V-I特性 光功率/电流特性 发光特性 InGaAs INALAS 半导体激光器
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红光InAlAs量子点的结构和光学性质 被引量:1
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作者 周伟 梁基本 +9 位作者 徐波 龚谦 李含轩 刘峰奇 姜卫红 江潮 许怀哲 丁鼎 张金福 王占国 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期230-234,共5页
利用MBE方法在(001)衬底上成功地生长了密度大、尺寸小、发红光的InAlAs/Al-GaAs 量子点结构. 通过原子力显微镜观测表明, InAlAs量子点的密度和大小都随覆盖厚度的增加而增大; 发现Al原子的表面迁移... 利用MBE方法在(001)衬底上成功地生长了密度大、尺寸小、发红光的InAlAs/Al-GaAs 量子点结构. 通过原子力显微镜观测表明, InAlAs量子点的密度和大小都随覆盖厚度的增加而增大; 发现Al原子的表面迁移率决定InAlAs 量子点的形貌. 光荧光谱证实了量子点的发光峰值在红光范围, 并结合形貌的统计得到了量子点的发光峰展宽主要是受量子点的横向尺寸影响. 展开更多
关键词 红光量子点 表面扩散 光荧光 铟铝砷
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量子级联红外探测器 被引量:1
20
作者 刘俊岐 翟慎强 +4 位作者 孔宁 李路 刘峰奇 王利军 王占国 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第8期1397-1402,共6页
半导体基中远红外探测器在成像、传感、国家安全以及国防领域具有广泛的应用背景。目前,在这个领域最主流的技术之一是量子阱红外探测器(QWIPs)。传统的量子阱红外探测器往往存在较大的暗电流和较低的工作温度等限制。量子级联探测器(QC... 半导体基中远红外探测器在成像、传感、国家安全以及国防领域具有广泛的应用背景。目前,在这个领域最主流的技术之一是量子阱红外探测器(QWIPs)。传统的量子阱红外探测器往往存在较大的暗电流和较低的工作温度等限制。量子级联探测器(QCDs)是一种新型的光伏型量子阱红外探测器。其工作原理基于电子吸收光子后在量子阱的子带间跃迁并且激发态电子通过人工设计的势能阶梯形成无需外加偏置电压的定向输运。这种基于新原理的红外探测器一经出现便引起人们高度的关注并经历了快速的发展。文中介绍了中国科学院半导体所在量子级联探测器研究方面的最新成果。 展开更多
关键词 量子阱 红外探测器 量子级联
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