双光路快速调谐脉冲CO2激光器

报道了一种采用双路高速伺服电机驱动光栅选线的方式,实现9~11μm CO2激光快速调谐输出。双光路谱线切换时间小于100μs,单光路谱线切换时间小于50 ms。激光器输出谱线达70条,其中9P(20)、9P(28)单脉冲输出能量大于100 m J,9R(30)、9P(40)单脉冲能量大于90 m J,激光脉冲宽度小于100 ns,重复频率为20 Hz。

RF-CO^(2)激光器射频电源监控平台

射频电源是RF-CO^(2)激光器中的一个重要部件。在开发一个新的RF-CO^(2)激光器时,由于激光器负载和射频电源匹配失调,在调试过程中容易造成射频功放功率管击穿、烧损。为解决这一问题,设计了一套集数据采集、自动保护控制和可视化技术为一体的RF-CO^(2)激光器射频电源监控平台。平台采用软件和硬件相结合的方式,在射频电源中嵌入控制模块,搭建数据采集系统和自动保护系统,并结合电路设计软件平台完成对射频电源的数据信息采集和保护控制。经过实验测试,平台可以有效避免射频电源功率管的损坏,实现射频电源的自动保护,并完成射频电源系统的数据采集和远程保护控制,缩短了RF-CO^(2)激光器的调试周期,提高了整机的开发效率。

高功率脉冲磁控溅射研究进展

高功率脉冲磁控溅射(High-power impulse magnetron sputtering,Hi PIMS)是一种峰值功率极高,靶材原子高度离化的离化物理气相沉积技术。Hi PIMS电源高压脉冲输出到磁控靶的脉冲功率密度可达103k W/cm2;施加在溅射靶上的负电压只有在达到或超过"雪崩式"放电机制的阈值电压时才能获得百安级的靶电流峰值;在瞬时高压脉冲的作用下,靠近靶表面的离化区域等离子体密度可以达到1018～1019m-3,试验测得Cu等离子体的离化率可达60%～70%;脉宽、频率、波形等脉冲特征对等离子体放电有显著影响,进而影响沉积速率和薄膜性能;相比直流磁控溅射,可以获得更加平滑致密的沉积薄膜,改善膜基结合反应,同时拥有良好的绕镀性;偏压、沉积速率和气压等会对Hi PIMS的沉积过程产生影响,进而影响薄膜的显微组织和力学性能。