关于可列非齐次马氏链Cesaro平均收敛性及二元函数的强大数定律

该文的目的是要研究可列非齐次马氏链的Cesaro平均收敛性及二元函数的强大数定律.并利用这两者研究可列非齐次马氏链的Shannon-Mcmillan定理.

可列非齐次马氏链二元泛函的强大数定律

本文研究可列非齐次马氏链二元泛函的强大数定律，并利用这个结果研究可列非齐次马氏链Shannon－McMillan定理．

关于复平面有界闭集上的有理函数逼近

给出了复平面有界闭集的壳与有理函数的可逼近性之间的关系定理。

涂硼电离室中子灵敏度计算与验证

假设α粒子或Li离子探测器效率相同时,α粒子或Li离子对探测器输出电流相同,计算了10B丰度为90%,硼面密度为0.8mg/cm2,涂硼面积为2760cm2,电离室中子灵敏度为5.25×10-13A/(n·cm-2·s-1)。采用10B丰度为90%的硼粉制作了面密度为0.8mg/cm2的电极管,将其组装为电离室样件,工作气体介质为P10气体;在线性中子源上测试了工作气体压力为0.025MPa^0.3MPa,电离室样件的中子灵敏度,结果表明:气体压力达到0.16MPa时,电离室样件的输出电流饱和,硼层中出射粒子的能量完全沉积到工作气体中,此时的中子灵敏度为4.01×10-13A/(n·cm-2·s-1),试验结果与理论结果偏差约为25%左右。

辐照监督管中Ni测量快中子注量率低泄漏修正研究

核电站反应堆运行一段时间后改为低泄漏装载,这种将深燃耗元件布置在最外区与最初最外层布置新元件两种装载对辐照监督管的中子注量率影响很大,在辐照监督管中子注量测量中必须对其进行修正,这种低泄漏修正因子一般采用理论计算给出。本文提出利用辐照监督管中的Ni活化生成物58Co半衰期短的特点,测量得到低泄漏修正因子。结果表明:试验测量的修正因子与计算值符合很好,辐照监督管中直接采用Ni探测器测量低泄漏修正的方法是可行的。

过盈量和连接长度对探测器接头连接质量的影响

某气体电离探测器顶部为钢铝异种材料连接的接头,提出了一种利用钢铝热膨胀系数差异来实现探测器接头连接的方法。为研究接头的质量,以接头的强度和气密性作为评价要素,利用材料屈服强度和极限抗拉强度两个性能参数,建立材料塑性应变强化的本构模型,运用有限元方法对接头的连接和拉脱过程进行数值模拟;通过分析接头接触表面上接触压力的分布情况,确定了以接触表面上高应力环带上的最小接触压力作为接头气密性的评价准则、以最大拉脱力作为接头强度的评价准则,并以此研究了过盈量和连接长度对探测器接头强度和气密性的影响。结果表明,适当增大过盈量可以提高接头的气密性,但过盈量过大将导致接头强度下降;连接长度对接头强度有影响,两者基本呈线性递增关系。

涂硼电离室的X、γ射线响应特性研究

通过实验研究了X和γ射线空气比释动能率、能量对涂硼电离室的线性、X和γ感应度和补偿特性的影响,研究结果表明:涂硼电离室随X和γ射线空气比释动能率变化在一定范围内保持线性,涂硼电离室的X和γ感应度不仅与射线能量有关,还与射线空气比释动能率有关;涂硼补偿电离室的最佳补偿电压需通过工程实践加以确定。

涂硼电离室的X、γ射线响应特性研究

通过实验研究了X和γ射线空气比释动能率、能量对涂硼电离室的线性、X和γ感应度和补偿特性的影响,研究结果表明:涂硼电离室随X和γ射线空气比释动能率变化在一定范围内保持线性,涂硼电离室的X和γ感应度不仅与射线能量有关,还与射线空气比释动能率有关;涂硼补偿电离室的最佳补偿电压需通过工程实践加以确定.

多项式翻转公式的一个新结果(英文)

设ｆ（ｘ）是一个实函数，ｆ（ｘ＋ｉｙ）在某个包含区间［ａ，ｂ］的某区域内解析，则∑ａ＜ｎ≤ｂｅ（ｆ（ｎ））＝ｅ（－１８）∑α＜ｎ≤β｜ｆ″（ｘｎ）｜－１２ｅ（ｆ（ｘｎ）－ｎｘｎ）＋△（ｆ，ａ，ｂ）其中α，β，ｘｎ的定义是（１），余项△是（９），它改进了文［１］，［２］的结果．

国产1000MWe级核电站RPV材料辐照中子注量测量及控制

在推进百万千瓦级核电站压力容器的国产化过程中,为评价该项目材料性能,开展了材料辐照考验。为确定辐照试验关键指标——快中子注量的准确性,在材料辐照开始前进行条件试验,准确测量辐照位置快中子注量率,对材料辐照时间进行控制。辐照期间同时布置活化探测片,测量样品真实的辐照快中子注量。试验结果表明:条件试验测量结果比较好的反应了辐照装置内中子注量率,全部4批次辐照试验均满足目标要求,与目标值最小偏差为1.00%,最大偏差6.58%。试验中子注量控制符合要求。

工作气体对涂硼电离室性能的影响研究

通过试验研究了工作气体的压力和种类对涂硼电离室坪特性、中子灵敏度和γ感应度等性能的影响。试验结果表明,随着工作气体压力的增大,电离室坪区会向高电压方向移动,即电离室的工作电压会增大;工作气体为10%CH4+90%Ar(P10)时,当工作气体压力(从0.025 MPa增加到0.15 MPa)增大,电离室中子灵敏度会迅速增大,继续增大工作气体压力,电离室中子灵敏度保持不变;电离室中子灵敏度会随着工作气体中高电离能气体成分增加而减小;P10气体压力在0.1~0.4 MPa范围内,电离室γ感应度与工作气体压力成正比。