期刊文献+
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
亚50nm双栅MOS场效应晶体管的流体动力学模拟
1
作者 刘弋波 刘恩峰 +1 位作者 刘晓彦 韩汝琦 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第B05期144-147,共4页
利用自主开发的流体动力学模拟软件对亚50nm沟长双栅MOS场效应晶体管的特性进行了模拟,比较了不同沟道长度时电子温度和漂移速度沿沟道方向的分布,并讨论了器件的短沟效应。
关键词 流体动力学 双栅MOSFET 阈值电压 短沟效应 电子温度 漂移速度
下载PDF
n沟肖特基势垒隧穿晶体管特性研究
2
作者 杜刚 刘弋波 +2 位作者 孙雷 刘晓彦 韩汝琦 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期10-14,共5页
利用自主开发的蒙特卡罗器件模拟软件 ,对 n沟肖特基势垒隧穿晶体管 (SBTT)的输出特性和转移特性进行了模拟 ,详细分析了沟道区掺杂浓度 ,源漏硅化物区深度以及栅氧化层厚度对 SBTT特性的影响。
关键词 蒙特卡罗器件 n沟肖特基势垒隧穿晶体管 输出特性 转移特性 源漏硅化物区深度 栅氧化层厚度
下载PDF
纳米级MOSFET的模拟
3
作者 刘晓彦 刘恩峰 +3 位作者 杜刚 刘弋波 夏志良 韩汝琦 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第B05期148-152,共5页
利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型,编制了流体动力学半导体器件模拟程序,并对栅长25nm的体硅MOSFET和栅长30nm的FinFET结构进行了模拟。模拟结果表明,改进后的流体动力学模型在工程应... 利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型,编制了流体动力学半导体器件模拟程序,并对栅长25nm的体硅MOSFET和栅长30nm的FinFET结构进行了模拟。模拟结果表明,改进后的流体动力学模型在工程应用中能够适应模拟纳米级MOSFET的要求,用于纳米级MOSFET的特性研究和优化设计。 展开更多
关键词 纳米尺度 半导体器件模拟 流体动力学 量子效应 MOSFET
下载PDF
一种类CPU的深度学习协处理器架构 被引量:2
4
作者 丁然 林建文 +1 位作者 朱振华 刘弋波 《中国集成电路》 2020年第7期41-52,共12页
深度学习是当前人工智能领域的关键技术之一,它在图像识别、语音识别、自然语言处理等领域均取得了突破性的成绩,大大推进了人工智能的发展。然而,随着深度学习的发展,它的核心问题也愈显突出,如高计算量、高数据带宽、应用碎片化等,这... 深度学习是当前人工智能领域的关键技术之一,它在图像识别、语音识别、自然语言处理等领域均取得了突破性的成绩,大大推进了人工智能的发展。然而,随着深度学习的发展,它的核心问题也愈显突出,如高计算量、高数据带宽、应用碎片化等,这些问题成为近年来制约相关技术发展的关键因素。本文融合了CPU和专用处理器各自的优势,提出了一种类CPU的深度学习协处理器架构,该架构具有可灵活编程、高计算密度等的特点,同时,由于该处理器还采用了存算紧耦的计算架构,因此能有效重复利用权重等数据,降低了对带宽的需求。本文从硬件架构、软件架构、软件编程模型、软件运行模型等多个角度介绍类CPU的深度学习协处理器架构,同时基于该架构的处理器芯片也已经在28nm下流片成功,进一步验证了该架构的可行性。 展开更多
关键词 深度学习 处理器 存算紧耦
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部