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利用方形四探针技术测量硅基片薄膜电阻的研究
被引量:
1
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作者
刘弘逸
《现代仪器》
2009年第3期27-29,26,共4页
提出硅基片生长薄膜的薄膜电阻的测试方法,利用方形四探针技术实现对较小硅基片上生长钴的薄膜电阻的测量,完成不同生长厚度下三片薄膜硅片的薄膜电阻测试工作,得出测试结果较可靠、合理的结论,同时对提高测试实验精度的影响因素进行分析。
关键词
方形四探针
硅基片
薄膜电阻
测试技术
下载PDF
职称材料
题名
利用方形四探针技术测量硅基片薄膜电阻的研究
被引量:
1
1
作者
刘弘逸
机构
东南大学仪器科学与工程学院
出处
《现代仪器》
2009年第3期27-29,26,共4页
基金
国家自然科学基金项目(项目批准号:J0721027)
文摘
提出硅基片生长薄膜的薄膜电阻的测试方法,利用方形四探针技术实现对较小硅基片上生长钴的薄膜电阻的测量,完成不同生长厚度下三片薄膜硅片的薄膜电阻测试工作,得出测试结果较可靠、合理的结论,同时对提高测试实验精度的影响因素进行分析。
关键词
方形四探针
硅基片
薄膜电阻
测试技术
Keywords
Square four point probes Silicon chip Film resistance Testing Technology
分类号
TS101.923 [轻工技术与工程—纺织工程]
TM544 [电气工程—电器]
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作者
出处
发文年
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1
利用方形四探针技术测量硅基片薄膜电阻的研究
刘弘逸
《现代仪器》
2009
1
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